TA的每日心情 | 开心
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本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑
( D# t0 V; V: [) `$ Y* a+ V4 s( R: f' M% e! P+ p
看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑，这里解释一下。( k- R% V' W. @$ A( U
其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义，逻辑电路就是执行逻辑运算的，而各种逻辑运算的器件都可以用反相器（非门）为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器，而一个反相器是由一个P型场效应管（MOSFET）串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式：
% @8 }4 i6 O4 W% a* \6 a: s8 Y# c^{2} "I_{D}=\frac{\mu_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left( V_{GS}-V_{th} \right)^{2}") 6 M( q/ ^: X5 ~. P9 t. D8 o/ _
这里D是漏极，S是源极，G是栅极。un是电子迁移率，Cox是栅极下面形成的电容大小，Vth是阈值电压（MOS管形成导电通道），W是栅极宽度，L是栅极长度。. k0 [. c) d Z0 \& \0 Q. Y- s
我们平常说的XXnm节点就是栅极长度，所以工艺进步就是要减小L。
, A6 H: w& c4 m, W, ` v提高W也可以提高ID，但这会增大器件面积，减小器件密度，所以不会做。
2 S, E# f# L; _ U现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W，不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L，现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。- |& ^) M, g+ `; T% r ~
现在减小尺寸的主要动力是降功耗，P=IV，电流不能降因为要保持高频，所以降电压的同时要降L。
# }& S3 s5 v+ S5 o1 F% k$ l" h近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过，就是因为ID稳定的原因，而90年代主频是一直在升的。
9 [( n0 W$ j' V R |
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发表于 2024-9-19 00:27:53
