TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢
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工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm. q. ]$ F- w( m( A
/ ^, E6 {( c2 W: v% C按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。2 x! w# z& b0 h* W, c4 r* y1 K" [
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。' B, J2 S7 O9 D( h
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
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# o' j r5 M) |% `另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html3 Q( V$ ?1 r. F$ G; E
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:( A! \/ F* d7 t, s
2.1集成电路生产装备6 b( _0 t+ h% ~* {0 M/ U+ m2 R# A; A, {
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
" @4 z$ Q2 u: S2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗6 o4 V: w, p# S9 H- [
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm8 o- A+ J u- e& ?$ q. W; c
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
8 u, w% F( M9 _2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm2 O; u& ]/ _' a, V/ T
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm5 Q% {. B4 {3 i
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%7 k& @: \# z; I& s7 `- ?: n
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA: i" V: q. W( @! L2 M% W) A
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀
3 `- t a6 J; m2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
# B1 B- {, G& k+ T% T2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
8 Q; L2 U6 p9 N2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
9 h8 W9 o D( t1 P5 j2.1.13化学机械抛光机 1 P: m2 B5 m1 @) Q
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min# r. l2 t7 |% Y, Q
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min5 e" ~" x+ a4 } c1 i
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
9 J) E8 y+ n; g- H 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min: J4 x. K+ W: N1 O0 B: W7 s
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm0 ~0 h$ C1 _& z" ]6 W, _, s
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。, j5 g( A7 `6 W$ V B
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