TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 , M2 R( T4 M1 Q1 Y/ n( w$ }
) H* L3 M0 W" |1 b- k; Z工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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$ `: A6 G6 L# e- x* ?8 q按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。7 @; h4 l h6 B5 K4 D
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
* x- r& K, G Z( X, ?$ Z$ w O- I: E K& j* Q, e6 C
延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。4 X6 s0 U n% _, t8 l
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html9 T% [7 a+ Y' q/ q( ~$ A$ ?7 ~
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
7 Z% a" U( j5 J( L! R8 _2.1集成电路生产装备" R6 K, P3 `) c+ B
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅4 h* |) j* G- j9 O1 Y( ~
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗0 p! M1 u4 j/ v0 \+ K" m
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
, P) ^2 }. J, o2 L2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影& s' u9 U8 p' L% }% R8 X" z
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm0 w! n6 Z) F: J/ g' ^5 V% X1 a
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
) y% y- V6 d! o2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%+ d; B6 c% o3 r3 t
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
Q1 P! g# ^! ~( _- Z# ?2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀8 H, C3 A0 D& g0 q, ]; M S
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°* I7 \7 a- l1 Q7 M. `
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积 m7 S6 t1 j1 f5 A9 d/ V& |
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积- U* s- l8 W! ~$ U
2.1.13化学机械抛光机 & a- j0 V# k6 {+ v, Z- r
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min8 V* x6 U: z# t, M4 k" a
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min4 j: Y3 C% y* N
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min; ~9 |* x+ U& @% f0 S4 x% H. X
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min' x' l* n. u8 y3 W- E) {+ d
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
2 ]9 a! @. B5 @# e2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
9 n) s. G+ D N4 |0 p9 Y; Z- Y
; c# w* D" P3 O很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
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