TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 
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- d7 e, k5 N; w# K工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm; X: N1 d8 l- A$ h1 a
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。0 U% r( }9 Z* q. c
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的 % z( b1 F# M. {: U% x
3 ?5 \1 P) Z' S; v- i. _延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。: z3 m; _# A, S3 V
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。. ]" N$ r+ q3 m. E* b
+ y, q. w! Z+ A/ Q$ r: ^9 P另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
& b1 Q) i+ u z! o; k- [ S8 q和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:, m) @ w4 |$ o# t5 g% z
2.1集成电路生产装备
( k& p2 _5 S1 k& v- l( w2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅# S' H+ Z2 q# F* o
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗$ R! O* Q/ o1 s; n9 I5 S9 h
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm/ J. F3 d2 h. a6 O
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影1 I0 M5 z! x% c& f% W% l
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
0 U P7 a* q5 C- o% e3 b$ P2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
1 W2 H z! z/ @* N& p2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%" T+ J" C5 v* ^# d" A2 x
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
- C8 f; Z* O# j# }6 F; x2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀, z" W$ u( B: P. j' L$ m
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°2 n! Q) l! K) }- o+ r3 {# o, S
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积* J7 f7 X8 N4 A
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积! U2 l) U; G! n$ ~. ^8 c% ^: D
2.1.13化学机械抛光机
- u z- ~2 K: @( U% ^+ h 铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min% Y) c! n; A6 M, {* Q# D! L4 z0 b
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
$ {* L1 k. e5 T- j6 h/ {7 G 铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
0 N3 \8 g; J7 s E9 q% @2 U 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
/ T6 c6 {' ~% M7 R5 l# S2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm( l4 A! X0 i: N) l3 a% s
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
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