TA的每日心情 | 开心 2023-2-8 04:51 |
---|
签到天数: 1811 天 [LV.Master]无
|
本帖最后由 moletronic 于 2021-1-30 18:26 编辑
; R: U2 L5 M+ f# C, Y+ j
0 Q$ s- A; \( j* q( [0 u3 \ [1 d( u3 R
那文章没仔细看,掺杂区弱光翻转应该算是好事吧,对应flash里面低电压写入,这种东西要作出产品,可以搞成硬盘结构,磁头换成激光头。当然它无光激发下会不会自己翻转就决定了它的存储寿命。就跟论存储寿命,flash<硬盘<光盘,一样的道理。. x4 e4 @$ V& Y* \: Z
不过材料这边全世界的习气都不好,太爱吹牛。零几年,science评了了10大突破,都是些纳米相关的,俺当时扫了下,就觉得有三四个有问题,后来果然有好几个撤稿。。。: a7 E1 Y% L4 \" z, a, s& w' M! m" O- ]
顺便,俺这id就是当年做博后时的project名,吹的是用一个含铁有机大分子做存储单元,那个铁原子可以掉1,2,3个电荷(每次大约需要0.2v),这样intrinsicly实现2bit qbit(因为分子的尺寸小,符合qbit的要求)。。。当然俺们吹的时候从来不提常温热扰动就可以让那个电荷态势改变。。。 |
|