TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
|---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
- Z8 C3 ~4 q- ^8 v' f: k" s3 r. O. r兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。
) b& m7 e; B/ g8 D首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。1 J+ q; W. I( k" ^2 w, J1 o
其次，我了解这个方法的原理和缺点。
0 d7 B8 c3 ?2 {" B. f我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。
+ _ }( g7 G* J, W z' [& w+ h, y3 j. |; J- R
按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。
% A, w0 J! T) ^: _" }* F% o1 b7 F2 Q# n$ N
化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。. D0 m+ p. f/ y, l) k8 I# o
将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。- j* s/ S/ \& J
* ?1 u/ g' q& J/ m' S/ `最后再说一点专业上的东西。/ J# G- V2 \/ U; O
你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。. {0 Y2 W. r* l6 D6 ^6 U. m0 T9 N' B
再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。3 l7 ^/ B2 l# \% ~! W. l B
9 ?% n: ~' ~, y. E1 y: {
石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
3 ~- E1 p; `4 A& G
8 f0 m, v+ r6 _3 m( B在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。& @0 f, F% K0 W
! f% O" J* C8 ?& l' q% a% G) K- i
石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。6 ^$ w& l" }2 J
不是不可以，是比较难。
5 m, E: g. [! g+ w
! d: G4 a% D; B! @( I |
|
雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
显身卡
楼主
