TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 ; e3 r. V$ g$ N5 [0 l( R
9 g4 b7 `* _( J7 x工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。+ ]" v, @4 m# ^; v" {4 T; [
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。9 l6 A3 \# r: P- Y* m6 L
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。+ A6 |/ U& U, R7 B3 Z1 W
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
9 Y% f/ m3 \5 \和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:0 l i. x/ z+ l4 [0 g n' p( U
2.1集成电路生产装备
2 S7 |9 H1 \+ g3 k% w2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅( f1 f/ w; f; C. {( G0 C8 a+ @8 }
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
! V3 ], h. T9 c1 \: t% l2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm- L( m- e; m p
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
( \! {5 E" x7 \2 S4 }' m; N( g2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
; |3 j$ ~: A; i$ z" Q2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
9 E5 d; T7 w. ]4 w) k' Y2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%2 ^% ^" g+ B3 l
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
$ x' |, M# ?: n1 ]! P* ^$ T2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀* ]; L3 U8 L( S! {& x
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80° r+ K, o+ y' x! C' Q
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积! v8 K3 L& Z/ s5 T9 [' z
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积4 T: \6 q+ E0 Q. N
2.1.13化学机械抛光机 0 s/ D6 w i/ K' S
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min7 `5 a4 s, c, w" G6 z
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
2 A- i4 V' ?6 L4 A, t" C" t 铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min" y( d) F& y3 C/ W2 K& N% R& a
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
. x3 q& v8 k6 {3 l2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm; P" M r+ U1 s: o7 _: R& W
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm6 C' \3 ~3 p2 h% C* |, ^
0 R% }% m6 X* T! Y& O$ U8 z很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
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