爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
, D4 ]) s* ^1 D$ h: k0 i( x; c5 l
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。/ {! S7 y9 q8 k6 I
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
0 Y; E% d. w- y8 m0 q6 k还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：5 c4 W3 `3 J! H
1. 表面清洗
& Q% u" B, M. o6 _3 Y2. 预处理5 `* h6 W" Y% \' o0 [5 I* B! P
3. 甩胶
: m" b$ V0 [) W4. 曝光5 H9 {  B9 J* S& p  R( b3 F/ Z" I
5. develop（显影？）
; y: ^- }, d3 ]0 L# X6. 刻蚀/离子注入
% W* p! t* v. m" k* r+ o7. 去胶3 W6 k2 \" k. p( [" O- c/ k3 F6 T3 p
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：" _$ {- ~" B3 w: o  l
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]( Z( E& u( F" M) r# S( C/ i
对于光刻机，公式演变为：8 ], c% S! H5 P! s$ X" v8 G% ^
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]) _% E# d  Z% X; f( P1 d# I
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
- [/ A; \+ U5 A1 z0 h1. 436 nm (水银灯"g-line") ) E# P: J5 d) r- `( v" O8 b' D, J
2. 405 nm (水银灯"h-line")
" z3 ~' P. R( G3 k! B& i6 F3 g3. 365 nm (水银灯"i-line")* b9 F1 f0 ~7 e7 A
4. 248 nm (KrF激光): ]. M- H- \9 @
5. 193 nm (ArF激光), M7 [% S2 `) Z' m0 A; v
6. 13.5 nm (EUV激光)
3 }# W; j3 X0 j2 j7 t工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。2 J5 C$ `7 k+ s, J
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
. ?4 b& [0 I  T% G2 @* F9 L1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。' |; E. W( c7 _8 r9 u
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。" b. ?2 {1 C. y1 f, f& J" i6 l
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
# H- C8 M3 r' d  u4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
. G3 n% `5 c2 _! t1 P) ?
1 i" a( k. W5 f3 l. s网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18! s9 ]9 m4 v5 L2 G8 i9 ]8 w4 y8 w
我还以为你才30多岁。。。
8 D0 \  k* p6 z  R- c3 j
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
, P# D$ U* v8 M# G& ]* |2 P3 d
0 Z7 ^5 v5 ^5 ^' f国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。: Y3 K  O# E2 ~% t# \
% g* z! F9 h5 R3 s& `$ a! v1 V
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
' x5 y. m. V. n% m& h
3 C/ \4 F% }. _( r+ _工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm3 _( }$ M; Y7 Q; ?# t
7 A/ _2 f. X' i+ `6 @
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
8 }5 C3 \3 D, }; v* R* D& O确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的+ |# _2 E9 Q: `. S3 o# y
, O# ^" P/ t, g2 d& k
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。/ n/ o- j$ H  D0 |, q; i8 V
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
, r9 O+ Y4 Y% `: X
. ^( v1 r9 @" r5 w- V另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
( ?! n; V5 r4 }& v和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
% a7 }' J# d# j: }2.1集成电路生产装备
6 k" O3 }( F) e9 v4 \" d2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅4 i0 o' ?: `4 h9 L- i* n
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
* L* n% {. ^3 L  N: d2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
/ b: L5 Y; R( I. ?; U2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
0 f$ D* `/ J* v+ o4 r; g( S; p5 J. u" X2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
  |' Q, W0 S$ o5 @2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
+ H% I; I, O9 i. g4 F2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
7 ?0 ]+ B# S. a- y2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
6 T' }/ s( q9 \0 v, a2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀! U' R0 c8 m. X2 U
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°. j4 M6 q3 N2 i6 `- o4 Q- @/ Q
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
6 r' F7 q% S. |2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
% O& l4 O$ d7 @" h: g  l2.1.13化学机械抛光机 & g) _' w, r  l3 |
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
: p: M" I8 X: a" ~' p6 g6 _7 X# g    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min9 o# @- i0 ?" \1 U4 }; _
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
1 n. d- o' k; o3 t7 q; J    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
: s" L9 x" n+ [7 p# |2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm2 B3 C  [( f8 j& t. g8 L& k
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm5 v& m5 l0 l1 x; U9 d: i0 N, r
( n6 \; p. ?! Q, O4 n+ W: D/ h
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
/ K7 N; b! X7 L+ @. G
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:461 n6 y8 L; _" H+ b
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
; z* N$ l! R# `7 p
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19) S0 Y( D0 S( _2 ?: H8 Q
感谢感谢* e' z( e( R% {; N1 N  u

. w( _  b: l4 w( J3 k, L0 x( Z工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

" e) F$ F8 n" ^; E也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！: b9 w& x& S7 J) M! P9 F* K

& ?  F' U7 {1 n/ Y" ^  c0 T" }个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。. U0 i) ~+ X( R# p( a% j
5 x! m3 v" |% U8 p
1、内行人一看就知道，还在65nm/ r7 H( U( {' @& {, Q
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
7 S" I3 J# Q4 V" F3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
& \" s9 \# w1 w( N, L
: B0 r; k/ W# B5 n% T然后就要等EUV了。
% D; G: Q( i5 c/ t% s
' E9 R+ q. q  H会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
6 h: q7 n$ X/ W0 W8 Z
" I% I7 p$ l# N3 |2 J9 p在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
( W, [4 X3 N0 p也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！1 z) v5 X' B1 g" W, z

4 [0 u+ t0 |) l个人感觉：相比于前一阵 ...

7 ^. l' c1 a' {, ^0 S不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。% Z3 Q5 A9 ?3 v; d  r
/ h% N1 M9 @# @% H/ ~1 d
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
; E  I; y" P3 |  E- G
$ h. m9 p( U' _8 V以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。- q" T5 r& Y1 \2 D- J

; M: {& s9 d- y& t. {
- `( R: W9 t& q" ]* [  BSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。+ M' t/ w. c3 G2 N" \

+ g0 Q, t$ [& }: z' [- y3 V% e! j0 T$ b+ U
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
$ ?: W) e$ B0 b0 PEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
- R9 G! S. |/ j7 Q7 m) h0 {# K
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
0 T- u# ^7 h# o2 f. \7 r+ a  s7 a不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
& p, b: t3 u7 V( A- c, w5 f" J' W9 i' G2 D6 y. x
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
4 Z6 S6 U& ^# G9 i
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
8 J: u. Z. u* z* q7 P也就是说，EUV用浸水没有用？
6 V: B% Q6 v+ }% E1 V% u, m( n
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
4 k: X4 I3 `3 T理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
6 N' }7 I; F3 @; Y6 ~
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
2 ~& S$ R' H$ n  a2 R! S是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

) M# V  m$ X6 x相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。; ]* ?" J5 p8 o2 S. y) |
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。( L3 B. D$ w. A. P5 t  U2 _! f
, H& q* R' ~8 E7 Y
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00% ~& F8 }+ C0 G$ t
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 w! J# P. l( w# _$ u% P: r" ]. J# G1 J: H+ G
个人感觉：相比于前一阵 ...

: h/ j2 [2 \0 ]9 }$ A! O( P5 l0 v) N4 P) B1 `5 L
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
5 v+ Y- R6 y/ @9 X
应该会在5年内实现吧。% n2 r( G/ g& M7 Y4 z* q6 w1 i' H

$ N2 u" g% Z5 q! ?微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）( z" _  v( c7 p, y2 G4 g  M! p2 \
24-9-16 23:55
9 }. v/ F8 @! r  C# u/ c' j- Q发布于 湖南5 y( b" Y, J' e
来自 微博网页版, d& h4 ]) n8 }9 j& b1 @% x- ^. R
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
. g. g5 J; k$ \0 s不是运过来就能直接开工的。
. a0 C1 p5 p4 s7 s0 `5 _他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。4 Z. z/ @4 ^! j5 ~- |- H

2 n7 H1 b- E/ P3 W7 ?% C$ L这个时间很长，也是我常年说：
  m9 `1 h/ w) C; }+ U) n. U% k就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。9 k+ x" m  u* |) T, e

/ i) N% r% t4 T9 _现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
2 F/ T, J5 n2 D. v
* h: I. ]3 k" y, T0 q简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
- U8 M: o# Q+ ]% ^" m! |* |' E+ j干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
) ^' L& r7 Q* T* i) `, }/ @多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
" \4 O8 G; z# ]7 e' S但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
( S7 L7 H& Y# E. g
# {7 J1 X  m, p) S没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。" P; c( Z1 d0 I5 q: f
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。7 v. R% l9 d5 h6 m
#华为mate70# 也没多久了。
1 R4 Z, [3 p2 K6 W
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
, ^1 M8 R, ^# H/ J5 M应该会在5年内实现吧。- m8 w" M7 W* d: ^
& c- x0 V( \" E' d, L3 q# l4 B% m$ g8 m
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

- @$ y4 K3 Q# e8 G( o0 O2 I. Y6 P! U9 p% @/ w4 a! p6 y
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
% _4 e2 ?1 V" ]- D- e这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
% W& t2 h' `4 U) j* n; i
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 1 r" v0 g( [# o$ [: U6 x
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
2 e. e" o5 g: d; U& W1 J但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
" |9 u0 ~1 _, l  A: G  }0 y

$ O( p. g, {) y2 S4 d2 x按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
) F: N+ B- H& v( k' h$ W所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34% |" H' ?* Q: t1 c
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

, {3 I3 L% x% ~理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54) D; G4 p9 U& @* v
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
5 |! Y! h* Y( V- V0 J3 v, T0 B: W所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

& @3 r! Z& X8 }/ q, H) H有道理。# r. o% D% O. j* F  x
) }: [9 a. _; I( ~) t8 W+ D
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。( m; j" S7 _/ l0 y% \$ Q
$ J. x( M  U6 A6 W! A
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
+ E2 Z" c% P6 c3 c* V* n" u
+ G/ d" {9 k# o2 g这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08: K0 B* L" \, E+ L; X5 v
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

. ~" b/ E+ p6 Y1 h- {# T这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54# ~# z. \& e! b* X8 H
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定1 v# ]( Y2 u9 D  i! T
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

$ p2 |0 e$ X$ X, r还没搞定？
: z; z* Q: k% ?9 D- i4 W我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
$ D) A# G4 N- T+ J3 C* B, L尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。7 O: o9 Z  c9 f4 \+ D3 I
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:546 T0 E+ [* P" Z; K9 |% U7 Q) ]7 z+ u6 T
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定' H( L. h' J0 Z9 F  w. l7 |
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
& m( A/ J# X" l, A
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:134 |5 ?5 q" Z% W
有道理。" R: h- i, `( P
" L- f1 y( }- n" u3 m' t
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
$ a; X, g" U9 E, q+ @5 F1 e# F+ o; E
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。% M# n9 v' t7 l9 b. A: w' m1 j( X
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 / ]% s. A; {0 t7 ~- z2 h7 Z* E2 ]
雷声 发表于 2024-9-16 19:195 U# `; r) n! x4 n* [2 i! \2 m$ b# O
还没搞定？ : Y2 x4 Y  }3 h8 f" \
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

6 C# V, b9 c8 D  w8 x4 W) F6 j- O# ]1 R
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
) k$ `) H+ u  c: W1 u有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:210 D$ Z0 `, W3 n! R3 m( U
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

* Q- {7 l+ o! ^6 j& p+ O存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31' N6 P! _$ B8 C* Z
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
9 O/ u6 K% y8 G4 R0 [
需要用到浸润DUV吗？2 T3 Y) m0 ?& g8 S

1 [$ m7 {3 B% K+ t- O; Q$ h我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
7 j" B& G7 a# q, |6 J. ]* @4 i6 W7 h需要用到浸润DUV吗？
& @6 p  X- _& C9 ~4 V2 F" w# I8 L* L( U. w: W% A
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
5 @( U" ]6 n3 H; V$ P+ X6 r
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23  n- a- Q) `( [, v1 Y6 J9 M( M- K+ `! ~6 i
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
+ J9 j# W% f1 V0 o1 M$ i
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
- ?* u8 B* h  @2 p) a* Y! k- s
! [5 [  \2 s, o% A" P硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:379 ~( s9 g. y9 m4 y8 M7 w
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
' A6 f6 u: c! H% L# @/ @, o
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
2 S" K* G( E  j8 v按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定6 z; F0 R$ {4 e) s( B4 H
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
' T* h" o2 k7 T! L) w6 O
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 5 B8 @) b$ f. _  u0 W1 z# H
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
/ D" K, [/ q% E# T: `1 s: C具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

, U5 |! x& j& r, R' ^" E% l. {. n2 H! s( o" _2 K
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
3 u* V3 w5 d2 q1 E( Y( A. H都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

' h2 l) q/ ^, W) V5 Y. P不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
9 s! b% _- {: v) Q这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

7 c) R+ v$ u- l, }: n6 b中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45; C! _+ `. Y8 o# a; i) H! `
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
% g8 D+ w8 e% X# V3 g! n" |我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

* @% x2 L6 k1 o0 S% z( `我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



欢迎光临 爱吱声 (http://aswetalk.net/bbs/) Powered by Discuz! X3.2