爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
( i' @7 ~3 z$ h" {! m" b/ a* c6 G
; O* m1 Q9 D4 c3 \2 Z6 D: A被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。$ R- x2 v) O9 B: b
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。. ]% u, d, ^$ \
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
! _/ V, v! u6 F$ J7 ~  i. i1. 表面清洗
3 x  ^! J8 t8 b6 I# Z8 J2. 预处理( O# O) w/ [9 \# u7 a& U+ P
3. 甩胶
+ F- a6 N/ o, U6 N& W3 K3 a- j4. 曝光
" I8 O! n* d6 Q! m6 \8 Y5. develop（显影？）" {  u( E4 w: ]# ?
6. 刻蚀/离子注入+ P" ?  I0 w/ U: v5 z2 ?, N/ W
7. 去胶% p! F" G! V/ x' f: n# b) r) P
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：& R; d* C; }6 @" R0 h
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
3 R- u  Y0 d* n! ]. @对于光刻机，公式演变为：
* G# c' r. {  M' p1 x3 M! T[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]7 ^. r: O/ o6 N2 [1 ~* @( w: O/ ~, @
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：+ G4 X( h# ~' X
1. 436 nm (水银灯"g-line")
% c8 D$ J+ k- b. Q) G2. 405 nm (水银灯"h-line")
* v+ k6 W! r) j8 P7 s# ]2 G# s3. 365 nm (水银灯"i-line")" s( C4 }. h. ^. Z( p  p# k0 o
4. 248 nm (KrF激光)
0 h" G: R' I; }  J5. 193 nm (ArF激光)
$ d  d- E: _% H) Z- ~3 B8 d# `6. 13.5 nm (EUV激光)6 Q" e+ p, e9 W; o+ H
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
. c8 b5 X" d# Y, Q! ?4 K3 T按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
4 S- E. s) j& v$ O8 h1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
4 E( m% ?# C% ]- T, ?6 K' z  R. p2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。; w2 |( k* r. N
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
8 @: e; p& N1 h9 G7 b" {# n4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
% j( }9 F( c  q" @9 z2 T
+ X2 N( D8 ^$ I( u/ L网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
6 ~0 f# g8 T8 P我还以为你才30多岁。。。

+ b4 j* K' ?# a" \. H5 {西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。9 u" |9 n' W4 V! f  W6 O7 K' F

7 x" {3 ~9 z# S  l国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
9 Y8 t% o# B: y; i! @0 {7 z; S% z  @- F. H
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
; k" t5 R9 z! _/ K
5 N* Y5 y3 p! J; |工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
: ~- P3 @6 }! y3 J/ d7 @
  Z  x- v5 v0 V  P按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
/ i& p$ x; w$ S: @( n7 k& o' x' p确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的% |! U! v9 J. ?2 v

0 m2 u) W0 _5 t  ^延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。. U, r  |8 n/ L: W  c6 o  b
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。# V5 f3 V8 p, K3 k  \+ h

( Y4 ~7 Y; ?" i- \另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
3 O2 N4 K! l# D/ x和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：+ _  A8 N" G( d! J" k) J1 y
2.1集成电路生产装备
! s" M& i9 u, ~5 \+ a8 @. U2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
4 O" k: t3 D, f6 P/ p; @2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
( h2 z* M, s$ t5 _& s% [, U* ^2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm' R) p& P3 n6 G- A& |# R9 d1 a& f
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影* x. S% [8 S2 R6 F/ L5 ~3 c  L
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm1 p5 @( Y# b9 |1 Y
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm4 F7 j0 f3 e1 w! C4 h: U
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%6 t# I7 C2 m% b' [- P
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
& x' S, [# U. P2 u" X4 S2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀5 ?+ A7 F" Z8 D8 L
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°. w7 h0 p! s- h5 h6 }, Q
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
" I) h$ x9 s$ _3 s2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积8 A* R/ e) y& ^4 s
2.1.13化学机械抛光机
. V6 W& ~! D8 i    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min$ n& i) _4 ]/ ?9 D1 r( ?; @
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min4 W6 v# |* P; x% b4 R' C+ N; G
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min( V4 P' B* H4 }* |& w( u3 e" ~
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min5 t) t  M7 T: W5 F5 ^. s
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
$ i: E2 @: d  ~' o% Y2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm- n5 @# k& p% M# X
8 x; w6 a) E; {* @- u
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。1 v- d; ~# @  _' m2 C2 b2 k4 F+ Z
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46# W8 X6 e8 r) }- Y+ s3 f4 q, G
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
2 V: m- h4 u0 t* G/ `* b& O
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
. b- [" g3 c9 B& t6 P. ~感谢感谢
2 i& C3 s8 _! @5 f# s) d$ C
: F# h& ^0 H2 f# G& f6 z工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
' Z1 h4 A9 o; l, l5 r! H
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！  h4 N5 ]; |) Y$ s0 U9 ^

8 i* }/ X, t5 u' w! h3 P0 G个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。: n1 u/ b1 p9 v5 E0 V

: N/ y! @5 X  i3 @# E; Z1、内行人一看就知道，还在65nm$ w$ A8 X( f2 n% ^9 l9 i' Y
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
0 L% @- L4 `/ f+ q3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
# C5 m" T9 D) \  N: y1 D# f& s, y
然后就要等EUV了。
, R0 q& C. o1 E0 f! ~3 r2 \9 L# D8 A( V5 z8 Z1 m
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？( M; @$ ]6 J; K- d2 P8 q# u# z2 I
7 I  S. H3 }4 |% C
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
$ M  Z; q2 B( Q! e也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！6 a% p# A! I6 t* A" F
9 M5 i6 c9 C* y
个人感觉：相比于前一阵 ...
$ t  A  T. E9 j' c  j4 @2 [: B
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
" I# _, U/ D# U
, _  \- v* i5 Z% o/ J从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
6 S& W1 [- ~* _, T8 g6 N2 t" ^, m+ k2 t
$ j( v. ]* V) n3 C* K以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。2 |2 Q. w* n, I4 B  r7 N

6 D' S* u% y8 U% D4 h
; w4 i# ?/ e3 wSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。2 ?; O) d% L0 L
+ ^( ]+ m3 e# f1 Y- B  S/ Q

& A, n' V5 w* O工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:421 z* c# c+ W9 C0 H3 ^8 Z4 R5 C
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
  Q9 u- P& w2 Q* X, a. g( u2 g  O
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
8 ?$ ~# c4 [7 K! [) V# z不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
3 Z& |1 s, N+ N' k$ A* e' |# q% z1 I; @" ^* `5 G
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

  V" |% ]2 O6 {1 a8 G2 Y& U& M不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
% L# t% O4 H/ M也就是说，EUV用浸水没有用？

6 ?% r  r" {" M3 _( z3 F  p理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38( i: A! d! M9 H5 ?+ X# L9 Y) M! q
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
- p. t) p- J+ ~. r( R  g  {. D
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39* z- s4 y. W. e; A
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
  e& f* w1 z# r! L, x
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
; l& @% |" F: N6 `) V0 P我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。2 J6 h8 T& m- a4 s: t5 S

* J% B7 ^: F: ]0 c* _+ N3 phttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:003 _3 J1 l+ K% X# K
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
  h8 V, F" n" p6 g+ I7 u$ Z2 G) H8 J2 q! h6 l) b2 q* _
个人感觉：相比于前一阵 ...

* z, _% J( x, |0 g/ _1 n8 b# g& {, p3 D6 w4 n  f
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

* T- w. p* f4 r2 p6 t应该会在5年内实现吧。
* J" Z3 Z4 c/ m( e$ _$ o, P4 u5 g& ^5 E4 {% Q9 F
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）# s  _! k5 T  W2 f3 X9 O
24-9-16 23:55
( |+ E+ d/ F( h发布于 湖南; v! g# \& N/ J: t. h1 Z+ V4 r
来自 微博网页版! @# c$ @9 C+ ~% }6 F, Q- x
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机' N9 W1 P8 k4 a! \! p: D6 N5 e
不是运过来就能直接开工的。
2 Y# \. x" R, f% p7 p$ Q+ T* Q2 |2 A他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
' M, Q; J4 c9 i2 L/ A% E+ i/ _' v, @
这个时间很长，也是我常年说：
5 h) |( u1 {! w  R% e就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。$ G. e* A- E' e8 b
; L1 E' u! R9 _6 Y
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。+ c7 ?4 }" {/ ~) a2 B% ^7 E" e; u# A
3 u# g+ u6 P; w% h1 j, e2 N
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。1 w( r6 a" G3 a' `8 u" b
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）) H+ a8 R9 t# K. @7 h
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
% ^' E$ W6 |/ ]) o, S& Q) t2 \但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
( h1 w9 S3 k, ]& N$ I
! _+ @& O+ c; k) n$ y  E4 E没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。7 c, {$ v7 n  r  y% n8 J* P
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。* i5 X# {4 |  ]! e5 g' a
#华为mate70# 也没多久了。
1 V* }$ m. y) m" q
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06# L, s$ H& |# B, M+ t" M2 |
应该会在5年内实现吧。
* t9 y7 i# V) K
4 v2 x! \5 e2 K  U微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

: K9 l/ G. l& g+ o0 |
: }0 K# U4 U4 j# d8 b7 N+ ?这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
6 x# t/ p, I! u! [! ]这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
* t9 O. c) E7 W+ X8 r* W8 `
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
  F! t. ?- ]6 {* S; C: I, f
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
' g, d8 e0 y! a0 I但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
6 O( c/ v; l- l# P5 a

9 r. i8 A0 `. w& t& d7 [2 W  z按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
6 N  A! o  F% g% J6 {7 \所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:343 Q% t) e5 _/ v! g, B# \; U7 b
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
7 W- K8 f! J- S+ ], x" t7 N1 N
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:546 F3 C  f( _0 S9 U
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定; |4 e% C9 b( Y0 \5 t7 b3 n" d
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
; ~1 k3 d0 D, o: X. U- x6 v4 @* i
有道理。* f* h; n% f; |2 Z) Y+ u! N

" Y( X, |& S+ ]( g8 @7 |不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。7 e" V. G: _  j% M! S0 e1 Z+ ~! V# ^, B

, J9 x- u7 \4 K2 B* o0 [中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
  s+ t$ s/ |2 s! B6 @
# f$ Z5 m9 U; V3 ^5 {! g这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08% p: t; D7 l6 e2 g
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
% R% q: i( Z4 B
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54+ B8 @- t) O9 L+ B9 L2 K
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定; Q' D6 P: B$ y) t( ^0 h
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
+ c/ X/ p$ z- ~- V
还没搞定？
& x) \% w3 J8 n6 S我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
: ^0 L2 m' j; C) O* n* [) e; i尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。, F; K; S/ p; j  N0 e2 E3 |) }
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
! ~- f$ x+ a; B6 ]) e$ q8 H按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定/ G  Q$ W3 q1 s* {4 P9 S
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
2 a$ ?. \# i/ R( C
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:136 ~) i% g) D. ?. q! f$ L# h/ h- w6 U6 O
有道理。* K  }( {4 H: v% M/ @2 q) C

  w: f6 {! p+ o  w不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

1 }% R' n3 X$ ?可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。( q" X7 Z) S' Q) h5 i5 z  ?% G: Z8 D# @
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
* M3 l& _- i7 O
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
6 U# d$ A9 |( p/ M$ U+ p: f还没搞定？ % f) W$ L5 u: B! t3 K8 m7 g
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

& X( D4 r( a* \( y* z( d
- m, r. h  ~! u  o. [8 \Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。1 x$ U9 F% R; D; L) L: U
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
7 x& F2 ]. g, ~# P4 o突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

$ A$ D/ _& z  D0 G& c9 x存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:318 R4 t9 v6 E# o1 }
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

" `4 q: b8 k+ v3 C需要用到浸润DUV吗？6 E& u& V5 I( U" k

# B1 l* C: b) ~5 _) S( b, S" t& i我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
( ^  V3 A9 F: T/ X需要用到浸润DUV吗？
6 U, j# K/ O) F1 q. f
, T  X: @6 Y4 K. u3 v我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

- u# N! H2 X9 ^8 ?$ b$ W浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:232 C# e+ F; h; y3 s8 v% A; ?
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

3 j! p$ V6 _& E3 f5 B2 D! D1 m是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。  m, i$ ~" l5 X8 e! M; q( j+ W
% ~! f3 B+ T2 ~) S
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37( F5 U2 W& M2 N% [+ R
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
# K( w, m3 `9 S' D& ~; F# I7 A
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
% V& ?  E- F5 f6 e  Q% X按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定/ r" h+ x  |5 n4 B3 E7 c
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
# `! g& {& Z% W
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 ; X4 e6 k7 P) ?; L- O8 ]. Q- T7 `9 n
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
/ v1 F- V5 ~# g$ [9 t" |/ X$ s具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
% D3 n' \+ z- \  t" x+ j7 H
, ~, w2 f0 z/ d8 E! W+ ?
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
! f- J) N9 P% e2 k都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
: y' h0 U  h8 R2 N" X, K( m; K
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13+ l  U+ Q9 u  b$ M4 b; V
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
( |5 Q* `- P) T4 r
中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45# K7 k; V9 s9 w  x% L; }( L
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。+ P. Q' S/ \5 x
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

$ e8 L- V( [) o- M8 m: ~. K2 r7 |我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



欢迎光临 爱吱声 (http://aswetalk.net/bbs/) Powered by Discuz! X3.2