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[信息技术] 华为"韬(τ)定律"——先进半导体设计的系统方法论

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    [LV.10]大乘

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     楼主| 发表于 2026-5-28 16:37:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    本帖最后由 大黑蚊子 于 2026-5-29 00:07 编辑
    * t7 N! d! k! j) R2 O; F$ U! [1 j$ o$ ?# e' C9 \
    第一章  韬(τ)定律的提出背景与理论框架( i! g4 z* d* j2 \% A- x
    9 a$ A( x: m# k1 l
    ; Y4 h! q' p6 [# [
    1.1  摩尔定律放缓与"几何缩微"的困局
    2 @# I6 ?9 c9 |7 z( y7 Y" m" M) ~
    , y0 [, H7 a& P; r( Q半导体工业的发展史本质上是"几何缩微"(Geometric Scaling)的历史。在摩尔定律(Moore's Law)和登纳德缩放定律(Dennard Scaling)的引导下,芯片性能通过晶体管尺寸的不断缩减、单位面积集成度的指数增长而持续提升,时间长达半个多世纪。, h% S" z5 T. e) J
    然而,这一范式在7nm以下节点遭遇了根本性困难:
    5 L5 X! t3 `6 F# O, N' s
    • Dennard缩放定律早已失效——晶体管缩小不再同步降低功耗密度,后段互连的RC延迟取代门延迟成为主导瓶颈。
    • 极紫外(EUV)光刻设备被少数厂商垄断,多重曝光(Multi-Patterning)导致成本激增,良率难以维持。
    • IRDS国际路线图共识:7nm以后纯几何缩放的PPAC(性能、功耗、面积、成本)回报急剧下降,数据搬运的能耗成为主矛盾。
      3 i" e1 z; {3 P$ |

    $ H3 Z# C, T+ G: v  I) X何庭波在ISCAS 2026的主题演讲中直接指出:"传统演进提供的微缩增长,已经无法满足越来越多的性能、功耗、集成度的需求。因此在移动终端领域,我们必须在摩尔演进之外探索新的技术路径。"
    - F6 \" X6 g7 g5 ~8 T1 `3 ]7 ~, _
    1.2  从"几何缩微"到"时间缩微"5 y3 S% t3 U9 g- ~* Z6 L
    - V$ m! k; ~$ o
    韬(τ)定律的核心思想是范式转移:将芯片性能优化的核心目标,从"把晶体管做小"(几何缩微)转为"把信号路径做短"(时间缩微)。这一思想并非凭空而来——在学术界和工业界,从Elmore延迟模型到STCO(系统工艺联合设计),"以延迟为优化目标"的认知早已有之。但华为的区别在于,它首次将这一思想系统化为一套跨越12个数量级(皮秒到秒)的统一设计方法论。6 F6 q5 Y4 q& E
    2026年5月26日,华为在IEEE ISCAS 2026首日发表了由副董事长何庭波署名的论文"A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems",正式提出τ定律。在次日会议中,海思麒麟与巴龙首席架构师黄勇(Huang Yong)等几位IEEE Fellow详细分享了LogicFolding(逻辑折叠)的技术细节。
    9 O# o% z' F0 g* N( q& q; q. e( \$ b5 _9 F( X

    8 m) \0 i8 b5 m% j$ ~6 S+ G- V" m& M: j
    5 C% R; e& I1 F2 ~+ c& A/ g
    1.3  τ 定律的数学定义+ R, O* q0 f8 F% f! r8 S  |
    3 m9 |( m; U5 U: V& ^% I* x
    论文中将τ定律定义为跨层KPI框架,而非Dennard量级的比例定律。其数学表达为:
    2 E: `1 ^3 A8 G  Y" C    τ = f(τ_transistor, τ_circuit, τ_chip, τ_system)
    5 x- U/ a8 p: s: F    τ_{n+1} = τ_n / α2 b4 {6 t) \" v7 {% O! H7 t
    其中:
    - B5 R1 P+ ?/ t7 Z
    • τ_transistor:晶体管层面的时间常数
    • τ_circuit:电路层面的时间常数(门延迟、互连RC)
    • τ_chip:芯片层面的时间常数(跨IP路径、时钟树、NoC延迟)
    • τ_system:系统层面的时间常数(片间互连、网络、软件栈延迟)
      . |3 s. P0 N4 G) n
    0 ]; R  k9 o' l* U) T# B
    α 的经验区间:移动约1.3×/年,自动驾驶约1.5×/年,AI工作负载最高可达10×/年。τ并非新器件物理的发现,而是一个可操作的延迟/时延KPI——它的价值在于统一了工艺、电路、架构、系统四层的对话语言,使得所有层级的设计决策都可以围绕"时间"来算账。, ?4 D" ~3 v, p- a  C
      ^( ?9 Q: i' z, O) L
    1.4  跨层次时间常数的统一框架
    ; ~3 y" l) J& L6 {- U
    0 M7 c1 b, N- S$ B7 M; [τ定律最重要的洞察在于:当工艺微缩红利消退,系统性能的提升空间主要存在于各层次之间的"接口损耗"中。传统Fabless模式下,IP供应商、芯片设计公司、EDA工具商、封测厂各管一段,层级之间通过标准接口交互——这种分工虽然高效,但每个接口都意味着时间损耗。τ定律的做法是将这些散落在不同层次、不同公司、不同供应商的优化目标重新拧成一条线,以全局时间最优为目标进行联合优化。7 ~& V6 |& Z- X% a4 h" L
    . e: ]+ n* N# O
    第二章  LogicFolding(逻辑折叠):τ定律的工程实现) U( A4 e/ F4 l9 z3 P# P
    ; w- W8 m8 e" a' g# t6 o
    如果τ定律是理论框架,LogicFolding就是它在芯片设计领域的工程落地。黄勇在ISCAS第二天的演讲中明确表示:"今天分享的是过去几年在移动终端SoC芯片设计领域的一些工作——基于逻辑折叠的移动终端SoC设计实践。", |/ i( n; w% `( Q! P" w" h! h
    4 K$ z, j& d: z! |. k
    2.1  逻辑叠逻辑:与传统3D封装的本质区别
    $ W5 p7 E6 `% M+ l3 [. M
    ' q* P3 N; L! f产业界已有多种成熟的3D技术方案:HBM通过存储堆叠提升带宽密度,CIS堆叠实现像素阵列和逻辑的分层优化,3D V-Cache通过缓存堆叠提升特定场景性能和能效。但黄勇指出:"这些方案大多属于相对固定的结构,以及粗颗粒度的堆叠方式,它们的互联密度、设计自由度和逻辑拆分能力仍然有限。"
    ' U2 ^0 @3 d5 m& Y( e7 y* O传统3D封装与LogicFolding的核心区别在于设计颗粒度:' V: F7 U. Q) G5 G9 e7 P
    • HBM(D2W堆叠):约1万根互连,固定功能,物理上堆叠但逻辑上各自独立。
    • AMD X3D(D2W Cache堆叠):约10万根互连,整Cache Die堆叠,粗颗粒度。
    • LogicFolding(W2W逻辑叠逻辑):远超上述量级的互连密度,在同一模块内标准单元可跨TOP/BOT Die分布——同一个IP不再仅存于2D平面,上下层是同一个IP。
      ) n3 g* O" r" N, l

    8 ?+ C9 p" }4 i3 j黄勇阐述折叠后的SoC架构:"折叠以后,上层Die和下层Die不再有独立的模块子系统,而是上下层通过海量互联形成模块子系统。上下层Die不再是独立的单芯片,而是一个单芯片不可分割的一部分,还能方便地实现上下层Die资源的均衡分配。"
    . N$ h% `0 g3 J5 h' I# |; Z  ?2 j# @: }; ?# }6 H+ I* x
    - F% g8 r: o5 Z1 T0 X4 Q
    4 A% ]  E3 v+ p

    3 ?8 u, j" {  ]: x; d2.2  W2W Face-to-Face Hybrid Bonding
    : K4 Y# d0 G2 i2 R3 L# {" W& x8 o. s' s6 n. X* E) U
    LogicFolding依赖于两项核心工艺:& _1 d- b% p5 X1 {, O+ D) @
    • Face-to-Face Hybrid Bonding(正面对正面混合键合):两片晶圆(Wafer)正面对正面,通过阵列式的铜柱(Cu Pillar)实现超高密度键合。关键指标:Kirin 2026 HB Pitch = 1.5 μm,顶层金属间距(Top Metal)≈ 720 nm,目标齿轮比(Gear Ratio)≈ 1。
    • 背面TSV工艺(Backside TSV):下层Die需要减薄,并通过跨层硅通孔实现上下Die的电气连接。引入TSV Keep-Out Zone(KOZ),会挤占部分有效面积——"+60%逻辑密度"是trade-off后的结果,不是免费午餐。$ C. A+ p& N' K2 X, o

    . p- C" C; m, W$ X+ i相比于D2W(Die-to-Wafer)方案,W2W的优势在于支持远超D2W的互连密度——这是logic-on-logic的前提条件。代价则是无Die级配片、无系统级冗余——无法像D2W那样挑KGD(Known Good Die),良率对键合工艺更加敏感。
    3 p+ |! V- t# V6 S" |+ I; r! w5 t7 L2 H2 A/ H2 I( ]9 V4 A

    & j& z) F( M4 j" t6 T) Y5 S
    8 u3 J! M$ K7 m2 S+ k9 l$ b$ ]% N5 m6 [8 W" ^+ }' t, I

    * S, z; k& l% `1 L* W2 O+ h0 }5 n$ j+ X& A) Z
    # @! Y7 G4 |; \" [& a4 T4 `
    2.3  细粒度逻辑分区(Fine-Grained Logic Partitioning)$ D; M4 _2 q  D) o9 d# ]
    " S( T$ B; f; d* F
    这是LogicFolding设计理念中最核心的概念,也是工作量最大的部分。传统3D设计中,一个IP模块被打包在单个Die上("模块钉死在某一Die")。而LogicFolding要求在IP设计之初就以3D布局为出发点,同一模块内的标准单元可跨TOP/BOT分布——利用上下两层的结构,寻求逻辑链路的最短路径。
    - F6 a- o# D6 L2 J: A" p$ {三个关键技术要点:# w5 p; j) H6 d# [# u
    • Ultra High-Density HB(超高密度混合键合):W2W堆叠,键合点的分布密度远超存储堆叠。逻辑芯片之间的连线极其密集且位置随机,需要数量巨大的HB来互连,对堆叠工艺提出极高要求。
    • Systematically Minimized HB-to-TM Fanout Ratio(系统最小化键合点到顶层金属扇出比):由于逻辑堆叠穿过HB的是不可预知信号线且扇出众多,HB附近绕线拥塞非常严重。最小化扇出比是缓解拥塞的关键——需要在EDA算法上进行相应调整。当前国际EDA工具(如Cadence Integrity 3D-IC)的Place仍类似"打平3D成2D再做",不支持真正3D原生布局。
    • Fine-Grained Logical Partition(细粒度逻辑分区):在架构设计阶段就必须把两个Die的单元数量和尺寸控制得非常接近,否则良率和成本都难以优化。海思作为全国最大最全的Design House,具备这样的能力和资源。
      2 ^: c" d( b1 l# o4 r

    5 {- R% A' D$ ]/ [; ~
    - ]( ]% u4 Q7 ?# @) u& f% I3 J* ~3 n* T, q/ P5 z
    : c5 I+ q. O/ _' \/ Z7 l, L

    1 s, h. p! _$ V1 t; k2.4  SkyClock:跨Die时钟方案
    1 X$ }. y6 F. n& Y7 `, F) P2 k: m# @  Z6 X% x2 }! ^
    跨Die时钟分布被多位分析者评价为"全场技术含金量最高的一页"。LogicFolding设计带来两个根本性时钟问题:
    : k! F$ B& Y# ~" A: V" E, B& t
    • STA Corner数量爆炸:TOP Die可能落在FF Corner,BOT Die落在SS Corner,跨Die的PVT(工艺、电压、温度)角组合相乘式爆炸,传统2D STA直接失效。
    • 时序窗口变窄:时序路径分布在不同的Die上,时钟路径和数据路径的延时差异偏大,时序窗口变得更小。
      1 M$ Z: N: _& @/ j! [- }  H1 E$ t

    5 u5 P% J% P5 W0 \- aSkyClock的解决方案:Clock Mesh主体放在上层Die,通过高密度HB直接下插到底层Die的Local Mini Clock Tree,下层Clock Tree极简化。成果:最大Clock Skew从135 ps降至101 ps(-25%),核心时钟最大深度-42%。4 F. P) }' _: a) Y5 F

    + Z4 M8 }& N  p1 Q5 i+ _% w5 G% ^* }: d9 G8 K

    7 M# R! i9 e& ~9 ]0 `! y
    , C! H; J' \9 x1 j7 B' L2.5  散热与供电管理. n) d2 Y0 _1 g( y1 R

    ( N  ]) _2 \, U- ZLogicFolding引入了全新的物理设计挑战:
    1 ^9 y8 q3 X+ s7 f
    • 散热(Thermal):下层Die(夹心层)垂直散热能力下降,下层减薄进一步削弱横向导热能力。解决方案是在物理设计阶段引入热感知的Partitioning/Floorplan/Placement——将上下层Hotspot错开布局,降低折叠后的峰值功率密度;同时优化封装散热方案。根据PPT数据,优化后的散热曲线比传统3D堆叠更优,与2D平面结构接近。
    • 供电与电源完整性(Power Delivery & PI):HB既要服务信号Mesh又要服务PDN(供电网络);多电源域TSV管理;全芯片PI Signoff复杂度急剧上升。折叠架构引入的Complex PDN问题需要从设计和仿真全链路解决。# e; |- o1 `' E& Z
    7 E6 F9 ?; l% F5 ]' `) l2 ~: L# \

    + x+ e. t8 H7 m# C/ {8 [" ~) ^8 R: ~% P; W

    $ {' ]) U, @. J4 s8 Q2 t4 _# ?$ o' l- s% R$ q5 e

    ) L  S2 [8 p4 H, O" H* A! ~
    ' J: k* t; X% S  c; d& G2 M
    ) ]- h4 \2 E: U3 d' B9 O$ c( J2.6  DSP案例的PPA数据
    0 s/ J* W/ l& J' W9 r
    2 P/ ^% L" H; o黄勇以一个基带DSP模块为例,展示了LogicFolding相对传统2D设计的收益(这份数据被多位分析者评价为"只能用震撼形容"):
    - \4 b+ A, q+ `( ?' [: @1 @. ~9 ?) J6 R5 t: Y; s
    指标相对2D的变化
    Die面积-40%
    主频+37%
    总功耗-24%
    Buffer数量-56%
    线长-25%
    线电容-34%
    时钟树面积-19%
    时钟线长-28%
    时钟电容-56%
    核心时钟最大深度-42%
    最大Clock Skew135 ps → 101 ps(-25%)

    5 U# P: h; d$ _关键物理路径缩短数据:SRAM访问黄色路径从676 μm降至307 μm,红色路径从570 μm降至约10 μm以内;逻辑到逻辑最长的关键路径从680 μm降至451 μm。
    % k6 g& N! i. `一个DSP IP的纯路径优化就这么多收益——"芯片设计发展了这么多年,逼近摩尔极限又喊了这么多年,突然天降一个升维设计方案,能降低这么多信号路径。"& o  ?( g. k$ P! V$ W
    3 a, ?0 Q5 e: {- D9 Q2 C2 G7 b9 G
    2.7  芯片级性能收益与路线图
    9 w  j. R1 t' h7 G" V9 Q; F
    " M+ a: s! F+ ?" u) y基于麒麟2025年产品(未指明具体型号)为基线(=1),公布的全芯片级收益数据:  z8 X/ [: h, j2 G) H

    9 r- T, C  _9 {$ o& c
    指标2026年2027年
    晶体管密度(Chip Level)+60%+70%(2028年+80%)
    CPU单核性能+15%+44%
    CPU多核性能+24%+56%
    GPU性能+38%+87%
    NPU性能+140%+213%(绝对性能3.1倍)
    CPU能效+12%+34%
    GPU能效+40%+78%
    NPU能效+81%+118%

      f, F" @0 S6 H3 g0 D0 c0 B- b密度路线图:LogicFolding(2025年基线=1)2026年1.6×、2029年1.8×。对比Leading Foundry(2020年基线=1):1.5×(匹配节点)→ 1.8×(1.4nm节点)。华为给出的对比结论是——用逻辑折叠做到了与先进制程演进同等的密度收益。
    6 s  k; [' {+ f* a( L* H" p1 @$ N# D4 G( J9 l8 I' A, R

    4 N  g4 ?0 u8 [9 U  t( |" h8 J: p( s  I5 s

    . z) {7 w% M# c+ h, f* ?. ]! S* V* x第三章  IP-EDA-工艺全栈重构. O* @9 v7 z0 r8 O2 `$ q: i" [# [
    0 J5 A/ {, j$ A9 D0 b
    LogicFolding从概念走向真实芯片产品,面临的根本挑战不在于某一环节的优化,而在于"整个工具链和设计方法学都需要从零重构"。黄勇在演讲中坦陈:"应该需要很多年才会有完善好用的工具链,现在的工作必须在工具很不成熟的条件下完成。"
    / R/ o7 i% B: T/ J5 H4 ~; a0 \! }( I2 `( `9 ~6 U4 I! ^  U& V
    3.1  3D原生IP设计:从黑盒到协同
    7 F$ R5 z8 A: y( m% v! e' {# |5 f$ V; @. f
    传统的Fabless芯片设计是以平面IP为核心进行的。Arm IP拿过来,不管怎么封装,它都是一个区块一个IP。在2D设计的成熟链条中,各方交付的是一个黑盒:接口固定、时序固定、修复机制固定——"我交付了,你别碰我内部"。  E0 c1 N6 N( x  ?; k2 j
    LogicFolding彻底打破了这一模式。同一个IP不再仅存于2D平面,而是在上下两层Die上协同工作——这相当于给芯片设计升维了。一个SRAM IP在折叠设计中,某些Bit-Line/Word-Line因3D折叠变短,访问频率可以提高;某些Bank因为热环境不同需要更细粒度的监控;跨层路径因为Bonding Variation需要额外Margin。传统的黑盒交付模式无法满足这些需求——你需要SRAM为了你的3D可靠性和全局时间目标去改内部逻辑、改错误恢复、改冗余结构、改上报语义。0 E" Z( K4 C' i6 Q  p
    这就是τ定律被称为"只有海思能做"的原因——海思被迫在过去几年把软件栈、指令集、关键IP、SoC集成、互联协议、先进封装、3D集成、系统Fabric全部做到自主可控,从而拥有了"命令各个层次的架构师为了全局τ目标而改动内部设计"的权力。这是全栈自研在商业逻辑上的自然延伸。, C! k4 k( W1 a5 {  \  t
    0 e; f2 g+ n" k6 m

    # t6 L. g) D8 L  ?  a
    0 j. I/ i) x) q' h: @8 f2 p; w4 L4 r+ s$ J' W$ U/ {" Q  V
    3.2  EDA工具链:从"假3D"到"真3D"7 J" t% [! G$ x
    * x7 d$ d( o6 X, a) @
    "设计流程和方法学是逻辑折叠遇到的最大挑战。从平面转向立体空间,不再有成熟的工具链支持。"黄勇在演讲中直接点出了EDA的核心问题。0 N6 N( d* K5 m' D2 g: [( n! {
    当前国际主流EDA工具对3D设计的支持停留在"伪3D"阶段——将3D设计打平成2D后在每个Die上各跑2D工具,优化目标仍然是单Die内的时序、功耗和布线拥塞。而"真3D"(True-3D)要求:
    ; d" o% L% W! ]4 P: _
    • Cell-Level 3D Placer:标准单元可在Module内跨Die摆放,以全局目标函数进行优化。
    • 3D CTS(Clock Tree Synthesis):如SkyClock方案的自动化实现。
    • Cross-Die STA:处理跨Die时序路径的Signoff。
    • 3D Power Grid分析与PI Signoff。
    • 多层Die统一的Partitioning / Floorplanning。
      3 G; n% L. {! {1 ?6 r- h

    ( k$ q! H; I% ?  R: n% o1 _6 g  X" \学术界已有重要进展:北京大学团队的早期真3D流程结果显示,相对"伪3D"方案,线长减少约30%,WNS改善6%,TNS改善12%,峰值温度仅上升不到3%(近乎无损线长)。华为目前的Enhanced EDA+Multi-Die Co-Opt Loop(含良率联合优化)正是在这一方向上推进。考虑到何庭波明确写的麒麟2026和2027已经在Silicon阶段,说明华为已经在不成熟的工具条件下完成了流片——投入之巨大可见一斑。& F4 L, [6 `& L6 x' Q1 D$ o
    3 V6 c! q7 c. F* F3 y% k* |, d
    3.3  跨Die静态时序分析(Cross-Die STA)
    ' P  h  W5 n4 P9 T4 J  R6 j- h# V7 E+ B8 a1 ]
    跨Die STA是3D签核的核心痛点。传统的时序分析基于PVT Corner组合,但在LogicFolding中,Top Die和Bottom Die可能处于完全不同的工艺/电压/温度角——导致Corner组合数量级上升。华为公布的解决路径包括:SkyClock方案压Skew;Cross-Die Clock Skew Minimization Techniques;以及多Die统一的时序建模方法。' x% \( O" v' @! R/ m
    黄勇在演讲中还提到时序收敛(Timing Closure)——LogicFolding不仅增加了Corner数量,还因为跨Die路径的物理延时差异增大而使时序窗口变窄,对设计和Signoff都提出了更高要求。" y0 B" K/ _7 \- E% C/ @3 L
    1 m, E: K( g! m6 K, \7 F) b) U
    3.4  良率模型与成本分析
    : R; r, Z1 E* g1 E5 d: M& l" [: f" d) F$ d% Q) R9 d
    折叠良率的公式为:Y_Folding = Y_Top × Y_Bottom × Y_Bonding。三个因素相乘,直觉上良率应当远低于单片2D方案。但华为指出了几个关键的反直觉因素:
    ! R# V  V9 E  E. B" r" n
    • 单Die面积变小:折叠将一颗大Die拆成两片更小的Die,在Poisson缺陷模型Y=exp(-AD₀)下,面积减半意味着单Die良率≈√Y₀。两片独立良率相乘回到约Y₀水平,再乘以键合良率(接近1时),整体良率可与2D单片相当。
    • 工艺爬坡成果:Kirin 8000/8000A已下放到畅享90系列千元机,N+2/N+3工艺的实际良率远好于外界传闻——能做Binning本身就是高良率的证据(Binning的前提是绝大多数Die是好的)。
    • DFY(Design for Yield):华为在设计中引入了Smart Redundancy等DFY方案。4 ]3 w7 [2 \+ L
    # N6 p+ J1 n* c! k
    但良率模型的限制同样明确:在手机2层小Die上可行,不等于推到大面积AI Die上同样成立。华为在Cost & Yield一页只给公式、不给任何具体数字——这恰好是"华为自己也还没填上的那一格"。
    & j7 z+ i' C+ u2 f; k" c4 [: H1 b$ p2 l5 H/ B- ^6 L
    2 ~" q7 k* l; p1 L& a* B

    : b1 {: K, f2 ^. R) R, K; h
    9 C* {) r+ {1 u第四章  实践验证:麒麟2026/2027流片
      Q0 M& u- ^$ ^/ O3 i, w4 U, ^' g2 _+ c) K
    + P) @1 R# y5 D, K! X( p: D1 }" k
    4.1  手机线LogicFolding已经进入Silicon阶段' V) n1 O5 n; R' s# K. h9 E

    0 B7 o3 l4 _6 M4 l) W* t2 H2 d何庭波在ISCAS 2026的发布会上明确写道:"麒麟2026和2027已经在Silicon阶段。"黄勇次日演讲的性质是"分享过去几年在移动终端SoC芯片设计领域的工作"——用现在完成的语态描述已完成的工程实践。可知LogicFolding不是PPT方案,而是已经完成了至少两代产品(2026/2027)的设计和流片,其中2026款已进入工程测试阶段。& p; N% \" R( f+ h0 ?# Y$ z
    公布的2026年芯片级关键指标:P-Core能效+41%、最高频率+13%、主频达3.1 GHz。这些是Silicon Measured数据而非Simulation——验证了LogicFolding从设计到制造的整条路径已被打通。
    # N4 o* ?7 H( Z, k) ~"如果它还没落地,我会说这东西要实现,必须IP从零开始,要把IP-EDA-工艺全通了才行,实在太难。但是他在发布的时候,麒麟2026和2027已经Silicon了,所以我无可反驳。"——分析者评价
    & z: l  K& O% |+ \% `" s' I4 A3 G: c( M. h
    4.2  制程现状的重新评估:N+2/N+3的良率证据, ^7 q0 O; Z  n

    ' p" |% \# g: O7 ^7 u; P. {通过华为目前在售手机的芯片配置,可以反推各制程节点的实际良率状态:; u& V! |! ?4 s( N: [! B6 P
    • Kirin 9030(N+3 DUV)用于Mate 80旗舰。
    • Kirin 9010S(N+2 DUV)用于Nova 15 Pro等终端走量机。
    • Kirin 8000/8000A(N+2)用于畅享90 Pro起售1699元的千元走量机。
      & `9 w* P0 y! k% F6 u7 B) b, K; [
    7 [, j9 V( Q; V; |, H
    关键证据:8000A作为残血版放在更低价的畅享90中,这是典型的Binning策略——Binning的前提是绝大多数Die是好的,只把分布尾部的边缘片做小阉割。如果N+2真是传闻中的灾难良率,它根本塞不进一台还要走量盈利的千元机。% }( V- p  q4 u$ x3 E3 J4 `2 ?  L

    # f( `% @5 I& P2 I7 J5 b
    0 b% \- k$ \0 E6 D  g: T第五章  数据中心线:鲲鹏CPU与昇腾SuperPod# A* c8 {' E6 R. r7 d
    * ?# ]' Z: P4 U5 s+ q
    τ定律的叙事分两条线:手机线(Kirin LogicFolding)解决"在受限制程下如何持续提升能效";数据中心线(鲲鹏CPU+昇腾NPU)解决"在AI大算力场景下如何打破互联瓶颈"。8 ?2 T1 U* i# H+ S
    7 U5 B& {+ p5 F
    5.1  Circuit Folding与Chip Folding& Q5 D% J$ ^5 M2 H  z7 d9 \/ _  s

    ' |# j! t, \3 k- r8 [7 u4 b在鲲鹏CPU上,华为使用了两层折叠策略:/ G( Y  s- b5 ~' m
    • Circuit Folding(电路级折叠):不升级工艺节点,仅通过3D折叠优化关键路径。Reg2Reg从1.0L缩短至0.4L(代号Project Tiramisu),2.6 GHz基线提升至约3.2 GHz——其中线长贡献+468 MHz,CTS贡献约+100 MHz。证明5nm以下互连延迟>门延迟已成为高频设计的核心瓶颈。
    • Chip Folding(芯片级折叠):Kunpeng 950的2.5D Edge I/O从12k Pins(40 μm Bump)升级至3D Area Array的1.2M Pins(20 μm),互连密度提升100倍。核心数从64增至96,LLC从1.7 MB扩至2.8 MB,SPECint提升+78%,能效+37%。1 s- F8 Q, q! t# n8 P
    9 P0 k# F3 C/ }" d. u/ K
    7 i: `+ A9 i# B
    指标Kunpeng 950Kunpeng 960(目标)
    核心频率~3.2 GHz4.0 GHz(+54%)
    核心数96待定
    金属层28层(Skybridge)42层
    堆叠方式2 Die W2W HB3 Die
    HTL密度>200/mm²
    主要瓶颈Gear Ratio需≤3
    4 I3 d/ V- l% ?: @
    Kunpeng 960的目标是4.0 GHz——华为明确表示"4GHz不是口号,路径存在",取决于工艺迭代和Gear Ratio的改善。* `/ g& ?, F. `  z- Z. g
    ; k8 K% I4 M5 O) I6 k* U, r6 \- P$ e
    5.2  Unified Bus:用系统架构换时间
    $ L$ m% E8 y9 O
    6 c1 P6 u& z# KUnified Bus(统一总线,UB)是τ定律在互连层的核心实践。李博杰(前华为研究员)通过OpenURMA开源项目对UB做了全链路实现与评测,揭示了UB是"靠架构不靠工艺"换取性能的典型范例。
    / J: a: Q" b& A传统RDMA网卡挂在PCIe后端,一次远端访问的关键路径上要走五趟PCIe(Doorbell→DMA取WQE→远端读→本地写→CQE写),光这五趟就约1650 ns。UB将控制器直接放上片上总线,CPU的一条Load/Store指令本身就是Verb——那五趟PCIe直接消失,只剩约30 ns的片上总线穿越。端到端延迟对比:UB Load/Store ~500 ns vs RoCEv2 ~2236 ns——快约4.47倍,没有任何工艺变动。6 q+ f  I+ N( ~! y: b- j
    更关键的是连接状态的扩展性:传统RDMA每张网卡维护的连接状态是O(N×M),UB拆分为O(N+M)。在1024×1024规模下,UB仅需110 KB SRAM,RoCE需要537 MB——省了约4855倍的状态量。吞吐方面,UB提供分级Ordering语义,WR吞吐高2.80倍。3 P% s- _" }4 N( U
    "4倍延迟、4855倍状态、2.8倍吞吐——没有一项依赖新工艺,全是架构重构的结果。这才是'时间缩微'最该被看见的形态。"——李博杰" ^6 c; n# e3 h" J1 M% ]

    # c; a! c& p3 Q5.3  Hi-ONE光互联与SuperPod演进
    5 w: M" W5 h0 S) j
    5 H+ ?" A0 I7 I1 f+ A3 K在昇腾SuperPod的Scale-Up互连上,华为引入了Hi-ONE光互联方案:8 Tb/s每芯片每方向、224G×36 Lane、电SerDes距离从100 cm缩短至5 cm、机柜级100 m级光学Reach。UB实现的远端访问从数十μs降至100 ns——约500倍的延迟缩减。
    - |! a' W; w3 `" G6 B& @9 f' R  S& j' i- X' Q0 @% m$ E
    代际NPU数量聚合带宽关键特性
    Ascend 910C (2024)384301 TB/s电互联
    Ascend 950 (2026)8,19216.3 PB/sUB + Hi-ONE
    Ascend 960 (2028)~16,384>16 PB/s光学规模
    Ascend 990 (~2030)待定待定LogicFolding进AI大Die
    ! G- X8 O% S7 P

    ( l" G: V. o; P5 D5 f5.4  Ascend 990:LogicFolding进军AI大Die2 S- F$ t6 H2 _, z7 b* ?

    - S$ Z8 K- f- v( r) q; N8 d" m- ~9 ^这是τ定律叙事中远期最大的"赌注":将手机2层小Die的LogicFolding技术推广到约700 mm²的AI加速器大Die、进化到3-4层堆叠。在手机端,小Die的缺陷良率回收(面积减半→单Die良率≈√Y₀)是代数上可行的。但在700 mm²大Die上,大面积本身就是缺陷良率的灾难区,Y₁×Y₂×Y₃×Y₄的复合将面临巨大风险。所有技术细节都很详细,唯独良率一页只给公式不给数字——这恰好是华为自己也还没填上的那一格。手机端,他们很有信心;AI端,那场仗才刚开始。
    , u1 N4 k5 m* v! C7 I  s; b7 V! B# p! i0 R
    第六章  全栈联合调优:τ定律的独占性优势
    1 y7 n: Z9 d, n/ G; Y0 J9 |: i
    1 {+ K) X( r6 l1 E% c& X2 {0 J; a; z, C
    6.1  为什么只有海思能做?; s4 A: p8 }8 P& g
    - u# g+ m$ j4 r4 ~* D
    τ定律和LogicFolding,表面上是定义了一个全局时间的优化目标。但这种"全局最优"的实现,需要的不仅仅是技术上的可行性,更是一个其他人难以复制的组织条件:全栈可控。
    ) V" F3 |+ f" G, p, i+ L在大多数芯片公司里,芯片设计是一场漫长的拼图游戏。CPU Core是一个IP,NPU是另一个IP,DDR Controller、PCIe、SerDes、NoC、安全岛各是一个IP——每个IP都有自己的交付合同、验证边界和可靠性假设。你可以把这些模块摆得近一点、连得密一点,但你很难要求它们为了一个全局τ目标,把自己的内部逻辑、状态机、容错策略一起重写。这不是技术问题,是商业协作、验证责任、交付节奏上的不可行。8 `. Z( X! o9 f* a
    华为海思在过去几年被迫走了一条特殊的路:软件栈自己做、指令集自己定义、关键IP自己掌控、SoC集成自己扛、互联协议自己推、先进封装和3D集成自己打通。这条路当然很苦,但苦到最后会形成一种很特殊的技能点——"从指令集到散热膏"的全栈联合调优能力。
    0 |" Q% C! j0 f9 T4 n2 D3 A3 m& V9 L7 `( v' j& D) X  U
    6.2  IP黑盒问题的突破
    2 s" m# E! i* e* Y. _( `4 G/ e* \5 t, E- t2 k
    举一个具体的例子来说明τ定律独占性的来源。假设一家创业公司也想搞3DIC,它从一个传统IP供应商外购SRAM IP。正常情况下,这个SRAM交付的是黑盒:接口固定、时序固定、修复机制固定、能跑多少频率就是多少频率。但在LogicFolding设计中,这个SRAM需要:因为3D折叠变短而调高访问频率、因为热环境不同而增加Bank级监控、因为Bonding Variation而添加额外Margin、因为某些故障需要从Fatal降级为可通过Redundancy+Firmware修复。
    & Z# \2 w* a8 B+ w2 Z/ X. g要SRAM为你的3D可靠性和全局τ目标改内部逻辑,等于让它把黑盒打开重新参与你的系统架构——这对传统IP供应商来说,技术上可行,但商业上不现实。海思能够做到,是因为它控制了全链条——NoC、内存系统、固件、驱动、调度器都在手上。发现某条跨层Link不稳定,硬件可以标记,NoC可以绕路,固件可以记录拓扑,驱动可以报告给Runtime,调度器可以避免关键任务——系统把它当成"性能降级但仍可用"的资源,而不是"坏了就死"的故障点。
    ! m2 J! ?/ a1 @! P) k  ^; f; l" T- f# R$ ^
    $ ]. r( L% D. `0 S3 ^4 R% `6.3  芯片设计与软件的垂直打通* Q1 s, [/ A* N% U; ~* }) L
    . g4 K$ ?: [+ m/ f: z! t- M( l
    "τ定律不只是制造的事"——李博杰在分析中指出,τ定律的真正价值不在于"等效1.4nm"的制造口径,而在于它终于给"用系统级的时间优化换性能"这件事正了名。过去十几年算力的大头增长,很多来自于架构创新(GPU/NPU/专用加速器)、片上互连演进和系统软件优化——不是来自新工艺。Unified Bus的500 ns vs 2236 ns就是一个"架构>工艺"的干净证明。: b3 R4 F" O5 s1 V6 g: H% }
    这种从制造延伸到架构和软件的视角,要求从业人员必须跨越传统的专业壁垒。华为当前的组织架构——从指令集(灵犀)到芯片(Kirin/Kunpeng/Ascend)到互联(UB/Hi-ONE)到系统软件(openEuler/MindSpore)——天然适配这一需求。) d& N' U% k+ X( }
    / K4 M& \+ D8 |
    第七章  对后续半导体领域的演化推演与预测
    : l: h, e4 i6 P" T- ~8 W5 _; b+ X
    ) l) c! B/ A$ d( [4 ]: a. Q基于上述技术分析和华为公布的实践数据,以下对后续先进半导体领域在IP、EDA、工艺三个层面的演化进行合乎逻辑的推演。
    0 \0 W$ u3 G* N7 g
    8 Y! b2 M1 K' K* E6 K8 q7.1  IP层面:从平面IP到3D原生IP的范式迁移
    ) N6 S2 L; j  a8 J+ M' _4 i3 M# a. {; _' \$ |
    推演1:3D原生IP将成为一个独立的设计品类% R7 j$ U6 s- `  g2 P+ }
    未来5-7年,"2D平面IP"和"3D原生IP"将分化为两个独立的设计品类。3D原生IP不是简单地在两个平面IP之间加TSV——它要求IP内部的逻辑链路、物理布局、时钟单元和供电网络都围绕跨Die最短路径重新设计。这意味着IP供应商需要从"交付黑盒"模式转向"交付可配置白盒"模式——至少在3D设计的关键路径IP上。这一转变将首先在存储相关IP(SRAM、Cache)和高速接口IP(SerDes、DDR PHY)上发生,因为这些IP对RC延迟和热环境最敏感。% ?: p. M! j8 [/ m0 a+ n: b8 }
    推演2:IP授权模式将从"买IP"转向"买IP+3D协同设计服务"
    % Y. k1 D! r& U% s# _( x对于外购IP的Fabless公司,黑盒IP在3D设计中将成为瓶颈。未来的IP授权可能包含两层:基础层是标准2D交付,高级层是支持3D协同设计的"开放接口IP"——允许客户在NDA框架下获得IP内部的关键时序和物理参数,以用于跨Die联合优化。这一模式虽然增加了IP供应商的开放风险,但在3D设计成为主流的趋势下将不可避免。3 [( T' k) h8 ]+ u$ ]( L  x

    6 V9 z4 j7 c7 t; p- h7.2  EDA层面:真3D工具链的加速成熟
    ! B3 [9 z  b( Z  i; j6 R% P- t5 C' P
    * |- M5 G! ?6 ?- G+ A, u6 y* y推演3:Cell-Level真3D EDA工具将在3-5年内形成初步商用能力5 q$ n6 z" @7 I* `- R1 f
    当前的"伪3D"EDA方案(打平3D为2D后独立优化)只能作为过渡方案。随着LogicFolding的麒麟2026/2027已经流片,说明了在不成熟工具条件下已经可以完成设计——但成本和周期一定远高于成熟工具。这一现实需求将驱动EDA行业加速"真3D"工具的开发。关键技术节点包括:
    0 m5 f* [' i2 Y* a; p5 R* [9 E' _0 U
    • 3D Placement:基于全局3D目标函数的标准单元跨Die布局引擎。
    • 3D CTS:如SkyClock方案的自动化实现与优化。
    • Cross-Die STA:多Die统一的时序建模与Signoff流程。
    • 3D Power Grid Analysis:多层供电网络的协同仿真。
    • Thermal-Aware Optimization:3D布局中的热感知自动优化。
      3 v4 `. f3 e5 q  \' E  W. w  q
    $ C3 x- O7 Z+ O
    北大团队早期真3D EDA原型的线长-30%结果已经验证了方向的正确性——从学术原型到商用工具的工程化将是未来3-5年的主题。国内EDA企业如华大九天、概伦电子等在这一方向上将有先发优势——因为他们可以直接与海思的3D设计需求对接迭代。; @/ d* _# v- @: X
    推演4:AI驱动的EDA优化将成为3D设计的使能技术
    * N* t* t0 T& a2 F: i8 W! r3D设计的搜索空间是2D设计的指数级扩大——Partitioning×Placement×Routing×Clock×Thermal×PDN的联合优化复杂度远超现有工具的处理能力。AI/ML驱动的优化(如强化学习Placement、GNN辅助时序预测)在3D场景中从"锦上添花"变为"必要条件"——没有智能搜索策略,人工调参不可能覆盖如此高维的设计空间。
    ' A: d! z! W7 r2 |. t+ ]( M+ o4 e7 p0 W. ^! V/ J6 |4 p
    7.3  工艺层面:国产与全球化路线的分叉
    : k% _0 X. Z) ?- t$ u  T( y, D+ k1 t, a$ g& Q
    推演5:全球半导体工艺路线将正式分叉
    . c7 Q, F* s  a9 I! X: kLogicFolding的提出和工程验证,标志着半导体工艺演进不再只有"把晶体管做小"这一条路。在DUV多重曝光接近尽头后,"逻辑堆叠"+Dual Wafer架构形成了与"继续推动EUV/High-NA EUV"平行的技术路径。
    7 i8 X4 p5 u- P$ a8 @! _$ c全球路线分叉的具体内涵:+ _1 i& Y. `6 m& E
    • 全球化路线(TSMC/Samsung/Intel):继续推进GAA/CFET先进制程,3D方向以HBM、Chiplet、先进封装为主——"把盒子叠起来"。粗颗粒度、相对固定的结构,不改IP内部。
    • 国产路线(华为/海思+国产Foundry):在DUV工艺限制下,以LogicFolding为核心——"为了盒子叠起来以后还能可靠高效地工作,把盒子里面也一起改"。细颗粒度、3D原生IP、W2W逻辑叠逻辑。5 L! c- f9 C% \

    ; g3 d1 X9 s4 s( @/ B* Z"之前一套流程能给全球所有设计厂商用的时代不存在了。至于分叉之后,结果是什么?五年后,我们来看看吧。"——分析者评价, @7 |1 N0 L9 O; s
    推演6:先进封装和键合精度将成为新的制程竞赛焦点
    * O1 B9 N# L6 l" x4 J当几何微缩受阻,竞争的焦点将部分转移到封装和键合领域。W2W Hybrid Bonding的对准精度(当前~1.5 μm HB Pitch)、晶圆平整度(Z轴一致性)、减薄工艺(应力控制)、TSV深宽比的持续优化,将扮演和光刻精度类似的"制程指标"角色。在这些参数上的进步,将直接决定LogicFolding能堆多少层、能推多大的Die。# ~3 t# X2 s3 v$ S# G

    ) i) ~) ^- f, \& k3 d7.4  产业链格局:从分工到整合
    ) Q, v1 p, E6 H' \5 r
    # |, a  {+ Y) a+ r6 m推演7:垂直整合模式将在先进半导体领域获得竞争优势! p  F2 R: N& y0 V& \6 Z1 ]
    过去三十年的Fabless+Foundry分工模式,建立在"标准平面工艺可以被所有设计公司共享"这一前提上。当IP、EDA、工艺需要为3D设计而重新耦合时,高度分工模式的内在矛盾会被放大——需要一个"中央集权"式的技术主导来全局优化。这意味着:
    7 w/ l; K7 J% b* r6 F  ^
    • 拥有自主IP+自主设计+自主EDA合作的芯片公司(如华为海思)将在3D设计上拥有结构性优势。
    • 依赖外购IP+标准EDA工具的Fabless公司将面临3D设计的进入门槛。
    • Foundry需要提供更深入的设计协同和封装能力(类似TSMC的OIP生态,但还要更深入),否则无法满足3D客户的需求。( m( E  p* z! r3 F" R" v5 V0 V
    , o9 m0 D0 o6 ~
    推演8:国产产业链的内循环迭代将加速* A! t  R2 c5 i- ~# u  O5 D
    华为已经展示了"在受限工艺上的创新设计可以追赶甚至超越先进工艺的收益"这一路径。这一路径的成功验证将产生两个连锁反应:一是更多国产芯片公司跟随LogicFolding路径,驱动国产IP和EDA生态加速成熟;二是设备/材料/封装的国产供应链因为市场需求端的拉动而加速技术迭代——形成"设计创新→工艺需求→设备研发→良率提升→设计再创新"的正循环。( Y* W( V5 M, i3 _- y; V4 w
    6 C% g* l' K6 \9 q  t
    7.5  时间线预测
    ! l/ p8 D/ O: {0 v3 M9 G# X. @
    : ^+ I& T3 g: V" @. O  R$ D
    2 ?  D+ ^' V1 P' I* o/ @. y
    时间关键事件预测
    2026 下半年Kirin 2026流片公布Dieshot,验证是否双层Logic结构、HB Pitch ~1.5 μm
    2027Kirin 2027量产搭载Mate 90,2层LogicFolding在小Die上形成量产曲线
    2028Kunpeng 960实现4.0 GHz,Circuit Folding+3 Die堆叠走向成熟
    2028-2029首款商用真3D EDA工具链出现(国内企业占先机);3D原生IP开始商业化交付
    2029-2030LogicFolding+3-4层堆叠在AI大Die(Ascend 990)上验证——τ定律叙事最关键的一步
    2030-2031全球3D逻辑堆叠成为主流设计方法之一;国产路线与全球化路线差距显著缩小
    2031+5nm以下制程+3D堆叠的混合方案成为现实,等效密度超越1.4nm
    # F8 H2 t0 V! j/ f" X6 @. \# w" ^
    8 z0 D2 d- V5 j
    第八章  结  论$ k3 r* j9 g* k, k* h. A
    9 O: f. d( I9 T$ o2 v+ u7 D
    韬(τ)定律的提出,是半导体工业在"几何缩微"路径减速后,第一次有企业提出了一个完整、可操作、经过硅验证的替代性系统设计方法论。它不是新物理定律的发现,也不是新器件的发明,而是"优化范式的迁移"——将性能提升的动力从"把晶体管做得更小"转向"把信号路径做得更短"。" ]- U/ K7 h  J- k: \# }; v, {
    这一迁移的工程载体——LogicFolding(逻辑折叠)——已经通过麒麟2026/2027的流片证明了可行性。芯片级晶体管密度+60%~80%、DSP模块面积-40%+频率+37%+功耗-24%的实测数据、以及从手机到数据中心的完整产品路线图(Kirin→Kunpeng→Ascend SuperPod),共同构成了τ定律的实证支撑。! C( k% j2 r$ y) K+ c
    τ定律的独占性不在于某一项技术的原创性——Hybrid Bonding、TSV、3D-IC、STCO都不是新概念——而在于华为海思被迫走上全栈自研道路后,获得了"命令所有层次围绕全局时间优化而改动设计"的权力和能力。这种能力不是任何一家Fabless公司可以通过购买IP或授权工具来获取的。
    4 T$ }9 Q. A6 C' }; P: O对后续半导体领域而言,τ定律的意义在于:它为中国在受限工艺条件下的半导体发展提供了一条可行的、可持续的、经过实证的技术路径。这条路径不仅包括芯片设计的范式升级(从2D到3D原生),还将驱动EDA工具链、IP商业模式、封装工艺、甚至产业链组织结构的系统性变革。/ L8 {* e' `% u/ i
    麒麟2026/2027的流片验证了2层小Die的可行性——这是最重要的第一步。接下来最大的考验在于:将LogicFolding推广到700mm²级AI大Die的3-4层堆叠。手机端的成功回答了"能不能做";AI大Die考验的是"能不能做到大"。% H( P) c/ g$ G" V6 X0 D
    后者的难度是指数级上升的——良率、散热、供电、互连密度、信号完整性——每一项在大面积多层级上都会变得截然不同。+ {9 n! P1 y, v- C
    "过去几十年芯片全球化的发展,虽然是工业皇冠上的明珠,但一代下来积累的屎山不算少,而且Fabless模式的细致分工,虽然减少了各环节的投入成本,但是职责分化也让各环节的壁垒加深。当摩尔定律走到极限时,不管是国产路线还是全球化路线,都要开始寻求IP层面的突破,3D设计是大势所趋,这个级别的革新双方的起点是相同的,都要重新开始。"
    7 P( q9 g; J1 H; f* [" W* I& d1 O! }- [- _; ^2 P) p
    参考来源# o' F7 s! `' G" N1 d5 E7 Q8 z

    & ~) `+ l0 c$ x7 j1. 何庭波 (2026). "A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems." IEEE ISCAS 2026, Keynote Session.. {1 n5 N! J6 Y8 r- A5 e' o  q8 ]: R
    2. 黄勇 (2026). "基于逻辑折叠的移动终端SoC设计实践." IEEE ISCAS 2026, Technical Session.(B站IEEE中国全程回放)4 [; O+ X; k. z% w' `
    3. 华为官方PPT:LogicFolding for Mobile Terminal SoC, ISCAS 2026 Day 2.
    6 N  a4 D, s  `4 R2 Z2 Q; J4. 咸鱼小山 (2026). 知乎回答:华为在ISCAS 2026介绍逻辑折叠LogicFolding工程思路细节.
    2 B+ P" v4 y0 J5 F8 t5. Bill (2026). 知乎回答:华为在ISCAS 2026介绍逻辑折叠LogicFolding工程思路细节(技术分析).
    2 n) Y& V8 O6 o" C6. 栖于永夜 (2026). 知乎回答:W2W良率分析与SkyClock跨Die时钟方案.; n" E/ N; F9 ]! s! s) D1 |( n
    7. 李奇 (2026). 知乎回答:EDA/工艺分叉讨论,3D Partitioning分析.3 b* g! \7 t- a0 ]; R- n
    8. i0nium (2026). 知乎回答:Thermal-Aware Partitioning和封装散热分析.
    4 ^6 g0 e/ l; G, Z8 W9. 李博杰 (2026). 知乎回答:Unified Bus系统架构角度分析. OpenURMA开源项目: github.com/bojieli/OpenURMA( D+ T3 k: t& n: m8 G, ]/ Z
    10. 乱序摸鱼 (2026). 知乎回答:全栈联合调优能力分析.
    9 k$ i+ I6 J3 K11. 华为此前公开技术规范:Unified Bus Protocol Specification (2025).7 w$ q4 h0 L# Y9 D0 V
    12. 北京大学团队真3D EDA研究:线长、WNS、TNS、热仿真对比.! e4 d% p4 ^# O- a7 f2 c! j6 j
    13. 华为官方新闻稿及多家媒体报道(光明网、搜狐、凤凰网、CCTV等).

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  • TA的每日心情
    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    [LV.10]大乘

    沙发
     楼主| 发表于 2026-5-28 17:47:23 | 只看该作者
    这是搜集了资料之后让agent重新组合形成的分析文章,修改格式,上传文字和图片也是agent做的' K1 P/ T- f* _

    $ T  e3 d. a9 T2 N5 G6 I" W试了下好像感觉还可以

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      发表于 2026-6-2 21:37
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      发表于 2026-5-30 03:44
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      发表于 2026-5-30 03:03
    油墨: 5 油菜: 5 给力: 5 涨姿势: 5 这真是极好的: 5
      发表于 2026-5-28 23:43
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  • TA的每日心情
    奋斗
    17 秒前
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    板凳
    发表于 2026-5-28 23:30:54 | 只看该作者
    提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:
    8 w, |! n8 ~4 V; ]) b6 u6 _: C# V+ o) k5 z+ n
    Face-to-Face Hybrid Bonding(正面对正面混合键合):两片晶圆(Wafer)正面对正面,通过阵列式的铜柱(Cu Pillar)实现超高密度键合。
    , o. r, y6 }8 i8 S3 O' ]
    , h  U& [. v3 g! W, w
    如何实现?是先分别在两片晶圆上制造电路,然后通过铜柱连接在一起,还是先在一片晶圆上制造下层电路,然后布设铜柱,再制造上层电路,最后把第二片晶圆扣在最上面?第一种方式对精度要求是巨大挑战,第二种方式个人感觉目前不可行。
    9 ^1 m- z0 I" V! R7 ?
    7 T# _/ @9 B9 n& r! C- p5 B- H读后感:这种方式对散热,时钟,电磁效应是巨大挑战,也就是对设计的巨大挑战,在AI之前是不可能的,现在借助AI才成为可能。最后对良率也是巨大的挑战,估计开始阶段的良率会低的可怕,如文中所述,只能分散到不同产品线,也就是华为借助中国消费者对华为的支持,才能cover住成本。
      }, p% F0 y; C' ?1 J. X5 A% m" S; g) r6 F7 C+ G! q
    也如文中所述,这和传统的芯片设计制造就是两个路径,这相当于芯片设计制造的微观世界里的全国一盘棋的计划经济模式。估计早就有人想到,但恐怕真的只有面对生存危机,受到全国全产业链支持的华为才能走通。而这一旦让华为走通并且发扬光大,那未来芯片业就要变天了,很多小IP设计公司要么被华为收编,要么就可以关门了。如果美国不能及时跟进的话(其他国家绝无可能),那台积电都不算筹码了,估计如果十年后大陆登陆某小岛,直接就通知美国,赶快来几艘船把这些破烂拉走,别占我们地方。4 T" X( T$ e) R) @0 j0 Z. P
    6 @- `" T4 ^. z
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    地板
    发表于 2026-5-28 23:48:37 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-28 03:47- \8 q& f+ K4 t+ e1 k! x
    这是搜集了资料之后让agent重新组合形成的分析文章,修改格式,上传文字和图片也是agent做的
    ! y" @* \# Q" d$ {4 I% E3 x
    & o/ K6 \, r/ I; ?. M试了下好像感 ...

    / O: H) Q2 Z- I# N9 `! V+ c; e哇,Agent那么厉害了啊!佩服!, K4 `+ s* V) `6 q' j: v  ~2 _: n
    更佩服能指挥Agent的蚊行。帅才!
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    2026-3-17 22:01
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    5#
     楼主| 发表于 2026-5-29 00:10:57 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-28 23:30# y' B3 h. I7 O$ E  j
    提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:

    / K/ B+ }  ^% x# m应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了% R( Z! R; s. k( G, D/ q- D
    因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼接,那就应该是可以考虑用不同制程工艺生成不同的部件再组合起来,想想都觉得头大,甚至感觉只是在放卫星吹牛逼
    + I$ i+ Z4 [0 j3 w8 [+ ^$ A# u) w0 B1 C6 {0 F) U) v
    但是华为自己说麒麟2026/2027(应该是)已经完成了流片,2026进入了工程测试阶段,9月就要正式发布,这就有点儿惊悚了" R+ s  \$ j8 H, _; Z2 L
    人家不是在画PPT,人家已经做出来了,而且良率和成本看上去还都不错

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      发表于 2026-5-30 03:04

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    2023-2-8 04:51
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    [LV.Master]无

    6#
    发表于 2026-5-29 01:16:51 | 只看该作者
    你们对华为这个吹得有点过了。。。作为Process Engineer, 俺没看出华为出了啥突破性的东西,Hybrid Bonding是已经在用的东西了。华为就是有提高,感觉也比不上YMTC前面搞出来的XStacking意义大。本来以为华为在设计那边搞了突破,但看可梦之的评价好像也不高。
    ' z. O* o/ _2 A  N感觉就是把各项技术综合整合来跳过EUV壁垒,这如果做成当然也是很厉害的,看看下半年9050的表现就可以打分了。
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    2023-2-8 04:51
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    [LV.Master]无

    7#
    发表于 2026-5-29 01:18:56 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-28 08:10) s+ @  i5 R. h
    应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了
    0 n+ s- Q# `$ ^; R7 O1 F5 c因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼 ...
    . o: j3 H7 ~( K
    D2W (Die to Wafer) bonding,不是W2W (wafer to wafer) bonding. 拼接不同工艺生产的部件不是问题。

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    8#
    发表于 2026-5-29 02:09:40 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 01:16
    ( r0 u) k1 y9 C1 B2 R5 G你们对华为这个吹得有点过了。。。作为Process Engineer, 俺没看出华为出了啥突破性的东西,Hybrid Bonding ...
    0 l" B& w: {+ _; b1 K* `& Q7 ~
    ) X" e. q) B% {) j9 u7 j# A/ P
    很尊重你和可梦老弟一直以来提供的业内第一手技术解读,学了很多。这里给两位提供一个其它视角。
    7 c$ _# A) O' A2 [
    $ b0 p! P( a( `" @+ t我们习惯美国公司内部和公司之间工作方式的“业内”人,一般按单人、单公司能力估算菊厂工程能力、产品能力。我刚开始就陷在这个坑里,认为微软:菊厂工程师1:5以上的能力对比,菊厂开发、产品能力有限。( o; ]# V7 A( }& [% \, \

    ' ?' s) c1 }4 R, W' F% ~+ s但是,实际工程、产品实践结果是比微软200%,500%的快速工程,产品结果。甚至是技术突破。
    6 N, K2 g, n7 Q" @5 ]. T2 `2 X3 _; v% v- O1 M4 o! Z
    为什么?7 T! Y6 \4 F5 F  d$ X6 c
    3 f% @" G/ n0 k3 w- f5 w' D
    只要各个节点有1,2个真正的技术带头人,再加上一个能把所有能力一般的个人、协助公司,合作伙伴公司有序管理起来的强有力的工程管理组织流程是关键。
    . J2 R- C( s( \" i. x$ u* o2 W; `% Q. a
    就像蚊行文章说的,不能看单点先进性,要看把整个产业链统一起来以后的整体先进性和革命性。
    # T; c/ ?, j7 J4 U. c1 \! U3 b& ~7 R. j6 Q
    福特汽车生产线如果让之前的汽车厂家的工程师看,肯定说这有啥技术突破。但是,这个对于工业生产来说就是革命性的。2 M6 ?* ]$ c) {

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      发表于 2026-5-30 04:56
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    2023-2-8 04:51
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    [LV.Master]无

    9#
    发表于 2026-5-29 02:37:47 | 只看该作者
    本帖最后由 moletronic 于 2026-5-28 10:39 编辑
    5 u$ O% D. M, s( _4 F/ n( e
    - Y1 p3 @2 U' V& V6 `% X: s- ^俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性’之类的评价要求比较高。9050的评测数据出来前俺觉得就说革命性还早了点。
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    10#
    发表于 2026-5-29 02:55:02 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37  Z# T, \. M( [/ b+ R
    俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...
    / A  o  \$ z* B! V1 {2 \
    同意同意。菊厂牛皮吹破也不是一次两次了。
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    奋斗
    昨天 07:29
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    [LV.10]大乘

    11#
    发表于 2026-5-29 12:50:30 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37: M! q, j2 T* O4 {
    俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...
    5 o- ~" S; C! h6 g: s$ j7 @6 W
    要相信系统论的力量。
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    2026-3-17 22:01
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    12#
     楼主| 发表于 2026-5-29 13:01:01 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37
    3 Q$ ~9 r# Y! Z* u. F" h1 |+ u俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...

    4 r6 M) v- e4 b, t+ l( R9050这个不算革命性,但这个方法论还是可以称得上革命性的
    . o' @& b- s' R$ o: a; T6 J看现在的消息9050应该是缩小了面积后再折叠的,估计是良率方面的考虑
    4 r& y2 C% s1 h如果9050能够达到8gen3的水平(4nm,大核3.3G,八核),那我觉得就算符合预期了. X- Y4 j. E8 c3 K2 t

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  • TA的每日心情
    无聊
    前天 06:44
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    [LV.Master]无

    13#
    发表于 2026-5-29 16:24:57 | 只看该作者
    看了蚊行的解读,谈谈我的看法:
    ; w- k8 E- L1 d6 i" D1、系统性思维:根据功能、性能、功耗等统一设计应用芯片,而不是功能芯片,这就是自己拥有EDA工具链的巨大优势,利用自家的EDA工具可以平衡各功能块的集成度,各Die或Wafer性能、功耗等的平衡,如果发现有些EDA工具达不到的,增强EDA相关设计能力来完成,整个设计按照目标的逻辑来完成,所以称为逻辑折叠。而传统的CPU、GPU厂商只能利用别家的EDA工具做固定的功能块,然后成为物理折叠。7 x1 c) w' S8 {' |, l6 x" k4 v: ~4 s( u
    2、目前以系统性对抗国外光刻等尖端性,跟上时代的步伐# k4 m  C! K7 o- }. M
    3、系统性并不排斥尖端性,等我们光刻设备上来后,这套体系将如虎添翼。

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    如同前苏联制造的航天器,单项性能不突出,整体经过系统优化后表现优秀  发表于 2026-5-30 11:18
    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:55

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    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    14#
     楼主| 发表于 2026-5-29 22:43:53 | 只看该作者
    testjhy 发表于 2026-5-29 16:24
    : K$ y3 N8 L) y5 [4 z看了蚊行的解读,谈谈我的看法:
    + ~. x: c; _  [# M1、系统性思维:根据功能、性能、功耗等统一设计应用芯片,而不是功能芯片 ...
    ! G$ ]8 T" P: ~5 {$ v: P3 h
    更本质一点的话,韬定律这套东西其实是在抢夺先进工艺的定义权
    0 Q0 U, u7 r  w- ~' L从14nm之后,所谓的x nm早就不是对应物理概念的那个数字了,本身也是个等效算法甚至是商标) M/ t1 s% j9 Q& L- g2 U) d7 Y
    既然如此,那就把nm这套老办法去掉,大家按照完成系列通用任务的效率来看,谁效率高谁就是先进的,效率高不就是用的时间少嘛。# ]: ?0 s% J. D& b
    也别纠结什么EUV/DUV的,谁能完成任务谁就是好汉! E. @0 p$ s7 @" S2 o

    / U0 K: f% d) i7 p( c) x* y如果这个9050在性能和功耗上能够追平高通的8Gen3,那就差不多可以认为是相当于4nm的水平
    0 ~' d2 v! d: P2 I& v用Duv做出4nm来,那不就是Intel当年心心念念一直要做成的事情嘛,最后没成
    2 ~* m" W; k. H# R$ r7 ]( N; ^DUV这么搞下来,成本还真不一定比EUV贵2 ?' q! ~. y. z' h- S

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    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-6-11 15:03
    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:56

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    云淡风轻 + 8 谢谢!有你,爱坛更精彩
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    15#
    发表于 2026-5-29 23:49:03 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-29 22:437 i6 g2 T2 R4 B, w6 ?. m. u
    更本质一点的话,韬定律这套东西其实是在抢夺先进工艺的定义权
    $ Y6 E. Q; s8 R' v# g. E从14nm之后,所谓的x nm早就不是对应物理 ...
    $ @/ d. M& H7 y) }% \& N/ Z8 Z' J# M
    菊厂在抢夺定义权,尤其是国际标准的定义权上面是有执念的
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  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
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    [LV.Master]无

    16#
    发表于 2026-5-30 00:08:43 | 只看该作者
    是不是俺对“革命性”的定义太高的原因啊,俺对9050的期待值可是更高的,应该能达到台积3nm的水平。
    ; g5 I- `2 @* d: H另外,牙膏厂当初可不是用DUV做3nm,是10nm。这其实不算太难,台积对应的7nm就是全DUV制程,后来是为了减成本才用EUV。早期EUV生产成本还是太高了。
    ! l. v% `# C) a, R华为这个方案很难说能比用EUV的单层方法便宜,毕竟处理的层数要加倍了。

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      发表于 2026-5-30 03:56
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  • TA的每日心情
    开心
    3 小时前
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    [LV.Master]无

    17#
    发表于 2026-5-30 01:48:36 | 只看该作者
    WiFi 发表于 2026-5-28 13:09* _) f. \) n; l  M, g7 k
    很尊重你和可梦老弟一直以来提供的业内第一手技术解读,学了很多。这里给两位提供一个其它视角。
    % \/ s) d8 K" a, C8 y1 L5 ]$ u( S; g) s4 K/ b
    我们习 ...
    ) h( L4 V- z7 Z' a, w5 j: K/ |' k
    站你這邊, 帶過國內團隊, 他們特別適合大規模作戰, 特別能打, 他們一兩個人厲害就行。

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      发表于 2026-5-30 03:56
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  • TA的每日心情
    奋斗
    17 秒前
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    [LV.Master]无

    18#
    发表于 2026-5-30 04:30:56 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-29 00:10
    % t, l# U/ w$ n3 t/ M, \应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了; J; \' e; y; N# X' A
    因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼 ...

    ( E6 f6 `5 W, g) ?第一种方法能实现也已经很逆天了。但我还是担心良率问题,虽然华为声称已经在300多款芯片上做了实验,下半年产品就要发布了,但产品问世了,性能一目了然,大家都能测出来,而良率和成本这东西,华为自己不公布,别人谁也查不到。! Y  v4 T0 K  P& t
    8 f0 _! s& n: v& Q- ?& y2 t
    华为这次公布韬定律的时机也很有意思,除了技术方面,大概还有政治博弈的因素。特朗普刚刚访问中国,表现得规规矩矩,英伟达黄仁勋最后时刻扒飞机也要来,AMD苏姿丰虽然没能混上一张机票,但特朗普刚走就来访问中国,尤其是当年制裁华为跟进最积极的美光居然也来了。这说明,美国对中国的芯片制裁,是否还能压制住中国,或者说还能压制多久,已经产生松动。华为公布韬定律,也有对美国喊话的意思,早晚压制不住,甚至可能被反超,不如早点合作共赢,收手吧,阿祖。
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    19#
    发表于 2026-5-30 04:53:56 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-28 09:307 q# f; N" N8 @$ Z% T
    提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:
    5 I' S' Q4 b$ o  C1 _. e
    有没有可能是将晶圆布设铜柱后对接,然后上下层同时刻电路?感觉这样才能保证对接精度?
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    20#
    发表于 2026-5-30 09:06:00 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-30 04:30
    $ H1 e- m! \0 ]8 |/ Y第一种方法能实现也已经很逆天了。但我还是担心良率问题,虽然华为声称已经在300多款芯片上做了实验,下 ...

    . t8 C" a6 m! A8 c2 Y( V“大概还有政治博弈的因素”$ f1 T2 L2 J  B% c+ W0 q; L' x, Q

    0 M& A" H3 r2 C  t- e1 G) r. F- Y我认为没有政治。海思为发表这个论文准备多半年了,因为麒麟2026芯片马上要发布。必须赶上这个节点先把理论抛出来,然后用麒麟芯片的性能来闭环论文给出的数据。9 |* Z% Y& A& W4 j1 w
    + f2 O- [" z, g% ^# h1 E% C1 {
    这样这个理论就立住了。
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