爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
' i0 A3 W  w* R9 l  R5 j0 H! v' ?" D
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。2 O- c  a' k5 D6 _( _$ u* C
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。! F! @% H4 w' \& m6 z; w7 q' g2 a
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：, ]5 @6 c& \1 r$ P# ^( [
1. 表面清洗
! N2 q7 H. i/ P" o2. 预处理" ^2 |3 T+ I# }8 q0 g
3. 甩胶
7 s1 u6 t+ d& p3 g& [3 t4. 曝光% G' {) |( Y0 s: m
5. develop（显影？）4 C+ B7 ^) |6 |' ~
6. 刻蚀/离子注入* L: o: O6 K" v- s. ~1 F, y
7. 去胶' F2 J4 F- a2 R  @/ V
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：( l% \. y& Q0 d
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
8 Q7 N5 W# L5 l7 {对于光刻机，公式演变为：: B6 t8 `( F( v1 w2 m% q& T* B8 @5 I
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]; a; w: R, U% a
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：% C! K# b) B/ g8 D
1. 436 nm (水银灯"g-line") ' g5 d& ?. C# h1 t9 [; X
2. 405 nm (水银灯"h-line")
2 g8 w; V3 G( ]1 W3. 365 nm (水银灯"i-line")6 m0 }( c, i9 I' R7 C
4. 248 nm (KrF激光)
; `5 N7 S: o( j; o; F. ?" k5 d5. 193 nm (ArF激光)- j! u; y5 y5 M! O9 |7 d$ U9 r
6. 13.5 nm (EUV激光)  d+ r2 Z0 [3 p8 P! e
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。- e' H! S! e0 i* o: ?$ ?3 l& S8 W8 v# @
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：% g. k+ w: A9 n% E
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
9 e* P  ?' @1 M# i' o- |2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。0 \3 w, W) Q8 n; F
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。4 ?9 L6 s$ m' `  d: c: z( U
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。& a0 R* d) Q' R9 l( M. V- C
; X5 e1 s4 K. ~. |
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18/ _0 p5 o0 y3 R3 Z; \5 y. T
我还以为你才30多岁。。。
7 e) t3 R2 g( t
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。- r; k( g( ^( Z4 X/ E5 O7 A
5 j+ f  W3 P, H/ ]
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
6 r; b: J9 N, p- F/ ^0 R' f, Q( k. v4 I6 w% a9 I. z4 M+ a" c
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢# u; A1 ?; \9 \% o2 M# ]0 Z
6 N; W% w4 I; R+ j
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
" ~! ]$ `/ l0 p: p* @
" n! l8 B4 d/ X% {按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。6 U' r; K8 S3 y& m& E  F
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的, h. U3 u4 M9 ~; A3 l4 Y) w+ W

" v* v% b4 x  o  K4 Z: y延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
/ p1 f0 S) q( c5 @" l' F8 @) X4 P$ @那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。: A1 B* V: d% K, G* E( `9 S5 X; m

" y5 e! E: M  g5 S1 y  b3 n另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html: D3 \5 f5 v% y& u9 u
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：9 D  d1 }7 k0 C7 X: x
2.1集成电路生产装备+ h0 |1 g8 @' N6 w
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
& X+ [, |3 W0 z. t& ]( M4 o2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗5 H' B% W- r. r5 ?2 B" H
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm$ `5 y& R8 F0 D+ X" v6 F
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
5 ]) ^- R& K3 [0 a2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
) i8 r$ E; q* R4 C1 O  t2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm3 N7 b' g6 ?/ t, B! O7 N$ L
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
  M- t/ c  p  `4 U7 F1 ^: k5 I0 o2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA3 L  L( |0 Y! I) w0 g, u
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀+ ]1 X2 j$ O, i& a* a
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°, Q/ A5 {4 r' M' r
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积& s6 R  c& y- q" B
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
: ~! V3 R3 E8 C5 W; y2.1.13化学机械抛光机 ( f$ q, ~4 U4 n+ N: j. C/ d
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min) z8 ^5 o) \/ c1 T2 U0 Q, P
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
' C9 _" k# w+ J/ O: m/ X1 r    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
# e4 q% j) V% e+ `  p- W% C8 h6 ]    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
" }) _4 Y: k0 U; U2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
$ {; O2 {) h' ~' R7 I" P5 {& ~; p: u2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
  I' r3 d2 U2 w5 S( Y( `- \, J1 z, [( f) Y
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。4 Y. f8 E0 Q; b
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
) K/ X8 c6 I5 D0 O公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

+ I) c7 J# W7 p- Q个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:198 g5 F$ c! J  n# H. B
感谢感谢
  \8 A/ j  u6 ~1 P  Z
. a' c1 c/ M; P( ~$ r7 ~工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
) y4 x) W: e6 k1 T  N
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！: [5 U) D  N; ]
# J3 K9 t& ~" E+ @
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。6 ]7 f$ M0 C4 f
1 z+ }  G) C3 x+ S8 J& f
1、内行人一看就知道，还在65nm
- K9 i% j8 j6 U9 ~- f, o2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
3 O0 ]+ r: E$ U3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平. n1 n% F/ Y, E* \- w8 g1 b
2 S, d4 u- x2 t: I5 l- y
然后就要等EUV了。
: k5 h# h7 Z) t! w6 |, @
7 L# k/ p  A+ }2 m会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？$ H5 n) ~0 h# N" Q9 x2 R% @) o

. V4 R2 F4 [) y在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00& ^9 E/ a0 X" N. B6 b8 l
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！3 Q% M# u( B) `, P( R! Q7 c4 I

1 @: q4 u/ r; r$ Q个人感觉：相比于前一阵 ...
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不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
3 \+ S5 y! Q- p" n; F; W
1 A( d  Z, I+ T. E( t从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
# k( j6 I4 g0 T- f$ r$ ]9 ~7 T* e9 u, d
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
) x' f& K' x4 [9 W9 N: A8 J; D1 v3 }& n7 V
1 l) G! ^8 k& T3 L( H' h9 \9 p
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
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工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42( M. Z9 k$ ^- X- ^" z
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
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也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:466 q4 V- |3 I+ ^
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。! q' S& k3 d# b6 H9 p0 @8 F. j- o- N
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从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
7 P* `3 b( o  L# z1 p! p- y7 V
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
, y! g* E3 l# H% J- t也就是说，EUV用浸水没有用？
5 x  a7 r8 n/ }/ p  _1 ]
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
+ }8 N# W4 n6 C8 w, H5 o理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

4 N3 M3 g. F4 F; ?- Q  {是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
1 D2 d' u% t) K1 Z6 j8 a- R- F是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
9 f; }  V) c5 }3 k+ c$ b0 Y/ N
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。% H  c6 n# b; r+ a7 f3 b+ L, R0 r( ?
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。  c  M% N; Y/ N1 E. L/ ?9 I

; U7 V' Z" C; l' B4 Y" H/ ?https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
/ `# D# H) X, ^4 T/ Y2 F也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！$ r% U+ F' j1 D
3 K9 [1 c3 Z/ z) p+ p9 \- H
个人感觉：相比于前一阵 ...
0 Y/ c3 I. q& D$ `$ c; G
: |$ _+ q$ q/ I. y1 B
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

; k- K! y( A: s# o& k: ]应该会在5年内实现吧。
" ]1 a4 C. f+ C( ~, a8 d2 W, t6 M1 t, o+ `6 G" d
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
- s) x& f1 R% Q  J- S4 L8 W  c2 o" c( r24-9-16 23:554 V6 q& f0 C8 F2 z( ?, N
发布于 湖南; `4 X! T- h. L3 b3 H
来自 微博网页版
1 r& R. V) U! Y6 j! x4 p啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
! L  T- t+ f) N! c不是运过来就能直接开工的。: V: m0 `6 Q8 Z2 Q, d7 \! z
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。3 @" Q7 y. p& o% ^! y% a' @

$ s1 h; N) q5 G3 k0 w这个时间很长，也是我常年说：1 T9 z6 |6 k- a; m! O% H" |
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
# a: q+ S9 |9 Q" t( J1 _; P0 {$ [2 M# ~
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
, ^) {+ E$ @& o/ s8 M, D) o- m4 G; ^* P4 y8 y$ w- G
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
2 ]! C2 L* y2 C& l( H干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）. {1 n  O# C9 L' G& A5 N
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
. R  m- T0 X* @9 S! u- t! q5 m0 u- y& M! {但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了% r+ F/ L" |4 b  |3 ~( u( F% K

& ~6 v& E2 ]; X没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
3 F0 h% p1 e$ X$ Y/ H普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
' U; D, b: h1 W3 W4 V0 E#华为mate70# 也没多久了。' I6 {, P/ C. d. h0 M6 t: o
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06; \. V. I6 P# ]0 w& L6 k
应该会在5年内实现吧。4 F0 E- T! H0 y9 f6 q* o4 u0 j, C4 t

2 X# Z  i( j/ o微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

, n  n0 j' k6 M
* T2 \0 Z' K+ }, h% e/ @这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
5 s0 q' I. P2 i3 o# o这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

* h/ n, K' I; m但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 , @, ~+ t# u: P8 i$ f- z+ W2 z
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
, P% k& {5 F2 w9 t$ B2 G  I8 L! @1 Z但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
- D3 e3 Y3 \! C! a2 J) d. b) k( b
0 }! `* C- y1 }- y" M) J! F) F
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定- q! W+ R- w% @0 V" {
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34$ l# R6 C) ~- h2 F- h9 F
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
- L* g+ U; j* p* Z
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54( {! Q* m  w' O7 F# \
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定. D$ Y/ P# l( V. ]
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
, O' M4 H2 E; f9 y! s# t  R' J
有道理。
0 V+ M9 G9 K+ z/ T6 |" k
, X& Q0 l9 w' W& e4 [$ }6 i- ?不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。/ y+ e# O0 ^" e8 Z9 i

$ m, D; P3 Y0 n1 D' Q8 m* U) V中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
/ v5 j2 L/ |+ T4 Q! E# i
7 }8 W  Z" P4 J这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:088 r+ ~, Z4 L) U6 ?2 V  _" M
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

4 N. U0 E+ H; L这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
% K0 {  d9 ]% m* A( U" H按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定3 U, s  w6 Y4 \: `# I7 t
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
  K$ f1 ^9 Q0 C6 ^5 h) C4 f' o
还没搞定？
) B8 U2 L0 L  z( i0 ^我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。% d) |1 z2 R5 v
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。' m% g6 @. P6 u$ A
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
' i4 z! P" D1 Q6 f按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  d' `- Z; t  |; O( J& B( K
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
1 r+ V& q7 o1 H: y
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
! v+ f$ x, x% |7 {: z. P有道理。3 i' W1 U# _' _0 G
! i  f6 X: {. d7 [
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

0 D# g( J. r, A; ~- ?: \可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。6 k7 u+ a' h+ f* C& H5 G
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 - c% T; a5 `) t  F" \: ^6 L$ o) |
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
8 w) V$ u/ P* Z还没搞定？ : `/ V0 v2 I+ X
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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  P; Q! s6 M. E, h
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。/ V# U( D5 o, s% o
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
+ j/ T% z2 l9 [4 j- D2 p. h. B  i突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
- @2 y! N# n+ y9 z' t9 m1 R
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31$ L2 m* j, o0 P3 z
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

" ^7 g- U+ v4 T) R2 h) p* ^需要用到浸润DUV吗？% m  p0 B9 D" Z3 I

$ T) @1 y$ O$ a, V0 A9 q& V/ T我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34( T. L0 |0 u' {
需要用到浸润DUV吗？
3 W) _* j8 j$ e8 B( N/ x8 y) g
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23' U! `, U. K. ]8 S. s# b" ^- y
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
2 y) Y1 _, X' c6 Q. d6 s
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。( T- d1 B2 o- w, Q+ I" {
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:376 v% ?% _+ y0 k6 \2 m  p
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54* Y: y8 ?3 s$ _/ h$ H: T( y
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定: L  o) O$ T" A# B& a! x
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
7 {. Z9 K- x0 S+ q7 V% k1 o具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
, h) W$ ?0 h! }2 C1 M) z$ w( v都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

/ ?6 D5 h2 f5 ^+ ?# o, E0 \不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13" M2 L8 `7 A0 k; e7 r! H
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

  ^( U+ H, B  Y' z/ i0 x中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45$ _: m  u; k3 H0 A% M! l9 ?) f
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
$ t* K; z/ h  m1 o  g1 e* O0 K我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

6 d, p3 z$ j- n+ B% ?/ C7 j! U4 }我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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