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[信息技术] 华为"韬(τ)定律"——先进半导体设计的系统方法论

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  • TA的每日心情
    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    [LV.10]大乘

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     楼主| 发表于 2026-5-28 16:37:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    本帖最后由 大黑蚊子 于 2026-5-29 00:07 编辑 6 ]! M8 @4 C, \# W
    & f6 F/ `; \5 G- i/ z# R& B$ m
    第一章  韬(τ)定律的提出背景与理论框架' L  w3 O3 r: Q/ g" [- j' d

    . `8 b* }! J9 N* u! B6 t- f' j" S- x: G  ]
    1.1  摩尔定律放缓与"几何缩微"的困局$ ]8 ?; X: i! M

    % k6 [8 G) ~$ p# F8 y半导体工业的发展史本质上是"几何缩微"(Geometric Scaling)的历史。在摩尔定律(Moore's Law)和登纳德缩放定律(Dennard Scaling)的引导下,芯片性能通过晶体管尺寸的不断缩减、单位面积集成度的指数增长而持续提升,时间长达半个多世纪。! ]: ]0 N% b8 Q
    然而,这一范式在7nm以下节点遭遇了根本性困难:
    ; j* p  m. ~+ {+ [5 S
    • Dennard缩放定律早已失效——晶体管缩小不再同步降低功耗密度,后段互连的RC延迟取代门延迟成为主导瓶颈。
    • 极紫外(EUV)光刻设备被少数厂商垄断,多重曝光(Multi-Patterning)导致成本激增,良率难以维持。
    • IRDS国际路线图共识:7nm以后纯几何缩放的PPAC(性能、功耗、面积、成本)回报急剧下降,数据搬运的能耗成为主矛盾。
      7 y9 ]; O7 d: S+ N0 T8 I

    $ o1 q  Y. D2 ~- @. F( R何庭波在ISCAS 2026的主题演讲中直接指出:"传统演进提供的微缩增长,已经无法满足越来越多的性能、功耗、集成度的需求。因此在移动终端领域,我们必须在摩尔演进之外探索新的技术路径。"
    1 W4 a2 z6 G# D6 f  G, ~3 ]
    8 W2 h4 f% |0 s" i! V1.2  从"几何缩微"到"时间缩微"
    , B9 {- y' S7 e, N6 |
    3 a; ~, P' R! \9 r8 v/ U+ |$ b韬(τ)定律的核心思想是范式转移:将芯片性能优化的核心目标,从"把晶体管做小"(几何缩微)转为"把信号路径做短"(时间缩微)。这一思想并非凭空而来——在学术界和工业界,从Elmore延迟模型到STCO(系统工艺联合设计),"以延迟为优化目标"的认知早已有之。但华为的区别在于,它首次将这一思想系统化为一套跨越12个数量级(皮秒到秒)的统一设计方法论。6 a' `: E; I9 }" D8 n" v* \8 L- w
    2026年5月26日,华为在IEEE ISCAS 2026首日发表了由副董事长何庭波署名的论文"A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems",正式提出τ定律。在次日会议中,海思麒麟与巴龙首席架构师黄勇(Huang Yong)等几位IEEE Fellow详细分享了LogicFolding(逻辑折叠)的技术细节。& [: Y) M' q: y, l5 m4 k, M: n
    % S/ c1 o8 q4 m5 n$ D

    5 `$ K$ t7 I' ]  J8 O" H" ?4 n. w) Q8 p5 @  `. H7 n

    + t- F  ]. x; l6 F! {1.3  τ 定律的数学定义* i6 ^- ]  R$ q. y4 i; b6 {! f

    6 ^9 z0 ]0 C: b8 N& u+ ^* }论文中将τ定律定义为跨层KPI框架,而非Dennard量级的比例定律。其数学表达为:
    $ k6 V3 v# W: r1 G* u. B* c. q    τ = f(τ_transistor, τ_circuit, τ_chip, τ_system)
    5 }" d* p# L% S& |# ~+ a& L& f    τ_{n+1} = τ_n / α" h$ {7 L4 J2 Q0 G& r
    其中:0 [  A8 L  p* o; W" r! B: c6 q' S% X& u
    • τ_transistor:晶体管层面的时间常数
    • τ_circuit:电路层面的时间常数(门延迟、互连RC)
    • τ_chip:芯片层面的时间常数(跨IP路径、时钟树、NoC延迟)
    • τ_system:系统层面的时间常数(片间互连、网络、软件栈延迟)
      0 v; k8 Z5 N7 q! R& Q, Z6 c
    ) l" o2 W4 V# y2 R1 Y0 a
    α 的经验区间:移动约1.3×/年,自动驾驶约1.5×/年,AI工作负载最高可达10×/年。τ并非新器件物理的发现,而是一个可操作的延迟/时延KPI——它的价值在于统一了工艺、电路、架构、系统四层的对话语言,使得所有层级的设计决策都可以围绕"时间"来算账。/ n3 K* e8 i2 B2 l; i" @+ |) e1 R
    ( q4 ?2 u- H# T, b
    1.4  跨层次时间常数的统一框架
    ! Z* R( ]9 ~' f/ P) q* z* Y
    $ ^5 D6 e2 n; @2 R2 {: }. Rτ定律最重要的洞察在于:当工艺微缩红利消退,系统性能的提升空间主要存在于各层次之间的"接口损耗"中。传统Fabless模式下,IP供应商、芯片设计公司、EDA工具商、封测厂各管一段,层级之间通过标准接口交互——这种分工虽然高效,但每个接口都意味着时间损耗。τ定律的做法是将这些散落在不同层次、不同公司、不同供应商的优化目标重新拧成一条线,以全局时间最优为目标进行联合优化。1 X  E0 j! `3 y* y; `4 m1 I2 E1 J! I

      O2 V4 m1 W, G+ o6 e第二章  LogicFolding(逻辑折叠):τ定律的工程实现) r2 d: }# M0 B7 s, o2 V
    / r( U+ s0 u! R6 |8 v# p
    如果τ定律是理论框架,LogicFolding就是它在芯片设计领域的工程落地。黄勇在ISCAS第二天的演讲中明确表示:"今天分享的是过去几年在移动终端SoC芯片设计领域的一些工作——基于逻辑折叠的移动终端SoC设计实践。"! @0 t; x+ n  s1 Q9 W0 T
    ( v  y3 G1 ^2 F- P/ Y
    2.1  逻辑叠逻辑:与传统3D封装的本质区别
    ' ], S$ f  o2 [. r: _- E
    8 ^9 {. s8 v, Y' A产业界已有多种成熟的3D技术方案:HBM通过存储堆叠提升带宽密度,CIS堆叠实现像素阵列和逻辑的分层优化,3D V-Cache通过缓存堆叠提升特定场景性能和能效。但黄勇指出:"这些方案大多属于相对固定的结构,以及粗颗粒度的堆叠方式,它们的互联密度、设计自由度和逻辑拆分能力仍然有限。"
    ; w$ B" r. w+ ?- \8 t传统3D封装与LogicFolding的核心区别在于设计颗粒度:! r3 Q; ?4 _3 i' Y5 C
    • HBM(D2W堆叠):约1万根互连,固定功能,物理上堆叠但逻辑上各自独立。
    • AMD X3D(D2W Cache堆叠):约10万根互连,整Cache Die堆叠,粗颗粒度。
    • LogicFolding(W2W逻辑叠逻辑):远超上述量级的互连密度,在同一模块内标准单元可跨TOP/BOT Die分布——同一个IP不再仅存于2D平面,上下层是同一个IP。+ X" P7 {! a% s4 E8 f8 `
    9 m. R, N  c  ^# {, C# M6 c' f" F
    黄勇阐述折叠后的SoC架构:"折叠以后,上层Die和下层Die不再有独立的模块子系统,而是上下层通过海量互联形成模块子系统。上下层Die不再是独立的单芯片,而是一个单芯片不可分割的一部分,还能方便地实现上下层Die资源的均衡分配。"$ \" y$ [6 x, u7 l5 V4 c8 t5 l$ i
    ' J% t* T9 \/ K0 T

    , u! _6 A: K+ u" b5 e3 P1 r  \- y" ^) v5 K2 X9 y  R
    3 ?9 N% k2 y: W- _, T
    2.2  W2W Face-to-Face Hybrid Bonding- n0 D: w2 d4 F6 r! x$ Y

    8 I# K1 F; |, jLogicFolding依赖于两项核心工艺:* D1 R* _& v- I5 z' N7 [
    • Face-to-Face Hybrid Bonding(正面对正面混合键合):两片晶圆(Wafer)正面对正面,通过阵列式的铜柱(Cu Pillar)实现超高密度键合。关键指标:Kirin 2026 HB Pitch = 1.5 μm,顶层金属间距(Top Metal)≈ 720 nm,目标齿轮比(Gear Ratio)≈ 1。
    • 背面TSV工艺(Backside TSV):下层Die需要减薄,并通过跨层硅通孔实现上下Die的电气连接。引入TSV Keep-Out Zone(KOZ),会挤占部分有效面积——"+60%逻辑密度"是trade-off后的结果,不是免费午餐。: r# F+ P' v4 A5 A

    : \! m; N" h) o! k相比于D2W(Die-to-Wafer)方案,W2W的优势在于支持远超D2W的互连密度——这是logic-on-logic的前提条件。代价则是无Die级配片、无系统级冗余——无法像D2W那样挑KGD(Known Good Die),良率对键合工艺更加敏感。
    : t# K# e4 x" R6 l
    / i% E7 j" [1 O5 [. a
    . v# ]9 C, Z+ v
    % Y: j5 y5 P2 g$ k# w9 t( d5 n$ ~! s: G

    0 q* Q: f) S6 p" _& f% O: X
    9 \( |4 Z' \1 x9 b  i: ]4 N* E  P4 ^( l8 J
    2.3  细粒度逻辑分区(Fine-Grained Logic Partitioning)
    8 E% V8 U1 Z9 s7 F  \# Q$ ~5 g
    8 _: T/ S7 z* L  `* C这是LogicFolding设计理念中最核心的概念,也是工作量最大的部分。传统3D设计中,一个IP模块被打包在单个Die上("模块钉死在某一Die")。而LogicFolding要求在IP设计之初就以3D布局为出发点,同一模块内的标准单元可跨TOP/BOT分布——利用上下两层的结构,寻求逻辑链路的最短路径。1 L2 l& y; O- c0 z5 k& q
    三个关键技术要点:2 c3 G! ]/ _' c5 A2 o
    • Ultra High-Density HB(超高密度混合键合):W2W堆叠,键合点的分布密度远超存储堆叠。逻辑芯片之间的连线极其密集且位置随机,需要数量巨大的HB来互连,对堆叠工艺提出极高要求。
    • Systematically Minimized HB-to-TM Fanout Ratio(系统最小化键合点到顶层金属扇出比):由于逻辑堆叠穿过HB的是不可预知信号线且扇出众多,HB附近绕线拥塞非常严重。最小化扇出比是缓解拥塞的关键——需要在EDA算法上进行相应调整。当前国际EDA工具(如Cadence Integrity 3D-IC)的Place仍类似"打平3D成2D再做",不支持真正3D原生布局。
    • Fine-Grained Logical Partition(细粒度逻辑分区):在架构设计阶段就必须把两个Die的单元数量和尺寸控制得非常接近,否则良率和成本都难以优化。海思作为全国最大最全的Design House,具备这样的能力和资源。
      , v7 A. J. S0 y! ?8 j

    - j( w! d. w, Z1 _4 `2 i
    : O7 M& l; J! `+ i( p0 e+ o* \% H/ w9 @  J2 F' l$ T/ R& P. h
    ( P& B6 |4 |/ x- I

    0 N/ s2 _0 t& U; Q) i1 G# n2.4  SkyClock:跨Die时钟方案
    ' W. {/ l6 L+ r
    ' F; C6 f( H8 E* @, a跨Die时钟分布被多位分析者评价为"全场技术含金量最高的一页"。LogicFolding设计带来两个根本性时钟问题:
    $ X: H. H5 p5 X  v0 ~: B. J
    • STA Corner数量爆炸:TOP Die可能落在FF Corner,BOT Die落在SS Corner,跨Die的PVT(工艺、电压、温度)角组合相乘式爆炸,传统2D STA直接失效。
    • 时序窗口变窄:时序路径分布在不同的Die上,时钟路径和数据路径的延时差异偏大,时序窗口变得更小。
      & U& R3 c1 N* U- }

    # n5 x' M3 g  j2 VSkyClock的解决方案:Clock Mesh主体放在上层Die,通过高密度HB直接下插到底层Die的Local Mini Clock Tree,下层Clock Tree极简化。成果:最大Clock Skew从135 ps降至101 ps(-25%),核心时钟最大深度-42%。+ E) s! g9 j( o- V

    / I1 J' g" U* c( D* H* |
    - e) O1 z( {' f: R: ~8 B
    8 n0 y) a+ L: A' d& q) m1 S0 D7 Y3 X& I
    2.5  散热与供电管理, z. Q4 @8 J& ]8 H0 Q$ L( K, j
    " g/ X, P1 [( n% I+ `( c5 k: e5 f
    LogicFolding引入了全新的物理设计挑战:
    7 n+ y4 q3 y, y. E# j' q3 Y3 d
    • 散热(Thermal):下层Die(夹心层)垂直散热能力下降,下层减薄进一步削弱横向导热能力。解决方案是在物理设计阶段引入热感知的Partitioning/Floorplan/Placement——将上下层Hotspot错开布局,降低折叠后的峰值功率密度;同时优化封装散热方案。根据PPT数据,优化后的散热曲线比传统3D堆叠更优,与2D平面结构接近。
    • 供电与电源完整性(Power Delivery & PI):HB既要服务信号Mesh又要服务PDN(供电网络);多电源域TSV管理;全芯片PI Signoff复杂度急剧上升。折叠架构引入的Complex PDN问题需要从设计和仿真全链路解决。6 O# j7 q3 p5 o' g2 h

    * c5 `# S, d/ _. {# p
      F2 S+ V; B( t, k4 \0 E& Y, y5 P
    5 G, Y( d: H5 Z$ y: h+ w) j" u% G$ C! D

    ! r$ |( |  t: V2 K5 T& _5 W1 R/ z1 {* ]7 y
    5 \; f8 S8 G1 q  \$ P: r/ ~8 A
    $ Z( E1 Y# O: Z/ s
    2.6  DSP案例的PPA数据  }/ p/ F2 Z2 V) R+ H# a

    : g7 P* q, z- s" d9 C/ P黄勇以一个基带DSP模块为例,展示了LogicFolding相对传统2D设计的收益(这份数据被多位分析者评价为"只能用震撼形容"):
    + K) l8 z2 \7 k8 D- j
    , B. K# ]5 m8 E" i2 t
    指标相对2D的变化
    Die面积-40%
    主频+37%
    总功耗-24%
    Buffer数量-56%
    线长-25%
    线电容-34%
    时钟树面积-19%
    时钟线长-28%
    时钟电容-56%
    核心时钟最大深度-42%
    最大Clock Skew135 ps → 101 ps(-25%)

    ! U' a, V) W2 W  J关键物理路径缩短数据:SRAM访问黄色路径从676 μm降至307 μm,红色路径从570 μm降至约10 μm以内;逻辑到逻辑最长的关键路径从680 μm降至451 μm。2 G7 Z8 ?$ q2 c0 e! h$ L8 Z! @4 p
    一个DSP IP的纯路径优化就这么多收益——"芯片设计发展了这么多年,逼近摩尔极限又喊了这么多年,突然天降一个升维设计方案,能降低这么多信号路径。"
    ! K1 N2 O+ U$ D' |3 v
    ! z" p4 c. T# x$ F: g2.7  芯片级性能收益与路线图
    . V$ ?2 r- m& u  L" e
    . Z" b! |2 X$ P0 z! |) {+ B: b& p基于麒麟2025年产品(未指明具体型号)为基线(=1),公布的全芯片级收益数据:
    ! a; B) b9 s% @* D- U6 M& \( u1 S7 L, ~8 c
    指标2026年2027年
    晶体管密度(Chip Level)+60%+70%(2028年+80%)
    CPU单核性能+15%+44%
    CPU多核性能+24%+56%
    GPU性能+38%+87%
    NPU性能+140%+213%(绝对性能3.1倍)
    CPU能效+12%+34%
    GPU能效+40%+78%
    NPU能效+81%+118%
    8 {1 y8 f0 J- ^
    密度路线图:LogicFolding(2025年基线=1)2026年1.6×、2029年1.8×。对比Leading Foundry(2020年基线=1):1.5×(匹配节点)→ 1.8×(1.4nm节点)。华为给出的对比结论是——用逻辑折叠做到了与先进制程演进同等的密度收益。
    0 z% j6 I( `* W" b5 D0 M7 _' Q. ~6 J2 |! d& l# _% x. ]

    ) @# N' u) f5 r8 ^$ Y
    ' T% l, Z( l3 m0 P- D+ l3 k% k3 z, j! M! A  Z# V. x3 {2 S) ]
    第三章  IP-EDA-工艺全栈重构4 T9 ^. e- h8 w/ K

    . B8 _- g9 e$ RLogicFolding从概念走向真实芯片产品,面临的根本挑战不在于某一环节的优化,而在于"整个工具链和设计方法学都需要从零重构"。黄勇在演讲中坦陈:"应该需要很多年才会有完善好用的工具链,现在的工作必须在工具很不成熟的条件下完成。"
    4 r/ p8 S! B* I
      S# q! f1 E- B& i& Y% P0 H: l3.1  3D原生IP设计:从黑盒到协同
    2 b1 t5 }- J5 S! h& C/ V8 M6 _
    2 _, q$ l/ _/ S% Y! @传统的Fabless芯片设计是以平面IP为核心进行的。Arm IP拿过来,不管怎么封装,它都是一个区块一个IP。在2D设计的成熟链条中,各方交付的是一个黑盒:接口固定、时序固定、修复机制固定——"我交付了,你别碰我内部"。) {0 v/ h8 m( T6 c* B
    LogicFolding彻底打破了这一模式。同一个IP不再仅存于2D平面,而是在上下两层Die上协同工作——这相当于给芯片设计升维了。一个SRAM IP在折叠设计中,某些Bit-Line/Word-Line因3D折叠变短,访问频率可以提高;某些Bank因为热环境不同需要更细粒度的监控;跨层路径因为Bonding Variation需要额外Margin。传统的黑盒交付模式无法满足这些需求——你需要SRAM为了你的3D可靠性和全局时间目标去改内部逻辑、改错误恢复、改冗余结构、改上报语义。
    ( u$ J/ C1 x2 t. @8 E这就是τ定律被称为"只有海思能做"的原因——海思被迫在过去几年把软件栈、指令集、关键IP、SoC集成、互联协议、先进封装、3D集成、系统Fabric全部做到自主可控,从而拥有了"命令各个层次的架构师为了全局τ目标而改动内部设计"的权力。这是全栈自研在商业逻辑上的自然延伸。
    7 g8 m7 k6 N# v5 n9 C  G4 q& Q' @$ V1 ~
    . i0 w2 `) w3 d* a' F# _/ A
    ! }  ~* n8 F6 [8 q2 j7 `

    " }5 s! J: n% |* K- ?2 V3.2  EDA工具链:从"假3D"到"真3D"
    * U# N& q7 H8 o$ H/ Z% ^5 u# J/ e1 K$ Q+ t$ k6 {
    "设计流程和方法学是逻辑折叠遇到的最大挑战。从平面转向立体空间,不再有成熟的工具链支持。"黄勇在演讲中直接点出了EDA的核心问题。
    : \6 `3 ?* y+ U) N5 Z当前国际主流EDA工具对3D设计的支持停留在"伪3D"阶段——将3D设计打平成2D后在每个Die上各跑2D工具,优化目标仍然是单Die内的时序、功耗和布线拥塞。而"真3D"(True-3D)要求:: ^$ s# m3 @8 t" A, Z
    • Cell-Level 3D Placer:标准单元可在Module内跨Die摆放,以全局目标函数进行优化。
    • 3D CTS(Clock Tree Synthesis):如SkyClock方案的自动化实现。
    • Cross-Die STA:处理跨Die时序路径的Signoff。
    • 3D Power Grid分析与PI Signoff。
    • 多层Die统一的Partitioning / Floorplanning。
      9 ^+ c9 Q  z+ {) s
    4 y$ j& A, {  E8 ~. V# O! _( F
    学术界已有重要进展:北京大学团队的早期真3D流程结果显示,相对"伪3D"方案,线长减少约30%,WNS改善6%,TNS改善12%,峰值温度仅上升不到3%(近乎无损线长)。华为目前的Enhanced EDA+Multi-Die Co-Opt Loop(含良率联合优化)正是在这一方向上推进。考虑到何庭波明确写的麒麟2026和2027已经在Silicon阶段,说明华为已经在不成熟的工具条件下完成了流片——投入之巨大可见一斑。2 [8 J! O5 b) V! q4 D8 ], L" `6 R4 V

      L& w; _  B, R6 r$ R3.3  跨Die静态时序分析(Cross-Die STA)
    7 A3 x& P* X6 t1 `$ \  O* \$ S! W
    跨Die STA是3D签核的核心痛点。传统的时序分析基于PVT Corner组合,但在LogicFolding中,Top Die和Bottom Die可能处于完全不同的工艺/电压/温度角——导致Corner组合数量级上升。华为公布的解决路径包括:SkyClock方案压Skew;Cross-Die Clock Skew Minimization Techniques;以及多Die统一的时序建模方法。8 `8 e! u6 q3 W. k5 ^7 u
    黄勇在演讲中还提到时序收敛(Timing Closure)——LogicFolding不仅增加了Corner数量,还因为跨Die路径的物理延时差异增大而使时序窗口变窄,对设计和Signoff都提出了更高要求。, N6 z% A$ `1 F& ?1 W6 Q) a
    $ r$ K. M5 a4 k
    3.4  良率模型与成本分析4 \1 t' n; Y9 l2 z! v6 d

    / g9 _6 n6 P$ @9 W) {% d折叠良率的公式为:Y_Folding = Y_Top × Y_Bottom × Y_Bonding。三个因素相乘,直觉上良率应当远低于单片2D方案。但华为指出了几个关键的反直觉因素:2 ^* y7 O' U& {0 H5 N: D4 o- |
    • 单Die面积变小:折叠将一颗大Die拆成两片更小的Die,在Poisson缺陷模型Y=exp(-AD₀)下,面积减半意味着单Die良率≈√Y₀。两片独立良率相乘回到约Y₀水平,再乘以键合良率(接近1时),整体良率可与2D单片相当。
    • 工艺爬坡成果:Kirin 8000/8000A已下放到畅享90系列千元机,N+2/N+3工艺的实际良率远好于外界传闻——能做Binning本身就是高良率的证据(Binning的前提是绝大多数Die是好的)。
    • DFY(Design for Yield):华为在设计中引入了Smart Redundancy等DFY方案。
      7 r2 g# y. G1 v( n- k# x: ]

    8 f6 Y: ?8 z7 `/ q* f4 T但良率模型的限制同样明确:在手机2层小Die上可行,不等于推到大面积AI Die上同样成立。华为在Cost & Yield一页只给公式、不给任何具体数字——这恰好是"华为自己也还没填上的那一格"。3 x( _& m; i0 B# Y. `7 O
    8 {9 d& E; G& L- n1 a: O, D% C3 K
    ; T& |  O! x3 U9 S& @. q+ X% s
    " V" _7 U0 e2 ~& I2 k
    + ^# v/ L5 o. Y2 \
    第四章  实践验证:麒麟2026/2027流片. C/ V6 m2 `& U
    # H  S/ G8 t: {

    7 K( O" L' T3 z. z$ x6 ~4.1  手机线LogicFolding已经进入Silicon阶段
    / O$ s  k! R; Y. O" D) T* R* W0 u& b4 S& M! `" b
    何庭波在ISCAS 2026的发布会上明确写道:"麒麟2026和2027已经在Silicon阶段。"黄勇次日演讲的性质是"分享过去几年在移动终端SoC芯片设计领域的工作"——用现在完成的语态描述已完成的工程实践。可知LogicFolding不是PPT方案,而是已经完成了至少两代产品(2026/2027)的设计和流片,其中2026款已进入工程测试阶段。
    . S+ y' a2 M# l1 ^9 h( B8 t& k公布的2026年芯片级关键指标:P-Core能效+41%、最高频率+13%、主频达3.1 GHz。这些是Silicon Measured数据而非Simulation——验证了LogicFolding从设计到制造的整条路径已被打通。- n" z9 d5 y4 |$ t
    "如果它还没落地,我会说这东西要实现,必须IP从零开始,要把IP-EDA-工艺全通了才行,实在太难。但是他在发布的时候,麒麟2026和2027已经Silicon了,所以我无可反驳。"——分析者评价
    ) i. P9 W# _4 D, _
    : K; A: n# R( l$ i( }4.2  制程现状的重新评估:N+2/N+3的良率证据" w- I7 Q# K1 K/ \

      m6 c$ S( ~5 _( E1 e" `( k- W. W通过华为目前在售手机的芯片配置,可以反推各制程节点的实际良率状态:5 n+ Y9 ]/ i/ t4 d" O6 N7 |- \
    • Kirin 9030(N+3 DUV)用于Mate 80旗舰。
    • Kirin 9010S(N+2 DUV)用于Nova 15 Pro等终端走量机。
    • Kirin 8000/8000A(N+2)用于畅享90 Pro起售1699元的千元走量机。
      % `" q* v( s% m3 b# s* B* y+ ~( B
    2 |: g$ r! D6 Z! t- w
    关键证据:8000A作为残血版放在更低价的畅享90中,这是典型的Binning策略——Binning的前提是绝大多数Die是好的,只把分布尾部的边缘片做小阉割。如果N+2真是传闻中的灾难良率,它根本塞不进一台还要走量盈利的千元机。" w; R  T6 ~2 Y+ q
    5 ^! P, r7 f5 q5 [
    6 |9 K' p0 }) A1 x5 h  ^( T
    第五章  数据中心线:鲲鹏CPU与昇腾SuperPod( Y  r+ R2 t7 ^8 ~+ i, F

    ! w& c  R8 u, e4 r4 Hτ定律的叙事分两条线:手机线(Kirin LogicFolding)解决"在受限制程下如何持续提升能效";数据中心线(鲲鹏CPU+昇腾NPU)解决"在AI大算力场景下如何打破互联瓶颈"。/ G! w3 X9 ?# c) E! H

    6 u7 M: F) r9 g1 y" e$ l5.1  Circuit Folding与Chip Folding+ i* k) C: \  c8 v. J, H) B  d

    % n; s- H1 Q' F7 w; p在鲲鹏CPU上,华为使用了两层折叠策略:
    " y' F; w( H7 `$ x6 m; |$ y
    • Circuit Folding(电路级折叠):不升级工艺节点,仅通过3D折叠优化关键路径。Reg2Reg从1.0L缩短至0.4L(代号Project Tiramisu),2.6 GHz基线提升至约3.2 GHz——其中线长贡献+468 MHz,CTS贡献约+100 MHz。证明5nm以下互连延迟>门延迟已成为高频设计的核心瓶颈。
    • Chip Folding(芯片级折叠):Kunpeng 950的2.5D Edge I/O从12k Pins(40 μm Bump)升级至3D Area Array的1.2M Pins(20 μm),互连密度提升100倍。核心数从64增至96,LLC从1.7 MB扩至2.8 MB,SPECint提升+78%,能效+37%。
      1 q3 S. C8 D% v2 S9 l
    + u3 |0 G) l# t/ h5 ~4 K' |

    % I0 o  X6 V! y; m. X
    指标Kunpeng 950Kunpeng 960(目标)
    核心频率~3.2 GHz4.0 GHz(+54%)
    核心数96待定
    金属层28层(Skybridge)42层
    堆叠方式2 Die W2W HB3 Die
    HTL密度>200/mm²
    主要瓶颈Gear Ratio需≤3

    2 [. ?' n! j; F* g. D  Y  }Kunpeng 960的目标是4.0 GHz——华为明确表示"4GHz不是口号,路径存在",取决于工艺迭代和Gear Ratio的改善。
    ; W0 ]( u. W8 x/ L1 b9 O/ V) ^9 }# e/ [5 @
    5.2  Unified Bus:用系统架构换时间
    7 a5 W! w% W% m& o+ d* A! r; D. }' T* ~/ C  z
    Unified Bus(统一总线,UB)是τ定律在互连层的核心实践。李博杰(前华为研究员)通过OpenURMA开源项目对UB做了全链路实现与评测,揭示了UB是"靠架构不靠工艺"换取性能的典型范例。* U7 F- S0 b, M
    传统RDMA网卡挂在PCIe后端,一次远端访问的关键路径上要走五趟PCIe(Doorbell→DMA取WQE→远端读→本地写→CQE写),光这五趟就约1650 ns。UB将控制器直接放上片上总线,CPU的一条Load/Store指令本身就是Verb——那五趟PCIe直接消失,只剩约30 ns的片上总线穿越。端到端延迟对比:UB Load/Store ~500 ns vs RoCEv2 ~2236 ns——快约4.47倍,没有任何工艺变动。
    / r- d8 J% E' k7 M更关键的是连接状态的扩展性:传统RDMA每张网卡维护的连接状态是O(N×M),UB拆分为O(N+M)。在1024×1024规模下,UB仅需110 KB SRAM,RoCE需要537 MB——省了约4855倍的状态量。吞吐方面,UB提供分级Ordering语义,WR吞吐高2.80倍。* z% U& `; c0 Q. R
    "4倍延迟、4855倍状态、2.8倍吞吐——没有一项依赖新工艺,全是架构重构的结果。这才是'时间缩微'最该被看见的形态。"——李博杰
    7 x4 e; n$ f6 B4 F9 z7 n* ~* z& F& e& _5 I" u
    5.3  Hi-ONE光互联与SuperPod演进
    , Q2 _2 m/ J; V" o& c/ _
    # a/ `) y# e0 t7 i) V4 ~2 C! u在昇腾SuperPod的Scale-Up互连上,华为引入了Hi-ONE光互联方案:8 Tb/s每芯片每方向、224G×36 Lane、电SerDes距离从100 cm缩短至5 cm、机柜级100 m级光学Reach。UB实现的远端访问从数十μs降至100 ns——约500倍的延迟缩减。5 D) O; \- |0 W1 k* D, m
    . d; Q; i5 v. W5 A3 s+ b
    代际NPU数量聚合带宽关键特性
    Ascend 910C (2024)384301 TB/s电互联
    Ascend 950 (2026)8,19216.3 PB/sUB + Hi-ONE
    Ascend 960 (2028)~16,384>16 PB/s光学规模
    Ascend 990 (~2030)待定待定LogicFolding进AI大Die
    & h4 p, @. |6 c
    ( H& M6 e) X0 f6 O" n6 |; R% k
    5.4  Ascend 990:LogicFolding进军AI大Die, [! `" ?" n) a
    + P! |/ {. I6 N# H8 [
    这是τ定律叙事中远期最大的"赌注":将手机2层小Die的LogicFolding技术推广到约700 mm²的AI加速器大Die、进化到3-4层堆叠。在手机端,小Die的缺陷良率回收(面积减半→单Die良率≈√Y₀)是代数上可行的。但在700 mm²大Die上,大面积本身就是缺陷良率的灾难区,Y₁×Y₂×Y₃×Y₄的复合将面临巨大风险。所有技术细节都很详细,唯独良率一页只给公式不给数字——这恰好是华为自己也还没填上的那一格。手机端,他们很有信心;AI端,那场仗才刚开始。2 w: W7 l# f( F6 Z6 N  c2 A

    % U9 W5 s; L3 V. {第六章  全栈联合调优:τ定律的独占性优势& r: Y1 B9 p2 o( h0 T) b& \

    ; Q: H" q8 T( G/ Y9 \
    ! f/ A* G/ \! M6.1  为什么只有海思能做?+ k& q/ p) s& r- B0 s5 H9 h% @9 Q
    + S% C4 n' t# Z' `& t
    τ定律和LogicFolding,表面上是定义了一个全局时间的优化目标。但这种"全局最优"的实现,需要的不仅仅是技术上的可行性,更是一个其他人难以复制的组织条件:全栈可控。. n$ P) z  j& i  @5 H
    在大多数芯片公司里,芯片设计是一场漫长的拼图游戏。CPU Core是一个IP,NPU是另一个IP,DDR Controller、PCIe、SerDes、NoC、安全岛各是一个IP——每个IP都有自己的交付合同、验证边界和可靠性假设。你可以把这些模块摆得近一点、连得密一点,但你很难要求它们为了一个全局τ目标,把自己的内部逻辑、状态机、容错策略一起重写。这不是技术问题,是商业协作、验证责任、交付节奏上的不可行。
    + c5 N3 J" C- D+ `9 {  y1 U5 k' A华为海思在过去几年被迫走了一条特殊的路:软件栈自己做、指令集自己定义、关键IP自己掌控、SoC集成自己扛、互联协议自己推、先进封装和3D集成自己打通。这条路当然很苦,但苦到最后会形成一种很特殊的技能点——"从指令集到散热膏"的全栈联合调优能力。
    & K- p* ]; ?7 b
    ! P7 {+ q6 P" R9 W6.2  IP黑盒问题的突破
    6 |( E: Q0 e% d; u* u! U2 F0 I1 a" C4 l1 _# d" q
    举一个具体的例子来说明τ定律独占性的来源。假设一家创业公司也想搞3DIC,它从一个传统IP供应商外购SRAM IP。正常情况下,这个SRAM交付的是黑盒:接口固定、时序固定、修复机制固定、能跑多少频率就是多少频率。但在LogicFolding设计中,这个SRAM需要:因为3D折叠变短而调高访问频率、因为热环境不同而增加Bank级监控、因为Bonding Variation而添加额外Margin、因为某些故障需要从Fatal降级为可通过Redundancy+Firmware修复。
    6 p. V0 b4 w, f6 Z1 X# b6 r8 ^要SRAM为你的3D可靠性和全局τ目标改内部逻辑,等于让它把黑盒打开重新参与你的系统架构——这对传统IP供应商来说,技术上可行,但商业上不现实。海思能够做到,是因为它控制了全链条——NoC、内存系统、固件、驱动、调度器都在手上。发现某条跨层Link不稳定,硬件可以标记,NoC可以绕路,固件可以记录拓扑,驱动可以报告给Runtime,调度器可以避免关键任务——系统把它当成"性能降级但仍可用"的资源,而不是"坏了就死"的故障点。
      f3 q+ ~- L: h
    - W( I! N2 f% Z6.3  芯片设计与软件的垂直打通( l' G  w, r/ q( s

    " j0 F8 T7 C% W+ t1 v"τ定律不只是制造的事"——李博杰在分析中指出,τ定律的真正价值不在于"等效1.4nm"的制造口径,而在于它终于给"用系统级的时间优化换性能"这件事正了名。过去十几年算力的大头增长,很多来自于架构创新(GPU/NPU/专用加速器)、片上互连演进和系统软件优化——不是来自新工艺。Unified Bus的500 ns vs 2236 ns就是一个"架构>工艺"的干净证明。5 ~# a! ?) A/ Q) ^& b# |: Q
    这种从制造延伸到架构和软件的视角,要求从业人员必须跨越传统的专业壁垒。华为当前的组织架构——从指令集(灵犀)到芯片(Kirin/Kunpeng/Ascend)到互联(UB/Hi-ONE)到系统软件(openEuler/MindSpore)——天然适配这一需求。
    ! n+ D2 P" n  C3 L- T% s
    ! p. k8 u3 j) i* T. V6 m0 g第七章  对后续半导体领域的演化推演与预测
    5 ^% |) t2 f; b6 h% `2 h; A7 R0 D$ D7 X$ z# P$ q4 a
    基于上述技术分析和华为公布的实践数据,以下对后续先进半导体领域在IP、EDA、工艺三个层面的演化进行合乎逻辑的推演。
    , B" [+ V# S1 m6 Y5 ^7 ^! O: H' s0 N& C% t% }8 W0 W
    7.1  IP层面:从平面IP到3D原生IP的范式迁移6 V+ c( b3 L' ^

    + V6 [1 Z% f0 m& v( f8 H推演1:3D原生IP将成为一个独立的设计品类+ |2 d) [4 i4 W% E+ v# E
    未来5-7年,"2D平面IP"和"3D原生IP"将分化为两个独立的设计品类。3D原生IP不是简单地在两个平面IP之间加TSV——它要求IP内部的逻辑链路、物理布局、时钟单元和供电网络都围绕跨Die最短路径重新设计。这意味着IP供应商需要从"交付黑盒"模式转向"交付可配置白盒"模式——至少在3D设计的关键路径IP上。这一转变将首先在存储相关IP(SRAM、Cache)和高速接口IP(SerDes、DDR PHY)上发生,因为这些IP对RC延迟和热环境最敏感。+ d/ }1 O# c* a9 a. ]
    推演2:IP授权模式将从"买IP"转向"买IP+3D协同设计服务"# t% W6 D1 o# a: t; s3 @) n" f
    对于外购IP的Fabless公司,黑盒IP在3D设计中将成为瓶颈。未来的IP授权可能包含两层:基础层是标准2D交付,高级层是支持3D协同设计的"开放接口IP"——允许客户在NDA框架下获得IP内部的关键时序和物理参数,以用于跨Die联合优化。这一模式虽然增加了IP供应商的开放风险,但在3D设计成为主流的趋势下将不可避免。9 P8 C! P3 e! S- R

    $ b- {. y8 @# m' D( d7.2  EDA层面:真3D工具链的加速成熟
    6 f2 K& s; h4 X, T! \# u& ~+ P- z# R9 p: S  b
    推演3:Cell-Level真3D EDA工具将在3-5年内形成初步商用能力
    : y% K6 j" _4 h1 Y7 c7 U) Q6 @当前的"伪3D"EDA方案(打平3D为2D后独立优化)只能作为过渡方案。随着LogicFolding的麒麟2026/2027已经流片,说明了在不成熟工具条件下已经可以完成设计——但成本和周期一定远高于成熟工具。这一现实需求将驱动EDA行业加速"真3D"工具的开发。关键技术节点包括:9 _" n: K7 \- q7 G0 D7 @2 c
    • 3D Placement:基于全局3D目标函数的标准单元跨Die布局引擎。
    • 3D CTS:如SkyClock方案的自动化实现与优化。
    • Cross-Die STA:多Die统一的时序建模与Signoff流程。
    • 3D Power Grid Analysis:多层供电网络的协同仿真。
    • Thermal-Aware Optimization:3D布局中的热感知自动优化。7 ]* T2 Q/ z3 x( _) }! `' l
    ) |4 c- o  F3 U# |
    北大团队早期真3D EDA原型的线长-30%结果已经验证了方向的正确性——从学术原型到商用工具的工程化将是未来3-5年的主题。国内EDA企业如华大九天、概伦电子等在这一方向上将有先发优势——因为他们可以直接与海思的3D设计需求对接迭代。
    ; }' X. {0 s8 F5 [6 p0 B推演4:AI驱动的EDA优化将成为3D设计的使能技术
    2 C: K% g/ S7 K' ]( Y+ D) a3D设计的搜索空间是2D设计的指数级扩大——Partitioning×Placement×Routing×Clock×Thermal×PDN的联合优化复杂度远超现有工具的处理能力。AI/ML驱动的优化(如强化学习Placement、GNN辅助时序预测)在3D场景中从"锦上添花"变为"必要条件"——没有智能搜索策略,人工调参不可能覆盖如此高维的设计空间。" r* T, _/ d% }; g4 j5 Q
    . E  l6 i% |  U6 Z- y
    7.3  工艺层面:国产与全球化路线的分叉
    " W' [9 C  l/ w9 r+ g$ h
    ; A3 L* c, E  f* u推演5:全球半导体工艺路线将正式分叉
    # z6 d$ ~; r  F0 @6 u+ g$ U1 qLogicFolding的提出和工程验证,标志着半导体工艺演进不再只有"把晶体管做小"这一条路。在DUV多重曝光接近尽头后,"逻辑堆叠"+Dual Wafer架构形成了与"继续推动EUV/High-NA EUV"平行的技术路径。! ^. _* c1 [5 Q" [( [% x3 b5 |* z; j
    全球路线分叉的具体内涵:* p3 A2 }: `4 L9 T+ }: B" F7 l
    • 全球化路线(TSMC/Samsung/Intel):继续推进GAA/CFET先进制程,3D方向以HBM、Chiplet、先进封装为主——"把盒子叠起来"。粗颗粒度、相对固定的结构,不改IP内部。
    • 国产路线(华为/海思+国产Foundry):在DUV工艺限制下,以LogicFolding为核心——"为了盒子叠起来以后还能可靠高效地工作,把盒子里面也一起改"。细颗粒度、3D原生IP、W2W逻辑叠逻辑。& V0 [" a2 F# O1 W

    # I$ b' y1 T) m' k2 G8 Y" m"之前一套流程能给全球所有设计厂商用的时代不存在了。至于分叉之后,结果是什么?五年后,我们来看看吧。"——分析者评价( z& w: r3 g2 y& I' M) P% S
    推演6:先进封装和键合精度将成为新的制程竞赛焦点
    $ j) l1 V* S$ \当几何微缩受阻,竞争的焦点将部分转移到封装和键合领域。W2W Hybrid Bonding的对准精度(当前~1.5 μm HB Pitch)、晶圆平整度(Z轴一致性)、减薄工艺(应力控制)、TSV深宽比的持续优化,将扮演和光刻精度类似的"制程指标"角色。在这些参数上的进步,将直接决定LogicFolding能堆多少层、能推多大的Die。
    2 M" b4 m, m! r4 B9 e/ T, y6 Q8 A. t  w
    7.4  产业链格局:从分工到整合, J6 P; B  O/ P+ y- v

    ) v, f! W  F+ e( K" T6 D5 v" i推演7:垂直整合模式将在先进半导体领域获得竞争优势
    : A, e4 F! G) G8 `2 f& f过去三十年的Fabless+Foundry分工模式,建立在"标准平面工艺可以被所有设计公司共享"这一前提上。当IP、EDA、工艺需要为3D设计而重新耦合时,高度分工模式的内在矛盾会被放大——需要一个"中央集权"式的技术主导来全局优化。这意味着:6 X- ]) E& w* H! h* O! c
    • 拥有自主IP+自主设计+自主EDA合作的芯片公司(如华为海思)将在3D设计上拥有结构性优势。
    • 依赖外购IP+标准EDA工具的Fabless公司将面临3D设计的进入门槛。
    • Foundry需要提供更深入的设计协同和封装能力(类似TSMC的OIP生态,但还要更深入),否则无法满足3D客户的需求。. K6 [& W! V- v7 m' R5 L4 e

    , v; s+ i- N+ N推演8:国产产业链的内循环迭代将加速+ g7 C, C3 ?. j  P
    华为已经展示了"在受限工艺上的创新设计可以追赶甚至超越先进工艺的收益"这一路径。这一路径的成功验证将产生两个连锁反应:一是更多国产芯片公司跟随LogicFolding路径,驱动国产IP和EDA生态加速成熟;二是设备/材料/封装的国产供应链因为市场需求端的拉动而加速技术迭代——形成"设计创新→工艺需求→设备研发→良率提升→设计再创新"的正循环。
    3 H4 X$ A- s2 L8 r
    . k0 c5 q# c* K, p  ?' M  s# N7.5  时间线预测3 x. y  J3 y9 p  K0 S

    , P3 \& B3 y  q6 I" i
    + S! {5 W, h& a% t% [9 x4 k: V8 `
    时间关键事件预测
    2026 下半年Kirin 2026流片公布Dieshot,验证是否双层Logic结构、HB Pitch ~1.5 μm
    2027Kirin 2027量产搭载Mate 90,2层LogicFolding在小Die上形成量产曲线
    2028Kunpeng 960实现4.0 GHz,Circuit Folding+3 Die堆叠走向成熟
    2028-2029首款商用真3D EDA工具链出现(国内企业占先机);3D原生IP开始商业化交付
    2029-2030LogicFolding+3-4层堆叠在AI大Die(Ascend 990)上验证——τ定律叙事最关键的一步
    2030-2031全球3D逻辑堆叠成为主流设计方法之一;国产路线与全球化路线差距显著缩小
    2031+5nm以下制程+3D堆叠的混合方案成为现实,等效密度超越1.4nm
    ( ~6 S  J* Z1 S! j

    1 J+ q, `, g9 ~- `第八章  结  论% x9 {! ^) t5 A7 R/ b

    2 h" a% f  {: S: T7 T' Y% c韬(τ)定律的提出,是半导体工业在"几何缩微"路径减速后,第一次有企业提出了一个完整、可操作、经过硅验证的替代性系统设计方法论。它不是新物理定律的发现,也不是新器件的发明,而是"优化范式的迁移"——将性能提升的动力从"把晶体管做得更小"转向"把信号路径做得更短"。
    4 K8 ^1 L4 @2 |: W( Y4 R" Z6 K这一迁移的工程载体——LogicFolding(逻辑折叠)——已经通过麒麟2026/2027的流片证明了可行性。芯片级晶体管密度+60%~80%、DSP模块面积-40%+频率+37%+功耗-24%的实测数据、以及从手机到数据中心的完整产品路线图(Kirin→Kunpeng→Ascend SuperPod),共同构成了τ定律的实证支撑。
    - E' Q- s9 e) ]$ m2 P# vτ定律的独占性不在于某一项技术的原创性——Hybrid Bonding、TSV、3D-IC、STCO都不是新概念——而在于华为海思被迫走上全栈自研道路后,获得了"命令所有层次围绕全局时间优化而改动设计"的权力和能力。这种能力不是任何一家Fabless公司可以通过购买IP或授权工具来获取的。8 K5 |3 F: l/ o6 E  [  A
    对后续半导体领域而言,τ定律的意义在于:它为中国在受限工艺条件下的半导体发展提供了一条可行的、可持续的、经过实证的技术路径。这条路径不仅包括芯片设计的范式升级(从2D到3D原生),还将驱动EDA工具链、IP商业模式、封装工艺、甚至产业链组织结构的系统性变革。% v' L: a1 p9 z7 A1 O' D
    麒麟2026/2027的流片验证了2层小Die的可行性——这是最重要的第一步。接下来最大的考验在于:将LogicFolding推广到700mm²级AI大Die的3-4层堆叠。手机端的成功回答了"能不能做";AI大Die考验的是"能不能做到大"。
    / U+ p6 k/ u) p" S后者的难度是指数级上升的——良率、散热、供电、互连密度、信号完整性——每一项在大面积多层级上都会变得截然不同。% x5 w' N5 ]  H; n+ }/ E! j; M
    "过去几十年芯片全球化的发展,虽然是工业皇冠上的明珠,但一代下来积累的屎山不算少,而且Fabless模式的细致分工,虽然减少了各环节的投入成本,但是职责分化也让各环节的壁垒加深。当摩尔定律走到极限时,不管是国产路线还是全球化路线,都要开始寻求IP层面的突破,3D设计是大势所趋,这个级别的革新双方的起点是相同的,都要重新开始。"! k3 R4 h) U7 x
    * k- [+ k  F) L
    参考来源  p8 t1 D3 }+ P# N
    . ?. f! d4 a4 H
    1. 何庭波 (2026). "A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems." IEEE ISCAS 2026, Keynote Session.
    1 i: |$ K8 \" d' o& K2. 黄勇 (2026). "基于逻辑折叠的移动终端SoC设计实践." IEEE ISCAS 2026, Technical Session.(B站IEEE中国全程回放)( \, i* Z& P" ]+ M; ?
    3. 华为官方PPT:LogicFolding for Mobile Terminal SoC, ISCAS 2026 Day 2.
    ! j0 y  u3 ^0 y! p/ l( S, ^4. 咸鱼小山 (2026). 知乎回答:华为在ISCAS 2026介绍逻辑折叠LogicFolding工程思路细节.
    & m% t; q/ @, S  f, C# A  N" I3 R8 M5. Bill (2026). 知乎回答:华为在ISCAS 2026介绍逻辑折叠LogicFolding工程思路细节(技术分析).
    ' B8 Y' P  I# H6. 栖于永夜 (2026). 知乎回答:W2W良率分析与SkyClock跨Die时钟方案.! x0 c, u% O% x* R9 ?
    7. 李奇 (2026). 知乎回答:EDA/工艺分叉讨论,3D Partitioning分析.
    0 R3 H$ @2 [% J- Q- p8. i0nium (2026). 知乎回答:Thermal-Aware Partitioning和封装散热分析.
    7 O2 ]; Z+ P! g# l6 `9. 李博杰 (2026). 知乎回答:Unified Bus系统架构角度分析. OpenURMA开源项目: github.com/bojieli/OpenURMA( Q5 |  t" c: T
    10. 乱序摸鱼 (2026). 知乎回答:全栈联合调优能力分析.' P7 G$ ?6 X* c- l# e
    11. 华为此前公开技术规范:Unified Bus Protocol Specification (2025).& w$ {4 X+ P/ T- B0 x8 M" |
    12. 北京大学团队真3D EDA研究:线长、WNS、TNS、热仿真对比.
    $ o* [, y- l  ]13. 华为官方新闻稿及多家媒体报道(光明网、搜狐、凤凰网、CCTV等).

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  • TA的每日心情
    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    [LV.10]大乘

    沙发
     楼主| 发表于 2026-5-28 17:47:23 | 只看该作者
    这是搜集了资料之后让agent重新组合形成的分析文章,修改格式,上传文字和图片也是agent做的
    7 H: W. @: @+ X; X% s. L: f1 p5 t7 T+ ?$ U- b
    试了下好像感觉还可以

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      发表于 2026-6-2 21:37
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      发表于 2026-5-30 03:44
    给力: 5 涨姿势: 5 不负本宫的欣赏: 0
      发表于 2026-5-30 03:03
    油墨: 5 油菜: 5 给力: 5 涨姿势: 5 这真是极好的: 5
      发表于 2026-5-28 23:43
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  • TA的每日心情
    奋斗
    5 小时前
  • 签到天数: 2979 天

    [LV.Master]无

    板凳
    发表于 2026-5-28 23:30:54 | 只看该作者
    提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:( R1 C$ r, L4 z5 k; p. z# ]0 [+ f

    2 i$ d3 Q! o7 V- T
    Face-to-Face Hybrid Bonding(正面对正面混合键合):两片晶圆(Wafer)正面对正面,通过阵列式的铜柱(Cu Pillar)实现超高密度键合。
    , _: k# F  @! Y4 N% r6 S$ q
    $ s5 R' f7 v8 [1 o' ?# L
    如何实现?是先分别在两片晶圆上制造电路,然后通过铜柱连接在一起,还是先在一片晶圆上制造下层电路,然后布设铜柱,再制造上层电路,最后把第二片晶圆扣在最上面?第一种方式对精度要求是巨大挑战,第二种方式个人感觉目前不可行。
    2 z7 x- x* _7 g2 i9 g* W- H* _3 |) k/ G5 l' S* H
    读后感:这种方式对散热,时钟,电磁效应是巨大挑战,也就是对设计的巨大挑战,在AI之前是不可能的,现在借助AI才成为可能。最后对良率也是巨大的挑战,估计开始阶段的良率会低的可怕,如文中所述,只能分散到不同产品线,也就是华为借助中国消费者对华为的支持,才能cover住成本。! c, P4 l) `* `$ H% m8 ^
    + i' ~* o' n3 ~' k& P+ T
    也如文中所述,这和传统的芯片设计制造就是两个路径,这相当于芯片设计制造的微观世界里的全国一盘棋的计划经济模式。估计早就有人想到,但恐怕真的只有面对生存危机,受到全国全产业链支持的华为才能走通。而这一旦让华为走通并且发扬光大,那未来芯片业就要变天了,很多小IP设计公司要么被华为收编,要么就可以关门了。如果美国不能及时跟进的话(其他国家绝无可能),那台积电都不算筹码了,估计如果十年后大陆登陆某小岛,直接就通知美国,赶快来几艘船把这些破烂拉走,别占我们地方。/ R$ s9 ~3 f8 b5 J, j9 H
    6 S( C! Y1 [4 K7 l
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    地板
    发表于 2026-5-28 23:48:37 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-28 03:478 F, F- O7 G& N2 `& H6 o
    这是搜集了资料之后让agent重新组合形成的分析文章,修改格式,上传文字和图片也是agent做的
    1 W" i0 h! U8 h& J( n5 x
    ) K9 [7 T4 A1 t/ g+ Z试了下好像感 ...

    / ~0 `7 }* n( d8 A4 U哇,Agent那么厉害了啊!佩服!
    . D0 d: N4 L/ _- s1 e. S2 f更佩服能指挥Agent的蚊行。帅才!
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    5#
     楼主| 发表于 2026-5-29 00:10:57 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-28 23:30
    4 A; X4 a( N( P/ c! S0 s提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:

    . F2 f* `5 S) W1 ^) k; U应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了
    7 O' i' s# W8 Z; `( i# n* ]6 z! o因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼接,那就应该是可以考虑用不同制程工艺生成不同的部件再组合起来,想想都觉得头大,甚至感觉只是在放卫星吹牛逼
    + T' Q7 r! `* ^3 C: b. _% j9 u2 C$ j0 s4 T8 }8 C, J- V9 I( \; g
    但是华为自己说麒麟2026/2027(应该是)已经完成了流片,2026进入了工程测试阶段,9月就要正式发布,这就有点儿惊悚了1 N, ~" g3 s/ F. |. W6 r/ ]
    人家不是在画PPT,人家已经做出来了,而且良率和成本看上去还都不错

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      发表于 2026-5-30 03:04

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    2023-2-8 04:51
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    6#
    发表于 2026-5-29 01:16:51 | 只看该作者
    你们对华为这个吹得有点过了。。。作为Process Engineer, 俺没看出华为出了啥突破性的东西,Hybrid Bonding是已经在用的东西了。华为就是有提高,感觉也比不上YMTC前面搞出来的XStacking意义大。本来以为华为在设计那边搞了突破,但看可梦之的评价好像也不高。! I3 e" U( i7 k3 ^  g8 x/ H
    感觉就是把各项技术综合整合来跳过EUV壁垒,这如果做成当然也是很厉害的,看看下半年9050的表现就可以打分了。
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    2023-2-8 04:51
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    [LV.Master]无

    7#
    发表于 2026-5-29 01:18:56 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-28 08:102 O2 a; q8 v( Z; @. H
    应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了' u0 C( y" M, F0 x6 a' d) D; ?+ R6 F
    因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼 ...

    # A+ N! N2 y9 Y. {/ PD2W (Die to Wafer) bonding,不是W2W (wafer to wafer) bonding. 拼接不同工艺生产的部件不是问题。

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    8#
    发表于 2026-5-29 02:09:40 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 01:167 q% ~! Y6 d, s' j2 U
    你们对华为这个吹得有点过了。。。作为Process Engineer, 俺没看出华为出了啥突破性的东西,Hybrid Bonding ...

    : `/ B; p8 {! g. N, Z1 l+ f9 Y5 y, W, W  U% C, o' A
    很尊重你和可梦老弟一直以来提供的业内第一手技术解读,学了很多。这里给两位提供一个其它视角。8 O& K2 R! |. m" i1 r
    ; ~: E& x1 n1 a! a% ~
    我们习惯美国公司内部和公司之间工作方式的“业内”人,一般按单人、单公司能力估算菊厂工程能力、产品能力。我刚开始就陷在这个坑里,认为微软:菊厂工程师1:5以上的能力对比,菊厂开发、产品能力有限。( N6 c% _# r& n4 A
    1 k4 j! h6 R+ B$ i( F
    但是,实际工程、产品实践结果是比微软200%,500%的快速工程,产品结果。甚至是技术突破。
    " |( x; R8 S/ m- I
    2 W; n0 d1 a# j* C  q" r" A2 T为什么?
    & w# w5 K' G( n7 C( j/ t  ~8 D$ B' n
    只要各个节点有1,2个真正的技术带头人,再加上一个能把所有能力一般的个人、协助公司,合作伙伴公司有序管理起来的强有力的工程管理组织流程是关键。
    $ h7 _0 f3 s  W; A. O/ I6 J5 d1 H: ^3 y! N0 O% R: ]
    就像蚊行文章说的,不能看单点先进性,要看把整个产业链统一起来以后的整体先进性和革命性。
    1 _/ |7 Z8 {. }! _, B  }/ L6 g' C& P9 D2 b1 w
    福特汽车生产线如果让之前的汽车厂家的工程师看,肯定说这有啥技术突破。但是,这个对于工业生产来说就是革命性的。$ U- n' |; M! Y8 U) [

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      发表于 2026-5-30 04:56
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    2023-2-8 04:51
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    [LV.Master]无

    9#
    发表于 2026-5-29 02:37:47 | 只看该作者
    本帖最后由 moletronic 于 2026-5-28 10:39 编辑 . U7 i- n, {4 G, O4 Q7 M

    6 A5 Q3 @  B) r! e( ~7 y' M俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性’之类的评价要求比较高。9050的评测数据出来前俺觉得就说革命性还早了点。
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    10#
    发表于 2026-5-29 02:55:02 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37
    7 n( r6 T0 C7 ]) x7 \* r俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...

    * e9 G& m+ Y1 V- r! J9 s" A+ ?同意同意。菊厂牛皮吹破也不是一次两次了。
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  • TA的每日心情
    奋斗
    昨天 19:12
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    [LV.10]大乘

    11#
    发表于 2026-5-29 12:50:30 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37
    3 s  ~+ c0 H9 ^俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...

    8 ^3 k& |! h. F8 \# c要相信系统论的力量。
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  • TA的每日心情
    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    [LV.10]大乘

    12#
     楼主| 发表于 2026-5-29 13:01:01 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37
    & K  ?# a8 H0 \0 ~2 @0 {# U: D俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...

    7 k6 l3 c7 N0 k4 A: i3 K/ i9050这个不算革命性,但这个方法论还是可以称得上革命性的2 y8 ~% u+ ~% a4 E/ B! @
    看现在的消息9050应该是缩小了面积后再折叠的,估计是良率方面的考虑
    * _0 ^/ z2 Q0 ^4 M: n4 A0 z如果9050能够达到8gen3的水平(4nm,大核3.3G,八核),那我觉得就算符合预期了7 Q" o  m6 S9 R2 h  D

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  • TA的每日心情
    慵懒
    12 分钟前
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    [LV.Master]无

    13#
    发表于 2026-5-29 16:24:57 | 只看该作者
    看了蚊行的解读,谈谈我的看法:7 W, {; @+ t+ v4 ~8 @" n0 f  ~
    1、系统性思维:根据功能、性能、功耗等统一设计应用芯片,而不是功能芯片,这就是自己拥有EDA工具链的巨大优势,利用自家的EDA工具可以平衡各功能块的集成度,各Die或Wafer性能、功耗等的平衡,如果发现有些EDA工具达不到的,增强EDA相关设计能力来完成,整个设计按照目标的逻辑来完成,所以称为逻辑折叠。而传统的CPU、GPU厂商只能利用别家的EDA工具做固定的功能块,然后成为物理折叠。
    % F7 N7 V$ Q6 H  q# E3 P7 o$ T2、目前以系统性对抗国外光刻等尖端性,跟上时代的步伐4 V" n2 `- {2 t$ Z* _8 s$ n; U; L
    3、系统性并不排斥尖端性,等我们光刻设备上来后,这套体系将如虎添翼。

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    如同前苏联制造的航天器,单项性能不突出,整体经过系统优化后表现优秀  发表于 2026-5-30 11:18
    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:55

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    14#
     楼主| 发表于 2026-5-29 22:43:53 | 只看该作者
    testjhy 发表于 2026-5-29 16:24
    3 O* W5 P9 @& t看了蚊行的解读,谈谈我的看法:* ~+ a8 V! Q2 s3 u7 u; G
    1、系统性思维:根据功能、性能、功耗等统一设计应用芯片,而不是功能芯片 ...
    : ~* U; `- E# c/ A  C. D) }8 U. [  P
    更本质一点的话,韬定律这套东西其实是在抢夺先进工艺的定义权
    ) g; N7 L) z4 f9 V6 t5 L从14nm之后,所谓的x nm早就不是对应物理概念的那个数字了,本身也是个等效算法甚至是商标
    % @% F6 ?0 {9 D4 J既然如此,那就把nm这套老办法去掉,大家按照完成系列通用任务的效率来看,谁效率高谁就是先进的,效率高不就是用的时间少嘛。
    / S3 f! n3 |4 \6 r7 M* H( o8 w) X也别纠结什么EUV/DUV的,谁能完成任务谁就是好汉% x" E% O: X/ |1 l4 X

    ! `8 i. z6 @. z. F8 h/ U如果这个9050在性能和功耗上能够追平高通的8Gen3,那就差不多可以认为是相当于4nm的水平
    % f0 t+ a2 R+ Q用Duv做出4nm来,那不就是Intel当年心心念念一直要做成的事情嘛,最后没成
    1 I. ~0 J* X) G' mDUV这么搞下来,成本还真不一定比EUV贵
    ; ^+ ~; E& w& q' {9 U

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      发表于 7 天前
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      发表于 2026-5-30 03:56

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    云淡风轻 + 8 谢谢!有你,爱坛更精彩
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    15#
    发表于 2026-5-29 23:49:03 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-29 22:43$ a! f9 @; Y: }$ V# s, a  y
    更本质一点的话,韬定律这套东西其实是在抢夺先进工艺的定义权
    % Y& j+ `! }( Y从14nm之后,所谓的x nm早就不是对应物理 ...
    " D* ^( E3 r/ A$ B$ b7 N
    菊厂在抢夺定义权,尤其是国际标准的定义权上面是有执念的
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    2023-2-8 04:51
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    16#
    发表于 2026-5-30 00:08:43 | 只看该作者
    是不是俺对“革命性”的定义太高的原因啊,俺对9050的期待值可是更高的,应该能达到台积3nm的水平。
    : d- O9 h8 `9 v* H0 K$ q" j3 o3 q另外,牙膏厂当初可不是用DUV做3nm,是10nm。这其实不算太难,台积对应的7nm就是全DUV制程,后来是为了减成本才用EUV。早期EUV生产成本还是太高了。( f$ `7 Q6 ]4 g$ y' C. C
    华为这个方案很难说能比用EUV的单层方法便宜,毕竟处理的层数要加倍了。

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      发表于 2026-5-30 03:56
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    6 小时前
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    17#
    发表于 2026-5-30 01:48:36 | 只看该作者
    WiFi 发表于 2026-5-28 13:09$ S: C% a, @& P& w' t
    很尊重你和可梦老弟一直以来提供的业内第一手技术解读,学了很多。这里给两位提供一个其它视角。# `$ l- W2 j, `: \! e' m7 T8 b

    7 w: F3 n+ |0 Y% S: X4 u6 u$ k3 S我们习 ...
    ' A/ ?9 y8 h( x, ], [2 g) u
    站你這邊, 帶過國內團隊, 他們特別適合大規模作戰, 特別能打, 他們一兩個人厲害就行。

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    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:56
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    5 小时前
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    18#
    发表于 2026-5-30 04:30:56 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-29 00:10/ P& B! b3 K( O* ~# R# O
    应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了
    / \3 C8 N6 y. y) O因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼 ...
    $ @' q' @# w4 ^
    第一种方法能实现也已经很逆天了。但我还是担心良率问题,虽然华为声称已经在300多款芯片上做了实验,下半年产品就要发布了,但产品问世了,性能一目了然,大家都能测出来,而良率和成本这东西,华为自己不公布,别人谁也查不到。5 r, E' D; W3 s2 q$ T/ J$ _
    ! q2 c- r: ^; |, _& J: F6 S. _/ T% Z
    华为这次公布韬定律的时机也很有意思,除了技术方面,大概还有政治博弈的因素。特朗普刚刚访问中国,表现得规规矩矩,英伟达黄仁勋最后时刻扒飞机也要来,AMD苏姿丰虽然没能混上一张机票,但特朗普刚走就来访问中国,尤其是当年制裁华为跟进最积极的美光居然也来了。这说明,美国对中国的芯片制裁,是否还能压制住中国,或者说还能压制多久,已经产生松动。华为公布韬定律,也有对美国喊话的意思,早晚压制不住,甚至可能被反超,不如早点合作共赢,收手吧,阿祖。
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    19#
    发表于 2026-5-30 04:53:56 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-28 09:30
    6 H. P2 h8 o+ E; i5 E提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:
    4 G8 a) W9 M1 h* A/ \6 o
    有没有可能是将晶圆布设铜柱后对接,然后上下层同时刻电路?感觉这样才能保证对接精度?
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    20#
    发表于 2026-5-30 09:06:00 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-30 04:30
    0 f# D/ H" o% N% L5 s第一种方法能实现也已经很逆天了。但我还是担心良率问题,虽然华为声称已经在300多款芯片上做了实验,下 ...
    2 J* p/ h( {4 {. ^, ?8 ~* a4 _7 p
    “大概还有政治博弈的因素”
    $ r$ j3 \# J+ g
    9 o, c- _9 S* p: }我认为没有政治。海思为发表这个论文准备多半年了,因为麒麟2026芯片马上要发布。必须赶上这个节点先把理论抛出来,然后用麒麟芯片的性能来闭环论文给出的数据。6 ?5 M" z) _! s: u
    ( ^# r/ k. p1 y- U5 Z" ~
    这样这个理论就立住了。
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