TA的每日心情 | 郁闷 2016-2-4 15:19 |
---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
9 Z! [! }" b" O4 l. ]1 a兄弟,我简单说一下我的看法。不一定对,仅供参考。
/ O/ K9 {7 N9 s! P' t, N/ P首先,我没做过CVD制备石墨烯的工作。+ j* i% d3 ]0 D# ?# I4 l
其次,我了解这个方法的原理和缺点。
: v" q, }4 ]" q; j/ q/ b( p我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。- i1 _! E3 O- A' @ O r, y& w
. O2 F# r9 Y4 `& d' H
按照逻辑分析,石墨烯的单晶(暂时用这个词,觉得有点别扭)生长和转移如果恨容易(你的说法),那么它的的成本就会迅速下降,品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立,那么石墨烯作为新一代透明导电材料,至少可以部分替代现有的ITO,进入下游产品。作为结果,我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品,也是某个先锋型号或者是概念机。可是,我们没有看到产品,就意味着上述条件均不成立,抑制倒推到初始条件,即生长和转移不是一件容易的事情。
X0 |9 g" x: h; O$ C$ @; N/ @0 t5 U0 `1 U
化学原理和常识告诉我们,尺寸变小意味着比表面积变大,表面能增加。稳定性酒会下降。
& k6 E# A. F! L/ Y, ~9 R将稳定性很低,表面能很高的材料要独立存在,是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。
* z) M$ E6 O6 L2 L, V* N8 S1 R, ]2 m4 A, j( \7 A
最后再说一点专业上的东西。
& w2 s: {1 V) f" U你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。2 J- T- l+ F3 l5 @, g/ Z5 J
再晶体生长中,单晶硅的生长属于自然结晶。就是说,只要控制好结晶条件,原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件,尽可能避免干扰导致缺陷,错位等影响单晶品质的因素。
% l4 D. c# {" t" `* R6 w3 Q. y8 p
石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志,只能想两个维度展开,不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。+ H; V. m+ S9 A3 a" T9 L
6 t+ n4 x' ?% S4 v8 | g在人工晶体生长中,有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异,在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度,于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上,就可以获得一维的晶体棒,二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。& ^1 f/ }% q* Q/ l
, J$ T3 f4 s5 M' P" N+ p石墨烯的苛刻在于,要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
Y8 m* z# I2 _5 O1 g不是不可以,是比较难。% f% e+ F' M1 o! i$ D. L* Q5 _- R
8 w ^+ e6 Q$ p. k2 Q' c
|
|