TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm4 Y' q1 J: W; W( D! ]
* N9 d" ~+ H! O1 U3 z! r按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。4 ~9 ~0 F/ p$ ~# ]7 o- t1 ]
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的1 b! s, M3 \, {) W( L8 Q+ Q; Y
+ Q# Q# i* v2 C, A延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。$ `6 }+ p. n; t' e, |5 A) A
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html b6 R+ Q$ B. Y" {; j
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
" N$ K: O! _0 e2.1集成电路生产装备% b9 r* d$ t3 G! F1 A8 D
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
- P% B0 L+ o* h, y" z( I2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗( u6 q5 o" z3 i
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
! p; F, c% I& _1 T! v2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影/ S- X; y- ?& ]. x4 s4 K( N& V
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm. \+ |& P/ G0 z1 V( C4 G4 F2 | u
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm/ h! O, k0 ?* H# R
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
4 W/ x1 y( {; H& d2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
$ i; [' t) h3 E- @0 ~2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀; Y# }$ t$ ~" Z0 R$ a
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
' b; v: X. b- K) E2 O/ e" j2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
4 E/ f% @2 p7 g% C! H' p. Q2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
8 o: B W) Y% |0 ~' ~* A6 ^2.1.13化学机械抛光机 : g4 c) w6 f1 ?- i' u# l. U8 W
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
* g* u0 l/ r5 V1 o 钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min( K6 X' O" q( ?: d. ]
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min( z: _ j7 o0 R$ e; l
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
0 n! V" ~6 f0 \2 f% w2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm S$ y# ? ?' _' U
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm& @1 \7 Y" v1 j% j- j! x$ ]" a
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。4 F, q$ `* p" Q% V7 y/ G* R
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