爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
: m0 U: F% p+ c, q7 G4 r
# ^, b* Y* ~# F. n0 S  ^* T! X  C被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。; K- C  z2 O+ R# Y& I  j
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
# k; a$ g# f1 f( l8 B$ T5 |7 l还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
% ~0 F4 Y- Z/ o! L1 {/ S( v% L) ~1. 表面清洗
9 i5 }! }9 g% j) j) |: |2. 预处理
. X2 I( n6 _2 e; m3. 甩胶7 H0 g0 |  R( y- ]3 F, {) h8 r
4. 曝光
4 c& k" K3 J, V4 T1 f/ a: |5. develop（显影？）
  Y8 W" ~/ i! Z/ ^/ ?& |6. 刻蚀/离子注入3 @5 M' h# y9 w
7. 去胶
6 I: _. ~0 n) t1 w" X光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：, O2 K; X3 X6 o; _! T
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]3 s- Q2 X$ `  d% M, X
对于光刻机，公式演变为：- R6 i: u3 N$ z$ `
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
/ w+ S/ n/ J. b- ]' g! s( L这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
7 _% j& j! ?2 S' J' c1. 436 nm (水银灯"g-line") ! q2 Y# Y: [& W7 A7 A9 w
2. 405 nm (水银灯"h-line")
( G' J8 B' j, j$ E0 S5 z% {3 |3 ?. i! b3. 365 nm (水银灯"i-line")8 N) b0 T# m3 ~; O6 T& X& ^
4. 248 nm (KrF激光)! J/ I: V+ [1 I
5. 193 nm (ArF激光)5 n4 \6 |; G5 `8 i  |
6. 13.5 nm (EUV激光)
- _8 V: Q6 A* i/ ~3 a工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。3 d. |2 O3 d6 ?
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：1 S- z- `8 |9 C# o
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。0 D" C/ t% A& D( d" p  }' e7 y
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。: `7 @: [. e  F' G: |3 m5 t
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。) O. G6 v& k6 g: u% G% L
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。5 }0 _3 K* K2 B. O' i5 T  d2 d

! ~6 b! S% D4 |2 P" m" |! b0 ]  ~网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18* t, s! H' q9 [. ?
我还以为你才30多岁。。。
& `4 Q) D- Q" z7 R
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。7 g+ `/ H% D4 s( d& o" }, o. h2 `

1 p$ l5 l+ N% L+ m国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
9 O9 i; h% b# ^) ^6 F2 T8 _  I- i: V  l# H* Z6 u% A  j
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
- h& M1 Z5 [" q% P0 c- p! U8 u
2 O# P7 J8 r4 k$ q  A7 y3 [工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm/ G8 d6 w/ E7 R! u5 Q/ |: o
9 ?! n- Z) e5 b% O  p
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。3 r9 g  H* s+ y+ J
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的( k% `+ M) c# f! C. J  i# ?) I. B
# }1 Y2 d1 n* P, n
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。1 M( _# ^+ F, Y. w
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。8 F  i9 u, Z8 Z
) \4 ]4 L+ i# ^0 s
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
: p: y. v" _! k+ E, y+ @% t和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
# E+ D" ]1 L% i$ M! v  q2.1集成电路生产装备; e4 {& q8 |$ \
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅% Z& q( ~/ A/ x
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗. P. c+ q. L8 h* G4 [
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm' |9 ^0 t  T- y$ X
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
  i  v( P( n' z) y2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm, G9 O( n! G9 B# {2 p
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
- j7 d2 W' {) j7 q4 C: P4 ]2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
- z: c/ O4 w/ ~; U2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA9 a3 n7 w8 A9 Q; Y
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
" r/ t3 {$ N3 @6 {+ c2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
  t7 l; Y$ h) ^* B( F% e' G% v, d2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
9 q" Z" D$ u/ d5 E( m" @: _/ z1 M2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积4 z, q' C8 E; A% u3 V7 P- u4 l
2.1.13化学机械抛光机
: d  n; v- Y: R) j, ]2 q    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
  L: o; `9 G& I6 j" v9 s0 I    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
0 ~, E" m/ r2 K0 }    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
. F$ r* S1 T' b" [' H# Q$ P+ I    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min; p/ u2 ~/ S5 d) c7 \
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
0 {* H9 {' Q: b& i3 K+ S7 k2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
' `- A2 [, `% W- e. G- r; ~5 a9 k3 _  Y2 ]9 ?4 q+ ]( a6 j5 P
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。4 Z2 t8 K% H/ s7 J! Z7 F
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46. n  m& ]. G( K( X+ p4 `$ O
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
" @- m5 \7 T5 V# b  O& e$ C
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
. [2 [+ T" e5 d感谢感谢
8 |! P$ A( P' m. x/ l; r) |
' A( I) \& ], X% H$ m9 g工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

6 c& F- d/ X) \也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！& ~9 z7 [4 @2 e1 y
% S0 y; g( `( h4 d! w$ D" k# b) k
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
# D' |' z( W  }. G0 y* Y7 Y5 I( I8 p: l4 g8 j
1、内行人一看就知道，还在65nm
5 [! q: u1 `, l2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm) H  {, o8 ~2 N. `: l  t( m8 d7 {( p
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平: b% S' O. j- L* [# ^* g

8 J/ T- g! P2 t. @( c然后就要等EUV了。7 P2 i% V# y* J

$ a0 Y' r- F! F2 H7 F7 o' p, t) H会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？8 A3 `2 d: E: X8 l3 x7 l8 F

) D! t* Q1 w8 u在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
: h( V" A4 @+ {2 i# `: S+ a* X也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！  {4 C' d6 H- v7 t; n

9 b$ K6 q5 s6 H个人感觉：相比于前一阵 ...
& N, v0 a( A8 @; m: v+ v
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
; a7 H4 A- X; ^2 {) p+ F( R2 Q, G" E6 {
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
0 G) J. F) S3 @# q+ A9 X8 E: P! C
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。6 |0 q! o' U) [1 G
! D1 n/ _1 M2 F# Z! l+ n0 M
$ {, @2 r$ o% q
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。. _/ I1 K! g. T; }# K0 k
& h0 |; }" ?  }9 o# l% K( z3 g

2 B& ~7 P( p: X6 h; Z工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
: M6 u" x6 w; C, ^! z: A. nEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

+ q& ^* @9 u0 h" w也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46( Q5 U# }$ o8 L( z
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。) K/ Y5 h/ X4 o; \& A) L2 z

1 v. A4 _- o$ O9 `& H8 |从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

3 d! M$ s- Q3 X. o" ]' q+ p! a不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
/ F5 r" o1 }: K: V6 U) e# T. L也就是说，EUV用浸水没有用？

$ c5 i8 c$ i$ b: |7 q7 c理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38" I0 D3 ~$ j( ]7 `0 B8 n
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
: t8 o# _1 y. @% _8 D4 m5 P
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
4 M8 s7 k. P) a是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

0 G. k5 P" m$ R- n3 N相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
. J' N9 n3 S& Y! e7 e我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
; i3 Q4 U; I6 j2 R; L+ N2 ?' [3 j- N3 i7 m" ?0 z/ w
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
( v8 {+ h: Y. _% ?8 c) G' S也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！8 E6 X5 B( y6 G/ y7 h+ P2 l

, H" P+ h1 S- g* X' N* _5 v2 h个人感觉：相比于前一阵 ...
5 `8 R1 m( p+ p! W

! z% g$ Q. y& m2 f
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
: ?1 w& K& b1 V8 O% O  P
应该会在5年内实现吧。" b6 o6 w2 x1 D; a

1 N6 Y, v# C4 r2 k' ~2 c微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）7 Z  F9 S8 E: I3 G! e1 C9 C" Y( p8 D" L
24-9-16 23:555 v. z- J6 D7 ]( ?+ u& }
发布于 湖南$ b0 b8 v) q: c, y* `1 w5 W
来自 微博网页版
1 E2 e' c0 D% C啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
8 e3 r- \. ?4 @9 R; P% {不是运过来就能直接开工的。
/ Q1 V8 ~% x4 D9 Y$ w/ U7 o/ F他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。2 X, Z% ^2 z! t
0 N' J: D1 Q9 J. f9 T
这个时间很长，也是我常年说：
0 x  ^, b$ Q, n. T9 d8 L& h% Y8 e就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
8 j$ A. X" [% \) ]/ k( d1 R
$ f; c# m1 \7 Z& e7 ~8 d现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
+ R: ~9 J0 D2 P4 z1 c+ i8 L$ a* f8 I
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。: f- o) O) W; Q3 b, P# }% z: Y
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
. {' K! t7 V+ L3 H多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）6 y- J1 ^- x% r. E" @
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
8 W6 K# I) y) T2 J$ I" u4 b# p
) O" D$ h7 q3 w/ E没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。) M3 K  c7 s2 Y6 }: I+ Y5 p, S
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
8 g/ |4 D% w% I#华为mate70# 也没多久了。
  c5 `. T! \9 z( _  s5 `
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
" ]3 V( O! t, u应该会在5年内实现吧。& F  }( M$ F3 f7 b1 o. C5 b
" f* H( r) n- b0 H  M9 L
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
& P0 G$ S/ B* W2 N3 x) d

3 U. ^/ H+ C: X这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
6 ?5 S9 `9 v5 V这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
) v5 v9 Q2 s6 e5 W5 p# L
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
: ~+ x+ n0 b$ k+ Q6 [$ {
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39' k. R  k* y" V4 s. L$ l
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
( n9 e2 y  D5 Q, g: p0 L
$ P( D& Q( r, `, K6 s8 S, \
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 j4 _7 t2 J' M9 x: i; D" R
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
& _% O- \& t6 w. F! H% Y不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
& D6 b8 N+ O/ m; t. Z
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
$ L% }5 u! B& s$ ]( Y: k3 B# M2 I按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定" J9 U9 e' ~) |+ q$ `/ k3 s/ k
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

& _2 X0 F, r. G  m! \有道理。4 k+ m5 v5 t0 M, Y

8 r% t( L9 ]3 T# c0 L; L& u5 L不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
, V8 I; f2 F+ ?, [
, v( E; O" `1 j中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
1 m' O% c: G# ?% g
3 \9 I: Y) C! N8 }6 w) t8 v这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
9 a" f  J$ F* M, y' u理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

9 A9 N: o3 q$ C这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
6 ?8 S- y1 ]9 b$ S8 q3 F按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
4 d6 s/ Y  F% \' g* Y' S所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

% ~! l$ v# H! T4 u还没搞定？ $ Z% g& o+ Z; v7 ]- u6 T
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。# ~+ c6 l' ^7 m; T, f
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。& X1 }* y: @6 T" u! a" J3 y
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
% }; s* Z9 J9 a# I按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  N5 K5 m/ E$ Z8 \' y/ R' p5 k
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( J/ r7 X: j/ R突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:131 z' p! a$ q: Q
有道理。
5 f7 U2 L1 H5 m& w% @. Q7 }9 d5 Q% A: S" D
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
% e$ N9 }2 i+ ^5 N; U! Q
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。7 t1 D1 Z1 p6 i7 B! g
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19* D  ^9 \! H9 Z: T
还没搞定？ , R9 l1 @- m) S0 P
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
* G; A0 S: F- [6 e
6 \2 D9 N" I0 M' Z, c4 k, ?2 {& ?6 m4 {
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。% f* R" Q, R1 A9 k% D# Y+ f
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:219 q6 u* z- `& r2 C1 {. }  \
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
( K- Q. O, m" h7 o
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31) v7 F2 h7 [: F
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

: O9 S# P  w; ?需要用到浸润DUV吗？
( O$ f$ n$ ~0 Q8 p* x- B8 a! c* D; O4 P9 e; y( Q0 Z
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:340 J$ z3 [( S1 K2 K3 V2 P
需要用到浸润DUV吗？
6 ~0 X0 Z# j3 Q
+ Q/ O# p9 r6 _  x: |! `* R我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
! X7 D* o/ M7 I
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
- j0 N/ v! ]/ |! u% j4 q' H, c. t; H7 ?可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

& P) `8 F- r; {  W是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
4 m9 ]; Z" s6 F( E" H
  S) |1 |1 z8 u5 t& m& {& Z硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
2 D; h5 M5 P& y) V: B: @* M浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

" R- T( s+ {: w7 L( v) I都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
. s$ c+ C" Q& ]0 V% L按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
& G4 f; i) l  K% N所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
/ o( j+ e! N0 s$ }3 J  E- B
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
" z8 Z2 s! ]" m8 q5 o" Q& F
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43' D) Y8 n& Y0 G. a( k/ h
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
4 x9 s" v/ n  c7 W! t- s

% ~( L& a( u: V这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40' V6 A# i4 ^# T6 _! c6 W) u! t
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

0 f) |  `2 i0 N; a/ l8 H不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
2 d! W* Q; a1 I7 Y5 p/ x# R这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45: s, j9 _( H# _" }, b! H* I! @
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。. |" F8 s1 X- C8 y# `; P
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
/ x3 r$ A. Z$ Y
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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