TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢
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. c8 ?, {2 j- E& a工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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" m9 t6 f: s0 p% {1 B按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。' K7 C) S) Y* x0 H( z7 Q( A
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。: y% [" X1 H( j# p. ?6 i6 [5 ~
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
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* @4 T( ]. t- P1 D3 u+ P另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html9 m* E0 P. g; x, i0 V2 T7 ]
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:! t1 O |1 J% c3 q8 d. A( M
2.1集成电路生产装备
1 M% c4 Z0 \2 K2 W+ A4 i7 n' k' z2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅" k8 b. ?- l7 _9 r. Q+ a/ g% R
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
% a$ A, `4 ~2 \+ i) K5 n/ @3 v2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
e6 F# q" x2 v0 W: w& A/ U0 x2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
1 S: l, l, Y' d7 i/ k2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm, c. z+ o6 Z5 u% T
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
( {+ ~5 X* W4 j3 _2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
; k6 g8 `' S+ n: W3 c" U2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
5 ^8 P# m9 c3 b6 P- c" O4 L2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀, d% ?0 i d" q
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°+ q$ ^4 F. k8 f ]
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积& l5 F; L9 u8 f8 O
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积! S J M, Q1 f* D' T8 x9 E: S
2.1.13化学机械抛光机 : a" u* |- r. Q0 A, d0 G
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
, R& O% V2 o5 [1 V9 k 钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min$ r7 n. V: ?+ o3 m
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
W9 t% |( K8 L, R2 H 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min6 C1 M% ]. k6 {& e6 {+ }9 b# _% j
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
' s' n/ W' J8 m2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。- \' B/ [& x5 t& P/ a6 B2 _
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