设为首页收藏本站

爱吱声

 找回密码
 注册
搜索
查看: 6717|回复: 53
打印 上一主题 下一主题

[科普知识] 国产光刻机猜测

[复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    跳转到指定楼层
    楼主
     楼主| 发表于 2024-9-15 15:36:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 % s/ \5 q5 I; q: u
    & d& r; ]; U4 [! d% @6 Q
    被老财迷点名了,又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法,俺就来稍微说几句。
    . y' ?* T5 X4 @; z$ m4 K光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧,俺第一次看到光刻机,那时洋名叫Aligner,后来又有Stepper,Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的,俺个人以为也不算是很好的命名方式。
    ; L3 j' q/ {  w4 T. z' r, V6 F还是回到光刻机本身吧。顾名思义,光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂,往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤:
    7 {; K& ~  U, z. Q1. 表面清洗% Z& j2 M7 D7 l+ w8 S% A% e
    2. 预处理: ]! u# j" J; X+ r
    3. 甩胶) u+ v* ^( d( q
    4. 曝光% I! v1 [+ z( c8 s+ H: ^
    5. develop(显影?)
    * [* g  D" l3 c6 V+ t3 K5 z  i6. 刻蚀/离子注入
    $ p6 T/ @* v! M2 \# |7. 去胶
    " p' _; O* H0 i光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点,这个XXnm,在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统,而Ernst Abbe在1873年就给出了公式:- F* s1 O8 y1 V5 W; i

    0 B2 M* ?8 x. F! @对于光刻机,公式演变为:
    8 t5 X$ \" _: _$ i' s: m
    0 s' t9 L7 s. ^. o# ~1 g这里面CD是最小尺寸,lamda是光波长,NA是数值孔径,K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d,要么减小波长,K1,要么增大数值孔径。下面是用过的波长:# e9 L$ E$ g+ Z! r! C3 i/ D2 k
    1. 436 nm (水银灯"g-line")
    4 G0 m% s# S& _1 Q2. 405 nm (水银灯"h-line")
    9 [, G5 [! P2 _2 d: ]" K3. 365 nm (水银灯"i-line"), H2 ^: }6 v% B) d) N
    4. 248 nm (KrF激光)( V# ~, N6 U6 I) k9 T' I' ?
    5. 193 nm (ArF激光)- N( g, H2 o) S1 e4 ~
    6. 13.5 nm (EUV激光)
    ( P1 z9 L3 i; u) F6 L6 J+ m工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm,现在变成65nm,估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点,台积当初就做到了。三星水平差一些,有两层上了EUV。牙膏厂的10nm(对应台积7nm)就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。' V: M" G- R$ U, n/ w% m* [+ [
    按照公式193nm对应的极限是90nm,但还能继续是因为有一些别的技术:. r, o+ g" P: S/ q% y" W
    1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44,相当于数值孔径变大1.44倍。. w+ G, z1 P6 H. z) g* d$ L
    2. 光学临近矫正(OPC)。早年的光刻遵循的是几何光学,不考虑衍射,掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果,掩膜上形状和最终印出来的不一样,这样可以做出更小尺寸。2 K& k9 }7 ?  ?3 D6 {+ ?! v3 F: V
    3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure,那个是把前面工序变成1,2,3,4,4,5,6,7. 现在这个double-patterning要更复杂,简单说是1-7,1-7要做两次。这两次之间硅片会动,要回到原位,就有误差,就是那个套刻精度。5 H+ c  v  [( N6 z5 g& z6 l2 ], T
    4. FinFet/GAA,这个其实并没有实际减小尺寸,只是让有效尺寸变小了,所以节点数字变小。
    ! f0 @* c1 h' z$ ~
    , S5 m3 P* r, a! w& G' X网上谣言说国内的浸水还在测试,希望能尽快成功吧。

    评分

    参与人数 18爱元 +160 学识 +7 收起 理由
    草纹 + 10 + 5 谢谢!有你,爱坛更精彩
    drknight + 10 涨姿势
    landlord + 12 涨姿势
    togo + 10 涨姿势
    pcb + 4

    查看全部评分

  • TA的每日心情
    开心
    9 小时前
  • 签到天数: 577 天

    [LV.9]渡劫

    沙发
    发表于 2024-9-15 20:14:31 | 只看该作者
    下笔千言,文眼就一句:“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了,现在你说LE变SE,进步就等于没进步嘛。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    10 小时前
  • 签到天数: 3728 天

    [LV.Master]无

    板凳
    发表于 2024-9-15 20:18:14 | 只看该作者
    我还以为你才30多岁。。。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    地板
     楼主| 发表于 2024-9-15 21:56:18 | 只看该作者
    马鹿 发表于 2024-9-15 04:18' r# I, D* y# Q: U/ r
    我还以为你才30多岁。。。

    ; j: b; h9 V7 b7 `西西河一开俺就去了,那都快20年了
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-28 03:33
  • 签到天数: 17 天

    [LV.4]金丹

    5#
    发表于 2024-9-16 01:17:10 | 只看该作者
    凭借目前公布的硬件参数,是可以轻松实现65nm的,20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步,也就是OPC,提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩,突破到28nm问题不大。
    3 C# l- z' c6 D1 k* F+ V# G( z( r$ b9 S+ g, A
    国内目前的所有半导体的前沿突破,都不在公开的生产线上,因为敌人可以拆解你的光刻机,制裁你的供应商,从而摧毁你的供应链。
    0 c& z+ `2 u* Z  K; d: E. q  \9 d& n( X/ E  X
    凡是公开的,都是敌人无法阻挡的。

    点评

    油墨: 5.0 给力: 5.0
    涨姿势: 5.0
    给力: 5
      发表于 2024-11-15 12:02
    油墨: 5 给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-21 17:38

    评分

    参与人数 2爱元 +18 收起 理由
    云淡风轻 + 8 涨姿势
    helloworld + 10

    查看全部评分

    回复 支持 1 反对 0

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2024-9-16 06:24:01 | 只看该作者
    在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    7#
     楼主| 发表于 2024-9-16 09:46:29 | 只看该作者
    公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度(wafer/hr),连续生产时长,透镜预热时长等等。

    点评

    油菜: 5.0 涨姿势: 5.0
    油菜: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-16 11:21

    评分

    参与人数 3爱元 +30 学识 +2 收起 理由
    常挨揍 + 10
    老票 + 12 + 2 涨姿势
    老财迷 + 8 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-8-27 22:14
  • 签到天数: 351 天

    [LV.8]合体

    8#
    发表于 2024-9-16 11:19:37 | 只看该作者
    感谢感谢- D5 C9 W1 j* U: F6 H0 a; W

    5 x1 [. B$ I% Q8 J工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm; R; m' v* U8 q' j- ]; E- R# o. m

    6 t1 _- e( D, D9 z0 y6 g( H) E按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
    # E; q- I+ ^( R" w确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
    : g4 z) _. |! g' P2 v, w' v, Z6 Q+ I5 V7 e) i& I+ Q& _+ n$ S: x
    延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
    + o1 \" d1 j) ]9 C4 c那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
    - ^9 I7 ], n. u& {
    8 `( T2 g& d  L& \& l; x# J另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html( A. \' P6 U* M
    和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
    8 P! B9 m  u+ O  A7 G  S2.1集成电路生产装备
    " ?2 R6 P- L5 C+ E0 E0 q, |1 j5 G2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
    & R) Q* m) V7 e- i- Y6 T2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
    7 B# s0 e3 W. R2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
    0 ]1 a# w+ `2 N6 B- @5 O2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影  w5 v; ~- E. z+ ?4 r/ N
    2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
    3 K1 }2 h/ s1 S2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm+ n% ]$ @1 W2 Q& z' K. m( i  e
    2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
    3 a; U# p: B3 w" m3 w! {' B. F& h2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
    4 J$ ]; @% w6 u8 ^6 @+ f2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀
    2 m$ @5 T3 A5 c2 u) [" a0 d2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°/ N2 Y) O" U' P$ v1 M: w
    2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积+ p( ]7 d8 C! F
    2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积) U3 T: s7 g. b
    2.1.13化学机械抛光机 6 q$ ]0 C3 {) _, I1 _
        铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
    / N8 [* ?5 ]0 v( G8 {7 Y    钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
    % n# q9 b/ Z0 ~    铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
    , x, |5 V& H' O& X4 W    介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min5 r; {9 H2 P$ Q, k3 S( {6 U( B
    2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
    ' y1 z) _/ q  K$ c/ _- q( l2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm$ Z* L% z8 R; l8 w/ k4 C
    & y. H( {2 w9 ?6 M
    很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。, k6 F) n6 x3 T

    评分

    参与人数 2爱元 +22 学识 +2 收起 理由
    老票 + 12 + 2
    helloworld + 10

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-8-27 22:14
  • 签到天数: 351 天

    [LV.8]合体

    9#
    发表于 2024-9-16 11:26:23 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
    2 T* G% |8 a, S1 G! l. e! T公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
    ' g/ k5 @  L- f6 u' q) C& d
    个人猜测,在这正式公布之前,国内(大陆)自己的代工厂商,肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围,各大代工厂必然要背负相关的任务,这关系到大基金的投入、将来的单子。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    10#
     楼主| 发表于 2024-9-16 11:34:56 | 只看该作者
    既然公布了,肯定是用过的,具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂(估计是YMTC)验收完了就放一边落灰了。。。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8 谢谢分享

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    11#
     楼主| 发表于 2024-9-16 13:52:53 | 只看该作者
    另外阿斯麦能做到的:NA=1.35,K1=0.25,对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

    点评

    油菜: 5.0 涨姿势: 5.0
    油菜: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-17 08:01

    评分

    参与人数 2爱元 +18 收起 理由
    常挨揍 + 10
    老财迷 + 8 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2024-9-16 14:00:59 | 只看该作者
    老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
    4 |6 S: y+ Y2 o/ s: W* V0 P( ^感谢感谢/ s! s8 ~- b6 X9 d0 s

    ! \: [+ z0 R; `& _工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤ ...
    , X; z! @3 R1 ~. u0 l
    也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!" a: j1 _; \/ n, w3 n2 \. \

    ( F4 b# d4 B4 ]* W个人感觉:相比于前一阵的绝对保密,现在放出这消息肯定是有用意的。
    3 ]( t7 @6 _# t$ S3 y1 I0 U
    ' ^- n2 }( N. V0 _% M* [; U1、内行人一看就知道,还在65nm7 F( Q# w% b. X: c
    2、没说的就不知道到了哪一步,而中国肯定不会满足于65nm
    ; y9 y  M  A4 j  v) M3、一旦这一关过去,下一关应该是28nm光刻机(咳咳,我知道这说法要被内行人狂扁,你知道我的意思,暂且手下留情吧),但说中国还有15年的落后可能误导,追赶总是更快,尤其是这在现在根本不是最领先水平
    / n) b5 W1 c& v& _- E
    0 Z2 W2 H! v; K, W  A然后就要等EUV了。5 @6 O/ \  X( z3 Z6 g, u

      d5 Y/ W- f- N3 T会不会中国人首先解决光源,索性一步到位EUV,但干式先行?不是说俄罗斯EU V光源给力吗?# H/ @: J, z+ b  P9 D8 j- F
    ' L; s" W! p8 n8 `3 g3 C9 A
    在一段时间里,一旦中国28nm全国产化,芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

    点评

    给力: 5.0
    给力: 5
      发表于 2024-9-17 08:03

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    13#
     楼主| 发表于 2024-9-16 21:42:27 | 只看该作者
    EUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

    评分

    参与人数 2爱元 +12 收起 理由
    老财迷 + 8 涨姿势
    唐家山 + 4 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2024-9-17 02:46:07 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 14:00+ I; |; \' d# Y0 W' X- a
    也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!
    + ~! V3 ~" t1 e( A- a$ h; B: X2 `" D7 m
    个人感觉:相比于前一阵 ...

    / F2 x; R7 J2 J8 R不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。, V; @+ M: _! u  T5 v. ]

    3 A) e" X1 K' `6 ?! v5 ^从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV,那么全都是193nm,即使是台积电的7nm。在典型参数下,193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进,比如提高镜头的数值孔径(玩相机的晨大熟悉这个术语),在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平,再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning(更准确的应称之为multiple patterning),其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过,而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。( W0 ~+ e! |/ }6 Y( i& s
    " p0 g1 j4 p& J( r& b9 F
    以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例,SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西,它只是用作一个骨架,在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉,只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方,这有一点像脱胎漆器,当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作,才得到最终的电路。
    % b5 O7 l' e% o- i
    " G; r# s5 d1 ?# |6 }2 |) D
      M2 Z! \, H& o4 \! N% P: nSAQP则是将SADP的技法重复两遍,以期获得精密度的倍增。) A3 U, F& ?! d! A4 h2 }
    4 @" y, q  j0 V2 i& @- V
    ( ^# ]7 L5 h7 L7 H# L4 B
    工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材,芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜,是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找,所以没了传统的透镜组,也不可能再有浸液方案,整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的,这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水,而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出,采用EUV后芯片各方面的指标有提升,但这种提高大致是线性的(如果用以前的速度外延的话),而非峭壁式的飞跃。

    点评

    油菜: 5.0 给力: 5.0
    涨姿势: 5.0
    XXnm工艺节点  发表于 2024-9-17 08:10
    油菜: 5 给力: 5 涨姿势: 5
    内行们就是严谨,下次我一定用XXnm节点 :)  发表于 2024-9-17 08:10

    评分

    参与人数 3爱元 +22 收起 理由
    常挨揍 + 10 涨姿势
    老财迷 + 8 涨姿势
    唐家山 + 4 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2024-9-17 03:21:19 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
      M' R/ A; J, K( DEUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

    + ~* d: E1 j. W1 z: Z也就是说,EUV用浸水没有用?
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    16#
    发表于 2024-9-17 03:34:34 | 只看该作者
    沉宝 发表于 2024-9-16 12:460 f: A  F) x) Z. x7 ?8 n. k' M
    不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。
    ( N0 S* `9 r% @4 {9 I+ i1 @7 m! b9 c
    从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

      t- U7 W7 A! E7 ~% T, f不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光,产率和良率应该提高很多?
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    17#
     楼主| 发表于 2024-9-17 04:38:44 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
    % R( }' f8 l8 O0 E' I6 Q( U也就是说,EUV用浸水没有用?

    ) X5 s# z' n7 W理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    18#
    发表于 2024-9-17 04:39:36 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
    * ^9 b% g% s" r8 v理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。 ...

    - C: D$ K5 Y* O9 E* U( f1 D是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    19#
     楼主| 发表于 2024-9-17 04:43:13 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
    & Y8 m+ Z9 D+ C- `/ ]" s% `; {+ H5 L是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
    4 m/ |! `5 m  U) U( A9 W- H
    相比透镜,反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多,最后到达光刻胶的剂量比例很低。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    20#
    发表于 2024-9-17 07:45:19 | 只看该作者
    在知乎看到一篇文章,应该是业内人士写的,他对目前的进度并不乐观。" \( u9 i& h$ h4 e
    我不懂这方面的技术,看起来说的还是有理有据,供参考。
    8 A4 d6 S- O" x! M6 B% W3 |7 H6 n3 d
    https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    手机版|小黑屋|Archiver|网站错误报告|爱吱声   

    GMT+8, 2026-3-19 10:55 , Processed in 0.094313 second(s), 18 queries , Gzip On.

    Powered by Discuz! X3.2

    © 2001-2013 Comsenz Inc.

    快速回复 返回顶部 返回列表