TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 6 o4 k- C& R1 E
. O- h3 o# Y( {( X) ~工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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, @3 a" Q( i8 z; [& |* q6 C2 f按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。4 s$ v. H T6 A* y$ X
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的 , i# `3 [% {" x) z4 p$ H
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
p8 @% c; f) i" }( N那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
" q) ~- g. p9 B和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:' s( w8 M, Q V+ Q1 ^& @* b
2.1集成电路生产装备: |3 z" v' }' R) B( m4 P1 y
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅, [4 Q' Q4 j( ^4 W9 x* a) o& O# I
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗/ H& ?) M# N" ?% I6 q
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
3 [& R# p8 x4 j3 `/ B( o7 t2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
- ] R X" f' G# {& I2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm% b# ?2 v2 i' f2 X' v
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
9 ?1 Z, L C2 f- o0 _8 K6 H2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%6 F+ i! Q! a. F; C
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA7 L& c9 M* y, m8 z# R7 b y1 |& f
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀7 l' D7 W5 [1 F/ {( g7 Q
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
; o6 p+ k$ k# j& }2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积 \0 q0 T j* ~, P
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积/ L5 p7 z4 y. y0 ~% G- ^
2.1.13化学机械抛光机 : `) R4 H9 O) R- K6 s& z$ ]( `
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min# M/ J* ]" e* r& l
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min0 e. H: S, Y" @5 x7 x6 E
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
F: W, R) L) M. O 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min6 e& b, o$ _/ h. f1 V4 h* |
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm+ ^& r8 d$ f/ a# w: l% l3 P6 O! ~
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm2 u3 _ Q0 E$ I( C3 r7 N, Q
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
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