TA的每日心情 | 郁闷 2016-2-4 15:19 |
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签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
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! O- h, [% x7 c3 i0 L; ?! b兄弟,我简单说一下我的看法。不一定对,仅供参考。9 {* B9 w7 @# _8 V" h. U* `
首先,我没做过CVD制备石墨烯的工作。
" u C3 l0 z3 G/ `# m4 L其次,我了解这个方法的原理和缺点。
% E* \$ O: ~+ S, p我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。( \/ i0 H1 q; @4 ^4 w
7 M4 P; k! s I2 P/ c% H& E按照逻辑分析,石墨烯的单晶(暂时用这个词,觉得有点别扭)生长和转移如果恨容易(你的说法),那么它的的成本就会迅速下降,品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立,那么石墨烯作为新一代透明导电材料,至少可以部分替代现有的ITO,进入下游产品。作为结果,我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品,也是某个先锋型号或者是概念机。可是,我们没有看到产品,就意味着上述条件均不成立,抑制倒推到初始条件,即生长和转移不是一件容易的事情。3 t/ _. ?/ u; T3 U6 \4 f5 `
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化学原理和常识告诉我们,尺寸变小意味着比表面积变大,表面能增加。稳定性酒会下降。# ]6 G7 T2 u6 Y; ?- T! N% f I6 E# K' F
将稳定性很低,表面能很高的材料要独立存在,是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。
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最后再说一点专业上的东西。2 x4 s* G; [+ s. ^8 {4 b, {
你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。0 G2 H) F, b6 p7 w0 G8 N7 y
再晶体生长中,单晶硅的生长属于自然结晶。就是说,只要控制好结晶条件,原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件,尽可能避免干扰导致缺陷,错位等影响单晶品质的因素。) G% X, d9 g0 q# G
2 \0 [' B7 }* ^# Z8 y3 s; S石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志,只能想两个维度展开,不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
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# \5 l$ R1 P# K& e! n. d6 Q% t在人工晶体生长中,有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异,在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度,于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上,就可以获得一维的晶体棒,二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。$ @- w$ _ B8 h+ L6 Z/ R( G
% V- X, \1 j& _/ y( |! K! g石墨烯的苛刻在于,要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
' v3 o! G* M) M% k, O不是不可以,是比较难。
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