爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 7 w! b5 x4 P- M) Y8 N
  p, q, Y( J& U. s2 b. F5 `" D
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。$ M( c) S: F3 a' t4 j
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。  n2 y7 t: M9 Q0 p8 {
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
2 d, g4 g3 M. Z' E; f, S1. 表面清洗
6 B' {1 k* W; c. e! o7 {2. 预处理
' f* }8 ]6 {  `6 v; L. n0 [3. 甩胶4 b* o% W& o4 \
4. 曝光. p' }- Y3 D; {& V
5. develop（显影？）
$ J) t# f* W, d2 C& c6. 刻蚀/离子注入
8 ~3 d! p" n' N* j4 Z# u" |) b7. 去胶: m5 M6 [# X/ @/ b  ]
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：( ^; D6 ~7 |+ @/ P/ j' S, X0 x! C
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
5 g) g0 ^! N; n1 I对于光刻机，公式演变为：  h+ `( r  n, |3 g5 E1 b, M/ O
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]# D5 j* r( e+ e$ y$ U
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
; D, T1 k: t& J1 S& _# W* Q1. 436 nm (水银灯"g-line")
7 B" L$ M% J: R2. 405 nm (水银灯"h-line") : w9 j; F) J% K) m& f
3. 365 nm (水银灯"i-line")
3 Z+ }& j  q. a# r" f, n4. 248 nm (KrF激光)* s: S) W( Q* [/ }
5. 193 nm (ArF激光)
: l- c8 X3 p, Y" h) S$ R' V6. 13.5 nm (EUV激光)
8 i$ J9 m& x+ E' W+ L$ K工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
" x5 A3 b# R. g按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
! q0 P# p& \3 n1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
4 ^. B0 G  s+ O' L. [" X$ e* f2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。& |! X; }5 T$ B1 Z( x& W9 M
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。# D" a6 R; \8 ]+ D/ F4 v( U; B9 O
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。2 l0 S# _8 n/ g, M- b0 X

) n+ ]8 m0 v0 ^网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
; p3 p# g4 x! n我还以为你才30多岁。。。

7 k/ V" }  _  I: S& O2 P0 X9 ~西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。% E# @( K* A4 r1 u' l+ U

7 i" X+ C, l' t( w国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。) N( w; b5 b7 J0 `& V% \8 [

1 h# ^0 E6 }/ N2 {* O5 ~9 }8 R8 f凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢% }* c3 |* B' _$ q9 @  v
- ^& X# X) _- I# E( o
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
( j* {. k- f3 V; {0 i& c3 h5 w) c
% {+ }( D2 o3 e5 X7 D$ e& s按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
  Y$ s% S* n9 }* u/ H确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
/ o6 f' }$ F2 }( ^! n: h" c2 e
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。: v+ b; @) M6 m' Y+ w$ X* v3 H
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
/ i0 W" O- J2 Q- G- Z
* E$ h3 M; y) {8 z0 J另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
9 ?  G# C7 {- x: `5 H和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：* T+ R) v9 m- C$ S8 X  d+ F% C( ?
2.1集成电路生产装备, A/ n& u/ S; T' _; a
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
2 G7 h) q; w. G2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗3 R' v- W6 P& m+ h" o' F5 O" g
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm& e( j. `8 ~% u/ I0 L
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影( C/ W8 v7 `! k, o/ C- n3 J3 Z' t
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm$ A2 B. g' D$ e# f9 g8 |$ {
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm' k) H% p, f5 g. L/ l0 F- @) i! U
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%8 @$ N& W% z2 R$ @  J# @
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
: z6 ^- g# ~# c5 o2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
  w6 [2 y" c4 |4 N4 f4 w  f2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
; s9 h( t( M2 c) g9 ?6 y/ I  N2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
. U# r5 T+ h0 g& f. d; q( u- B5 F2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 z' z- I( l$ G) d& I: v0 ~2.1.13化学机械抛光机 2 d4 J/ ]+ m  ], z  E9 X
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
4 v% Y3 n8 @8 D7 }% n    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min# Y& Z( _5 I0 Q4 a& z2 ^+ `: j
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
0 j# r3 u( M- }% N2 V- R. T    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
( |' J+ B* g* Y2 L2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
+ ]: E" e8 q+ H% T0 Y$ i1 g2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
3 ]% K3 X* D5 B0 p8 s. O( }' ]4 i0 J7 |
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
: V; e  y- B+ R+ m! W7 b* I) E' Z
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:461 O5 I+ h) ]- h8 C' p) Z  `5 H7 z# G
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

- P' j4 X& G( V2 G个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
- v2 @. I5 e/ v9 i感谢感谢' C; C: G) `- P- t
9 G8 D5 f/ I5 l. A6 [  H8 l
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
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也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
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个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
0 r& e% P  H5 O' w* p. W' [; Z# E) Z4 Q7 k: `7 p2 z
1、内行人一看就知道，还在65nm1 M8 V3 }9 f% S' f
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
1 k0 O2 _' n& U! b# M0 ^: y  l3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
! u# f7 s/ X; R3 E; |( q: p
& l' L2 G& r, N1 m  Q2 n" H然后就要等EUV了。
2 f. ], @+ \" X" \/ \! [( \
0 h$ t- h4 a% p会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
1 P- e) d4 o7 X* \0 j
9 c% W# c; ?2 f7 p2 i4 H在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
  N) ^+ u4 o) W, i; S也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
1 B4 k6 a: T, Q4 s- @8 P, b% W+ c: P
- l; o% [' @! n) m* I% V7 {- H个人感觉：相比于前一阵 ...
- y$ w! t7 P; y8 ~, b0 A! l
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
( S: f6 \7 d' S+ Y1 m8 e6 i: u! L2 H; ]9 L
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。' U3 x2 M( y: Q* V" z) D3 M5 d
; a4 R; D. L$ j) P- Y4 t
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
' `5 e; i1 F4 [, m. l7 j+ n! v( U
+ E1 S0 C) `6 k% a; E8 [9 z2 `9 Q2 q+ Z# ?0 ^
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
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8 m$ d' I0 Y) n2 C0 W! H1 E9 H# r0 J
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
; U  \8 q& ~  \5 O) D% v& nEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

' r; B' A  r) t" n: d也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
  a0 t2 d/ q9 r7 l: S不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
; ]# f7 m* t8 w& m7 ]9 }3 |1 g0 a3 e4 r& U8 C' R! K6 j
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
$ ~* |6 o7 [& D6 @8 V8 z9 r. g
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21) m9 p4 y3 \" O
也就是说，EUV用浸水没有用？

" q5 E. I/ z( I9 c, o" K9 J理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
5 e! s  @6 {2 q# }8 V理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

+ ?( |) s  e" T是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39. ^; [+ Z" W5 {3 s9 G
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
* I& [$ C- `$ f  O, j4 K' _
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。9 T8 @+ J3 B& J
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。7 ^! x9 E4 \" [3 `4 Z3 K1 p

! A' z& _/ U, jhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
8 j3 c! s/ W3 F$ B4 ]& Y9 c0 r也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
8 E+ ~! H; \' U" {& m- ]9 N& j, P
. z* t' M4 o. x个人感觉：相比于前一阵 ...

. l/ Y1 ?) @. ~. x% A. R
$ N$ E- N7 z0 Q' v2 [* }' c
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

$ ^# j6 C5 c& H! M7 e: u; v9 M应该会在5年内实现吧。
7 Q  W, H# d' \0 ]+ c' R
9 {6 t! Z" u, g# g微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
2 H, k! B. }/ i24-9-16 23:55
& z* b' a1 H5 [) @2 @5 C发布于 湖南
4 y$ o. [6 b2 B/ x  q来自 微博网页版' }0 z. W6 O  V3 J2 I
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机) V2 q" |, D. z
不是运过来就能直接开工的。8 ?6 _6 A8 f. z+ I1 Z* M( `* C
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
3 E) l0 A* x# ^' t
$ }  G4 ?( i/ I0 h这个时间很长，也是我常年说：% t1 N- w5 Q8 V* [& X/ u, a) e
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
: e9 B' I7 k; w9 J
) w6 e7 |7 v2 s) }4 q9 q现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
2 O+ a! P: z7 w$ h- l
4 _# G$ {. [9 U2 X简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
! M0 u1 C3 g, v+ m干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
8 m. N6 z+ J$ S" v, J# F+ ]: J多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）+ U3 W. a5 p( A0 U
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了. d" I# V2 D% k! r. X* e7 s( s$ r

6 \2 r& L0 R$ d: b- y/ i" K没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。' A* w1 `5 x! ?$ [! K% c0 M$ C
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。  S+ s  l  a% y7 C/ U  k- |% X. j# @) @
#华为mate70# 也没多久了。
2 x% [: H* L# m, r0 U3 S9 A# B/ e
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
% ^. K' Q0 v0 ~. y/ ?应该会在5年内实现吧。3 E; ]- o* T* ]- y
& i% b& b4 z+ p( n, K# L
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

2 G: d' R+ o9 v* x3 ?) n1 I; B5 N0 _" E
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
8 w* P9 U. V3 B( Z这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

8 B9 n; C. t; G- X但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
7 k, y6 v- F3 g% K/ u3 H+ Y& G
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39! C9 p% T* m# _; K
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
8 T! `- c- j) w- f2 B
% ^- N% a/ e$ j% Y
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定+ Q2 `1 g" {  f3 W1 O9 K) N
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34' Q# \. p" A; b. a: m6 ]
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
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理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:547 T$ O( i2 ^+ {/ D
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
7 O9 e8 L5 R# Q5 m! i3 v所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

1 h2 F' o9 s) U/ u3 K, g+ \有道理。
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0 s0 U: X/ O8 I9 o* g不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。+ t" Y# x+ B- d
) d! ^- z, w- W3 O
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
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这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
6 l! C: b2 I( x理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:547 O2 j4 g- ]' X
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
: w3 w. @; ]' C3 f& J( ?# y" K所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( V, _/ l  J. \8 }$ r- q还没搞定？ 0 Q5 E) L- M4 r: M! ^  m! c
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。8 z( E' }) n- F5 M* r8 p  h9 t
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
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作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:544 E1 \, T5 u3 D: s, {$ b8 K+ v
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定1 c$ W0 w1 q8 D" O- U+ @
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
7 G$ j, Q! D6 d& N1 @3 m有道理。
: A1 }( Y' V- q5 e4 K: a9 Z8 u; G& r+ T
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
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可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
" o5 x/ b. A; d, c很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
/ P" T  ^0 Q  R+ O还没搞定？ 8 J" o& w8 u9 X) P' z
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

3 H/ I% C- F2 F7 X) m! |& W3 t) K- L% y0 T) T
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
: i- w- e" i( E1 S/ x, h# B3 \有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
0 F: U; ^2 g5 ]  {突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:315 K& i+ I2 k+ o2 L3 j
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

. V# D5 |3 W" g2 ~+ D需要用到浸润DUV吗？4 h7 C8 W3 f5 `3 _
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34$ f  Q/ G- [3 S% M" E$ }/ t
需要用到浸润DUV吗？
) l* L# W  {* \' _- q0 {$ N- H3 j; d2 x+ }
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

( y0 f# B; x1 m浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23" ]+ O1 ?$ ]0 S2 Y7 s
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

* v7 L: A# r1 p" u8 x是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
$ V# C# L: a- i6 Y浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54* V; q( Y; B$ _' q; C! p% y9 M7 U
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定0 `( \: F$ w% C  N# G' ?' @1 X
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

. }* J  y" v# B) J- J  m6 ~$ W具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 ' e3 f! U, E6 ]
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
1 L! x6 j7 D% t具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

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这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40/ N5 z! g1 [* e+ Z
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
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不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13" f$ \" I2 V6 ]( J$ S
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

0 t2 X, R  S) l! q中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
! P' u% }8 T( i在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。0 m+ ?5 G# ]6 G+ b% u- a
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

5 h1 n. R' X( k; {我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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