1.工艺节点简介

半导体发展到现在，整个电路发生了天翻地覆的变化。昔日王者Intel给出了一些从1微米到14nm的技术变革的变化技术重要节点:路线图

   上图中我认为有几个技术点值得关注

1.从Bipolar到CMOS的变化，这个是个重大的革新，CMOS工艺具备了低漏电和低驱动电压的好处，给数字电路带来了春天，来到了低功耗的0和1的世界。

2.  HKMG high constant metal gate的导入

    当工艺节点发展到32nm或者28nm的时候，传统的多晶硅栅级结合SiO2栅氧对沟道的控制力出现了致命的问题，源漏之间的punch through导致的漏电问题必须用新技术来补漏，台机电在这个节点上顺利摔下了其他的代工竞争者，成了唯一一个有机会跟上intel的选手。以IBM为 首的反动派的gate first工艺派遭受了不是第一次的技术挫败，又一次成功的拉着三星GF联电挖坑跳坑，坑了他们。

2.FINFET的重要性

       专门把FINFET拿出来讲是因为这是一个跨越式的工艺变革，intel在22/20nm这个节点又成功利用这个技术弯道拉距离了，台机电在这个节点上出 了大问题，直接导致了高通810的惨败，高通对此相当之恼火。这也是为什么高通10nm投入三星阵营的重要原因，当然三星的坑更多，高通之后又要跳回台机 电，因为台机电拥有全世界最全的IP库，在设计上是对客户最友好的。这个可以理解为谷歌和微软对软件兼容性的差异。

intel从22nm起就开始了FINFET，事实表明这是个相当牛逼的技术节点

14nm/16nm工艺上面intel还是领先于业界的，台机为了保证10nm的成功量产，主动没有按照路线图，而是选择了16nm的低难度玩法，当然三星的14nm成功一个重要原因是台机大将梁孟松由于郁郁不得志而远走三星大大加速了技术的革新。

FINFET实际上第一次将晶体管由平面走向了3D，简单说将沟道由硅内变为突出，利用栅级的包裹，实现了对沟道的三个方向的控制，可以很好得解决漏电问题，实现性能与功耗的完美提升。10nm技术上没有太大的革新。

3.未来的极限在哪里？

没人知道硅的极限是几个纳米，但intel提出了一个看法是10倍晶格（晶格概念和原子大小不是一个，硅晶格大约是0.5nm，5个埃）以下很难实现Ion与Ioff的完全控制

同时给出的未来技术断裂点是三五族的导入到硅本体来改善带隙开加速电流密度，目前看这个技术导入至少要到2018年7nm的时候才会真正发挥作用。

另外一个5nm的技术方向是IBM一直力推但是intel迟迟没有给出正面评价的FDSOI。这个技术的优势是彻底解决了之前平面器件PN往纵深发展的路径而导致的穿通漏电问题，同时未来成本的增加可能并不是那么明显。

回到上上个图，intel认为到2020年可以用碳纳米管，其实就是我们说的石墨烯实现1nm的工艺突破，这个明显是或许乐观了，不过IBM一直没有领导半导体未来技术了，这次赌对了？

4.回到现实

   Intel虽然失去了大腹领先的战略机会点但我认为在ARVR世代intel如果调整好战略还是有机会的，这个硬件对手就是高通了，而高通的后台是台机电 和三星。当然我们不能说AMD完全没有机会，但是目前从余粮上看没有发动大规模战役的能力，还是搞好GPU更有利于活下去。

  高通835这次的广告语已经说明了一切：尺寸与上一代旗舰处理器相比减小 35%，功耗降低 25%，能够提供出色的超长电池续航、逼真的 VR 和 AR 体验、顶尖摄像头功能和千兆级下载速度。尺寸和功耗放在了最核心位置，VRAR是最核心的优化点，6个自由度的VR体验对未来实现VR影院的普及相当重 要，4k 60帧也是为了实现低延时。至于顶尖的摄像头，抱歉我没看到ISP和DSP的大幅革新的描述，暂且认为是小升级。

  手机不是电脑，对性能的提升总有尽头，大床论正确的一点就是消费者的体验长尾效应很明显，而市场也给出了答案。小步快跑的性能升级同时向需求更强烈的VRAR方向转向更重要，这是厂商的回答。

   目前手机市场已经由增量市场走向了存量市场的争夺，今年整体上市场接近于不增长的态势不可避免，营销和设计上短板补足也成了各厂家的重中之重。

   单纯的希望拿高通处理器吸引消费者越来越没有那么大的作用，这也是有些厂商2016基本上成功把自己的品牌从200块做到了500块的核心因素。花有再红日，人无再少年，再见！

    另外我想说的是，三年后，中国半导体市场一片血雨腥风可以预见到，过剩的产能将会嘲笑那些对经济规律毫无敬畏之心的肉食者，洗洗牌是不是坏事？不知道