TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
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签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
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: {, ]% e, O: K+ }0 m. U, K6 n兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。
$ S3 H4 j; c `/ D r* \+ a首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。, h3 I* ?, T* ^! i3 ]& }2 B" f9 R1 S
其次，我了解这个方法的原理和缺点。
6 f( y5 N+ @0 H: d$ s8 D我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。
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按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。, Y1 K- _: s2 [: A; F! h
3 g- w0 M4 X: h8 W+ Y3 ~化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。6 p8 p! ?9 O( y( k5 n3 Y3 T
将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。: Z ~7 q: D U4 X
9 f w- S% I3 \( c, u最后再说一点专业上的东西。
' h9 @: S( I/ ]2 z7 T你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。
$ W! F, A" u0 C再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。
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$ }. c$ N& o1 N0 r; D0 I) ^石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
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9 T) |' q' Z: `3 E5 X在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。
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石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
4 X: S" y; _1 e# }$ _# [) ~2 K不是不可以，是比较难。
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雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
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