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标题: 半导体节点定义 [打印本页]

作者: moletronic    时间: 2024-9-18 23:58
标题: 半导体节点定义
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑
! R' m% K& {$ t5 a4 A# B8 @4 K# r! }3 l& I$ C( {+ B/ Q0 k7 _8 p
看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑,这里解释一下。* Z; G. s% |. W+ l6 t* f
其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义,逻辑电路就是执行逻辑运算的,而各种逻辑运算的器件都可以用反相器(非门)为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器,而一个反相器是由一个P型场效应管(MOSFET)串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式:# ~$ H4 z7 Y  i# \9 v! d/ r  J
[latex]I_{D}=\frac{\mu_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left( V_{GS}-V_{th} \right)^{2}[/latex]3 y7 n0 ], X9 Q. r, R' _
这里D是漏极,S是源极,G是栅极。un是电子迁移率,Cox是栅极下面形成的电容大小,Vth是阈值电压(MOS管形成导电通道),W是栅极宽度,L是栅极长度。
9 @' s9 t% ~1 Y' A, P, T, f我们平常说的XXnm节点就是栅极长度,所以工艺进步就是要减小L。
1 m0 ~8 a+ G3 @' H2 h) W- M3 {提高W也可以提高ID,但这会增大器件面积,减小器件密度,所以不会做。
4 l# i$ ~4 \+ H* c7 u现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W,不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L,现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。
! E4 z3 M+ c- \' ]% I+ z现在减小尺寸的主要动力是降功耗,P=IV,电流不能降因为要保持高频,所以降电压的同时要降L。
/ E* }3 ~$ u  F: K$ d& e7 X近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过,就是因为ID稳定的原因,而90年代主频是一直在升的。& t$ i1 D9 X. l& H, p& E

作者: WiFi    时间: 2024-9-19 00:27
这个真是太好了!总算真正明白了。
作者: 隧道    时间: 2024-9-19 15:52
搞个图就一目了然了。
作者: alaok    时间: 2024-9-19 20:22
隧道 发表于 2024-9-19 15:52
& S5 C0 G' A; S8 l- v搞个图就一目了然了。

; q5 r. K$ ]+ v9 [+ |( }想进一步图文并茂科普的话请移步下面的链接
3 ]9 P% s- F6 S9 v& h$ D( {晶体管的发展史:技术如何逼近极限?https://finance.sina.cn/2021-03-14/detail-ikkntiam1218666.d.html
  ^# j+ d3 C# o: N晶体管基本概念 https://juejin.cn/post/7010690489741475847
作者: moletronic    时间: 2024-9-19 23:44
隧道 发表于 2024-9-18 23:52! q( }$ V5 P9 a6 b+ O! b+ w4 ]$ y
搞个图就一目了然了。
  A/ A- w: E* g% C* j6 K# P& J
一直没学会搞图床。。。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-20 04:16
上学时候学过。。。后来做电力, 不接触这个了




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