Francesco Siacci  被任命为罗马参议员 后，因为都灵离罗马很远，他要求调到那不勒斯大学能够担任参议员。因此，维托·伏尔特拉接过他空出的位置在都灵，但西亚切保留荣誉教授那里。Siacci   呆在Naples度过他的余生。

      “位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉（Vito Volterra）于1905年提出。简单的说材料的变形主要是靠位错的移动来产生的，而晶界是会阻碍位错移动的。所以说在一般环境下，材料晶界越多材料 就会越硬。

        理论上晶格边界越多，电子要穿越的接口越多，阻抗越高。另外晶格边 界代表残余应力的存在。在材料科学中， 位错又可称为差排（英语：dislocation）指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界 线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。


        理想的周期性排列的晶体实际上是不存在的，真实的晶体中都有位错存在。只要能使晶体偏离理想的状态，则都可称为位错。这些位错除了会影响到材料本身的特性外，也会影响其电特性。

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       在这不得不提一下OCC ，它的全名为 Ohno Continuous Casting，由日本工业大学的大野教授所发明的“高温热铸模式连续铸造法”制造导体技术，因为铸造过程经过特殊加热处理，所以可以获得单结晶状导体， 每一结晶可以延伸数百米以上，在实际应用之长度上结晶粒仅有一个，并没有所谓“晶界”存在，在信号传输时，无需通过晶粒与晶粒之间的“晶界”，信号更易于 穿透与传导，因此损耗极低，堪称是相当完美的线材。科学实验证明：单晶银是一种高纯度无氧银，其整根银杆仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的“晶 界”。单晶银因消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的综合性能，卓越的电学和信号传输性能，良好的塑性加工性能；优良的抗腐蚀性能；显着的 抗疲劳性能。减少了偏析、气孔、缩孔、压杂等铸造缺陷，有光亮的表面质量。


注：机械我不是很熟悉，这是从导体哪儿找来的。

      那个时期啊，电的发展也很厉害。

      蒸汽船，运河、第一次全球化、铁路、电报