TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
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签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
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^- u3 P2 y0 v6 H; d兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。& W! e. r# D& V# n
首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。4 x! X( f2 f/ [$ l/ ^- s$ B6 F2 |
其次，我了解这个方法的原理和缺点。
+ y5 ?, b# Z4 G' k6 A+ t7 d: ^我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。: P$ ]7 E9 H+ [$ e+ z4 Y* {
% Q- v8 X" ]5 b8 @/ `; h0 `按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。0 J+ {' o* h( q* x; `
6 |5 b0 R/ e/ ~, v @化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。
2 S C {; p* k" Q% ?将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。
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最后再说一点专业上的东西。8 I6 T" S' u/ j5 b$ T4 C" ^! F) v6 b
你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。+ F7 W+ y) S+ ]! |3 ?2 o
再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。- g' ~. ~* o. @. Z t3 H0 i! V- E
, `" ?9 `! y) Z- E. j) Y石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
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在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。* ~+ u! N8 I, h n. f; u6 `7 h9 [6 W
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石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
# F( T' j6 T7 C: N$ R; C% X" P不是不可以，是比较难。
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雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
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