爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
( h  V1 J* m' C& _4 e- f0 u5 w' B& {7 V
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
. R9 F4 m  A9 z7 `% B  h1 ?光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
3 a; C0 l" N& E# h! T* x7 U3 D还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：% I6 L2 ^1 _5 P2 v5 ]
1. 表面清洗$ m7 T2 S4 u$ [; M, d7 i3 U* N* r
2. 预处理1 o+ a# R$ c3 G) f
3. 甩胶
* V; e3 j9 L+ ]5 v, \4. 曝光' c, p  G' o  v' ?
5. develop（显影？）
+ K- u. E; P1 \6 K3 i; z! g8 z  R! D- }6. 刻蚀/离子注入
. f8 Z. r6 w4 s& k1 l) M7. 去胶
/ P, Q( _7 H# L' t! [光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：; ~* u2 `" C: d; K, a6 W
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]- X% p" h; g6 {
对于光刻机，公式演变为：$ w% v  H; j; ^3 H2 \5 ?0 K$ g
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
2 F) D2 R- E. f# ^- E这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
; m1 ], `8 R$ ?9 S) x1. 436 nm (水银灯"g-line")
0 @' A5 z& C0 l  c$ s2. 405 nm (水银灯"h-line") 5 m" a" i7 ~0 n
3. 365 nm (水银灯"i-line")/ {; }+ E. x% y+ Y
4. 248 nm (KrF激光)
1 \" t1 L; b7 J% J5. 193 nm (ArF激光)
: b; ^6 s7 S7 G7 h! ?7 x6. 13.5 nm (EUV激光): }- T9 E6 N5 }+ ?2 n' R
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
/ ^- W) [8 r0 B) j% Q2 Y' i按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：2 r; A" I) P9 j% g- z# g$ A- s
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
. M/ K: a$ Y( h, u% O2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。7 c# V- G( H+ u
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
9 l( |0 L! ?. x& n4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。8 Y$ Q' L! W6 T+ H& G. V

  U. L6 b' Z. c( g3 T! f, w$ ?网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18. f& S2 U' T' H, O% |' I6 V
我还以为你才30多岁。。。

7 I9 \  q8 J; A西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。* v/ s6 r+ g# K! o0 x6 w7 Y. {
' B( g/ {1 N6 z1 E
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
/ M, `5 R3 I* L/ ^/ m" K
# v+ Y* \- H. |* ]3 l  C( ?- W7 |凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢! k7 I2 X9 H. a& F* d
4 b1 }% b6 u2 Z0 x
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm4 l0 l1 Y5 e% N' s! O
( D% F! ~6 y! D. ~7 G" \* S
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。4 Q" a7 y# l3 }- [$ M# L; y
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的* G9 r; p. T- t5 f2 f

: ?" i; k! `! `延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。, D9 t: g# D7 w3 a5 [* _$ c$ F
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
7 q! Z5 J, m% \3 Q( }8 ]; `& A* Z( d, ^0 [* Y6 m0 }4 P( d1 }
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html2 d4 K6 \4 Q* S4 @
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：# _- z+ V  O4 H( [) |0 S. d
2.1集成电路生产装备( r1 {& P7 b- Y* a$ C
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
+ I; L2 N% Z& o+ G: h/ K/ z2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗* K& Z# a5 p' ~2 X. [
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm4 l7 {8 ?& t1 f5 o$ F
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
; [  F: Y$ f1 s+ i2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm8 G+ j% a: l" P3 U6 s) m
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
5 Y# A0 `: |9 g2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
" G* w2 ]0 g  p3 F. \$ w/ q. m/ C2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
9 l1 I6 B# v5 Z" G2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀. n8 Y/ d! n( H# a6 l& g
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
/ h- t. z* `, a5 n7 F2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积) P8 k- ^& j/ o+ M& z9 ]
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积/ O5 B. r. p* B8 W4 A- |
2.1.13化学机械抛光机 * W) H/ `: F/ P1 ~7 A1 f
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
5 }" h6 S+ e/ j1 p2 \    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
1 ]: W/ \7 @5 u2 J* K    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min" k7 H9 u1 i  n6 D: K0 |3 L
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min6 O* F( H: O% V% ?( Z+ f
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm' d3 x' L  _& ^+ |
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm4 O3 j% q, `. J5 Q2 U+ r2 G; Y

) o8 s; m4 B- d很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
0 {$ b! Y. r+ [+ f  ^
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
* x7 \4 y$ u; r公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

, l8 F$ t9 q3 p个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
5 h% c4 F. E( D  b6 Y6 L! L; J感谢感谢5 K: N+ v, J( h

7 x) a7 h. a! n$ E6 J* [工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

2 O' U+ g. @+ j1 a也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！. \& F! c. I% U6 @4 S/ V6 ^- D

6 E* N. v+ N' h5 }6 n" s8 f个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。/ D  v( S1 }0 p; Q! |/ f

) s2 U4 i8 X5 b9 ^' G1 Z& {1、内行人一看就知道，还在65nm0 O4 G/ g- z, _9 O, u
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm6 T5 c( ^& Z3 ?! l
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
: H* \/ {+ [# T$ o  }2 d% d. ~
& q1 i0 R# Y* `4 {/ t  D+ u然后就要等EUV了。
1 o6 C+ l/ L: @( |  j! `$ ^$ e$ }/ z: k; D; [
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
5 l, D: V; c& @) P
3 E. @6 i8 M* _6 ^0 A0 j在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
! c" O0 R9 S; m. M也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
9 s9 b, _+ W8 e1 z1 S) y, Y- g" s9 _, `0 y
个人感觉：相比于前一阵 ...

/ ]) z+ J) `& {+ O( f不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
0 E9 e. W: C& X: W. Q" V3 a, u& w! K% H
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
* p: I% l2 u: M5 x+ e
. m9 V" {' d  z6 _, R. O1 N  U以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。+ ?- R/ w: z9 L; |* R
3 |# n' W; k9 r* `

3 I0 h7 E- G/ M8 s; @. _. X1 cSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。0 r% q* b% Y# ^
9 b& S6 U& G/ K/ v- L! ]9 l

5 J# V$ c4 K, Z& `0 H: r- p工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:425 B' M+ d. D8 _* N9 ~6 _
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
5 N: p; K/ r" i
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46% M  ~6 V% u* S% I
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
) D/ J; y2 K" Y  p
& v1 a8 r6 R# [. v从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
* L& g9 \. t4 p
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
' V5 c2 y1 E% _/ J% y也就是说，EUV用浸水没有用？
7 i6 A5 C. a) h
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:381 N1 d1 [& ]* h# q. Q) e) r
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
- ?0 w2 [$ w0 `2 ]+ Y
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39) X1 q8 M. k+ @2 a" k& C( N
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
4 u' }2 ^+ e( c( _; m2 w' ?9 S
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
: t: d+ x# H5 R9 L3 v9 \+ z我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
" }$ Y! L2 M  o$ \# l  s. i. m8 u* S0 v' f- D5 l% u
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00* L6 E; m! E) ~/ f" l
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 g8 c1 a" @9 d4 Q! j/ u
1 r# ?9 D; Z$ e; J3 |个人感觉：相比于前一阵 ...

% F* w# C: b  ~- i+ |' s8 w( t$ ~1 u, S
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
) x& Y7 b$ J  m. H/ f2 @4 Z
应该会在5年内实现吧。- J* `+ ^/ ?8 ^, q! ^

* B2 g. U. M* |) ]6 h: r( j微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）# n1 ]+ ]% c. F- m* C9 n: @
24-9-16 23:55! t/ l( L: a7 H' ]" a. J
发布于 湖南
) X  T/ S" B$ S0 e: z# m来自 微博网页版- \* _% ~$ f2 y
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
$ f) e7 d/ \/ u/ x) R. N% u不是运过来就能直接开工的。8 c; i4 n9 u! R, Q! N2 V
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
2 s/ m. Q' Q  I! g2 L1 K6 X5 ?( u2 S- _% M& h9 L7 l
这个时间很长，也是我常年说：6 }$ Q1 ^7 u3 u: q# N6 O! B! X
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。+ b7 m2 d1 R) p" j' a, V4 c, ]
* x- `2 T+ e1 S
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。4 j" x5 `, t5 {! ?: W0 u; p

; V( o# L: R1 c( x- i% F* j% m简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。. |5 u7 t' ~% A
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
; _9 z. B& J5 ~; v, `# X1 v" A. j多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
2 V# T7 f* N: x9 V; o" N但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了. A: r( M& D4 W% H' A8 o. D* x7 O1 n

; C- g/ ~- T/ B/ @5 b$ W1 T" k没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
. `, s" F1 N' Z; {0 C- ]普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
5 U+ }" }" w/ n, @' D+ i6 K# _2 @#华为mate70# 也没多久了。! i" {! M  k/ k6 L$ K
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06# N/ i4 j& k" X
应该会在5年内实现吧。
6 T+ T; n% k9 u! Y8 s% t: C: ]" U* |! \- m7 a
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
& I6 X5 z! G2 L9 e8 C5 A( w4 s

4 P, S" ?7 m6 g- e, ?. u+ @这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:158 i) j& ?: ?7 ~
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
. k# N( U- ^) n# P& c7 f0 h0 p
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 $ L0 R1 @3 `: B8 T% S
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
4 |) b4 q( f( x6 q) x但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

( ?1 _+ a9 ?: s, x- P$ M2 K3 `7 [: b6 \" o/ Q* R4 N0 W
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! W) ~* ^+ h$ d  f所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
6 r% b' U8 p) h0 I5 |不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

- D4 ?# O2 i0 E7 N* g* Y理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
  _8 [9 k9 I6 h: ]1 Y* W按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定, [# s/ H" y9 X+ z$ |0 z8 Q
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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有道理。: N+ C+ S! l& X$ R
5 L1 C7 }1 `: V9 d: [$ U
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。4 b' ]4 v. }! W9 G7 S7 }2 I( w! j) W- ]
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中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
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这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
  q2 K% x9 R$ b  C, D* V$ t8 P% h理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

" C1 U3 t( Z7 s& {8 A8 [这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
8 U8 S  C- P: Z2 [) y4 m5 }' D按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 G! c% x) `3 o# t7 W
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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还没搞定？
0 Z  e- O* l* y$ {7 j6 c我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
; e! I0 d/ r& g8 s6 x5 ?尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。2 B+ x1 {, s5 d
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54% g4 R, y$ Y; E; r: u: Y, L
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  s: Q; K# y) [6 G% u. x
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
) e6 k0 Z. u! n5 V有道理。
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4 g5 v; }* s( _% D$ }/ j2 h" ^* Q; _不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

0 S$ H/ a2 b, K; V: Q- d可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
$ V0 c- S+ R8 Y7 M7 F" O4 t很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:193 }; h% j  k% d
还没搞定？ " D0 V; c1 H9 T( u6 g0 J( R8 |
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。1 ]( V" C7 U% C* E
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21) m7 h* f+ I* k
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
6 o0 L! [, M; u存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？* D+ a4 [4 m; ^% x$ Y0 W( @
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34$ a* ]/ E: ?$ y1 ~
需要用到浸润DUV吗？$ v0 K: L2 @7 u% o' C

9 O  t5 J/ g( T我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

$ K- P* h. A2 |# m浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
; K9 ?) F3 D( V: [/ }- F$ R/ x可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

, f6 e! o$ v. q9 X- f6 h8 u是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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8 ^6 B  l% A9 c0 _硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
1 {0 O: @3 y% k3 ]$ M# k; n; x# o  b1 R浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
0 R3 S* C6 o  p. h; l
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:542 n9 o; O- }$ d# V
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定6 P+ r# s% w; U2 u
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( n& E, `; X9 l. M# V6 b; p具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
8 X4 s, y" L, s3 M* ]: j$ I# a具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

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7 z$ ~/ u& ~" @4 a8 g  z" k这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
/ V: M8 g7 b4 N7 m8 x! W都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

2 [! G* r0 w. [; C4 ]不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
- g* f  D' N5 T" ~这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

; J& d" k" ~+ O- U& F中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45% A8 O( P# L2 l' ?- ?6 Z8 S
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。1 l- b: H. u+ q4 o) v% Q6 w+ }
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
1 W2 c% K9 T: O. Y
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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