爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
( R: o, }, ~" i! c) H' @3 S- d- u8 N3 a  E0 |6 Q
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
8 d4 d9 u6 r+ l& l光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。" z; g9 a3 D* m- [5 r; X
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：3 A0 v6 E6 C2 p$ Z& e
1. 表面清洗* \8 P6 ?3 z5 a# @: G
2. 预处理- ]  z* N5 z" Q- x1 ]
3. 甩胶1 q" N& @% v3 D( ]0 k" s; v* L% Y  q
4. 曝光
2 d: t$ u8 S7 d  X5. develop（显影？）
2 @0 r* y, M% A+ Z/ Y9 m0 h6. 刻蚀/离子注入) H6 s4 X0 g5 W3 E3 a
7. 去胶( M; b& o" p$ s$ c
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
+ p' ~! F: y. _/ @% `. v[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
( j8 R, j) x% u0 c+ u对于光刻机，公式演变为：+ H% S4 Q* R  f3 ]: t& [1 L. [
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]. M. x  W9 Q( ]7 g' U+ I# c+ d
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
$ k9 K8 D: g  n1. 436 nm (水银灯"g-line") 0 a! [; C  _$ q: J7 F8 P+ Q% S# l+ @
2. 405 nm (水银灯"h-line")
2 V* s3 f  S& ]& D' j5 B3. 365 nm (水银灯"i-line")8 g( j3 v$ H* q* F
4. 248 nm (KrF激光)
: R& Z/ q; S& ~5 q5. 193 nm (ArF激光)$ s4 C( k/ [- F: O* y' R0 m, x
6. 13.5 nm (EUV激光)9 b& J. D9 S4 p1 n5 [
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。& H: c2 {% x% |/ t. s
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：' o* L4 @) }! z
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。& f# Y0 r2 m! p
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
( P; O  P* H1 ]( A- s3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
4 P, ~1 @2 }% u  T9 F2 d4 s4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。1 y* m: `  l5 d

9 Q/ p+ G) @5 f4 D2 p网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
. a+ H; P' n( X$ V+ ?, J我还以为你才30多岁。。。

' f2 m0 |: c' l9 }: b: Z西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
! S) `6 k# J0 n& U( h
& F8 w% v' `- r0 K- `& r. G# ]7 h国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
$ h: r, A  D  ?/ e6 N' [! h* z* D5 O6 q4 }
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢7 X0 m, }4 T/ ^1 s8 r  q8 `5 ?& k
* n* K3 C- O3 K3 o; k% x
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm0 z1 `8 h* s0 h5 A, u  j( Z
3 m3 h6 Q# Q9 `8 F3 s" T/ k; c/ z
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。, t( R" o( L  w/ D. T4 X
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
2 K( S; {4 B, x
2 D  {% D3 b8 \& P" p6 z延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
# E% n, h' V7 e1 r7 W  P! k" |" h5 p那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。0 ^+ q- P) m# p1 O

% t! }' N7 l/ T8 f& \0 o3 Q另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
! p: C4 v0 x% N8 G! ?, x和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：' t% [% Q2 N5 U/ g
2.1集成电路生产装备
1 c* [5 i! L+ g  U2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
: r0 Y( r- @7 D3 Y+ ?: }2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
9 R2 [. \1 W  f2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
7 z/ n( l  S* \& F) C4 L8 N2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影7 z: A* x: |' A& I6 Q
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm7 [% l) y0 _) v' U
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
1 e* O5 }% k5 T5 N. {% V6 R2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
0 P' P2 m3 X1 j2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
2 G& z( x  f  e( q2 o& h4 s6 t2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
: I# B; E# W0 J6 N0 y* b5 f  j2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°6 a& p; J, L2 l2 j0 U% g
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 {! Y2 z$ c1 c2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
+ z* a/ s0 a; u2.1.13化学机械抛光机 4 P5 V' f' c- O0 u8 U3 k, r
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min$ T! o) z/ g2 m) d, A6 V: I' U; X# f
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min7 m0 r6 a/ h6 |6 g/ |: B" h
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
, H/ H' \' H0 t: D0 h5 G1 i/ |    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min% ^: u+ G  ~( F
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
, d; ~, x, w* N! L6 Q. z2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
& K! Q( R# R4 g$ S2 J2 q, b- I/ d+ {8 P7 a3 U3 y
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。' q* e4 F! B# A! E/ m5 O+ {" V
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:468 u0 `1 A3 B8 |/ w
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
& N9 X9 ]- s: p% F7 g
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19/ h4 B- G  r$ y. v. W% m/ R8 J
感谢感谢+ B6 m7 M& C8 M0 k$ b

/ M3 D0 D9 T$ y4 ~1 o工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

/ E9 \+ O) s! T" R3 v- M也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！/ r* b4 K# x: F. z
" G9 h3 D+ o4 V& v
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
8 P: q2 P" X: O1 {  K
3 J6 v& o7 }( [8 _  F1、内行人一看就知道，还在65nm1 k; R& ]: X, m4 G4 M* d+ h
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm- Z  j, K# S' |- v# y5 E: k
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平! h( N9 k; `( y- g# s/ h$ v
' _/ ~; t5 h# O" m% |: e) Y* y% u
然后就要等EUV了。
5 S  H6 z' `5 M! O/ r6 R
' b, s9 p/ o! o% B1 d会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？  Q3 P6 J2 g9 Z; l, W3 g+ V

0 a* X- Z# d# B  R5 E) z( K/ x* o在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
. Z$ u: @; i9 @# o3 ^' W1 Z0 c也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！: g/ Q4 b0 N  b. |/ J

* Q" O& s. h; p$ j( u个人感觉：相比于前一阵 ...
' F7 K5 Y( f7 L( |# Z* Y( U
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。% {3 c# q" \) U3 o# W. Q6 G0 e; ~) T

4 j. k0 R' R7 o; V3 T从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。- `1 o. X; t3 ]
& @+ e6 }' T' G, X: Z/ G9 @3 v. f8 U% o
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。! D0 j3 H0 e9 ^; ~& T* l

/ a% Z1 r$ h% `9 D. c0 |' A( Z+ n' f
- Y. ]  ~' N( l  U# s' g1 E' ^& CSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
$ Q) \  v- }! w$ |5 Z2 x' q/ R" q- A& \; q. j3 e: z" F- u- Z" N' b

0 L0 ~7 \3 E$ ^工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
5 p0 e  U5 N! {- wEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

$ J: o. B/ E% m0 b9 M也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
2 p) k7 f2 {  Q不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
, K: J0 v. i: p
7 N7 k. `* f  U* C从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

; u5 f4 X  m0 z/ `不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
' n5 Y2 l( D& k1 y( M, q$ S也就是说，EUV用浸水没有用？

0 H) y' B9 v1 K5 [3 Q$ i8 U6 q/ x理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
. U- W7 N. W- Y8 B' Z! {理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

; s( N+ X' Z8 x5 N是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
5 \6 s2 E3 p1 e* \是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
* k1 y5 m. U) W
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
) Q/ O' V0 t# V) V我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
' I) t5 Z: Z4 O0 V
  Q; Z/ n: _' {https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:007 g+ f: N$ \8 e0 K- K5 \7 S1 n
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！. g4 J1 o4 l! ^: w# j2 i. B
; a9 M4 ~5 b0 f# C' s
个人感觉：相比于前一阵 ...

% K: r6 p( |7 u$ w. a; W% x5 I( p- ~
; W! _6 Y4 Q. h  I1 ~  `+ y
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

8 d8 U6 w) F) s# |$ F应该会在5年内实现吧。5 l: E! p, G' D6 Y# l; u

7 Q6 `& s/ J' Z  a微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）" F$ x% b# R; ~+ t+ g, S, s$ y
24-9-16 23:55! {- R4 W7 f. k0 g+ X
发布于 湖南" Q6 X5 b8 F4 U' o
来自 微博网页版
* u4 s2 z7 c6 l啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
& p7 t' L+ p" o# d3 f6 R不是运过来就能直接开工的。
4 v, {( o8 Z* N3 ?4 K# p6 e他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。& [* J7 V( _( Q3 D

$ q6 t, E/ t+ Q; b; Q5 `这个时间很长，也是我常年说：4 D5 A( k# T/ U9 V" x
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
# d* a- M) _/ O8 U! @- J
* ?5 x, {& i  \现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。4 K4 b/ H7 i4 Q% i2 q2 t8 A3 l7 W/ |$ |

0 e7 z- L6 b- p5 r! P  J" m简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
7 T. N) F: S7 K+ @. Z" k3 L干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）  B* P6 B+ P4 R9 a( h& q& O. X
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）2 s( {2 U3 Q" |% |
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
4 [' Q  R" P+ [- N* O' |+ L
  [' Z8 N  b$ N" L没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
+ ~) w/ y% n, ?% p普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。+ c* O" d4 R* W, V' |9 o
#华为mate70# 也没多久了。
& y5 ]# r$ h9 y
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
- S0 s5 Z" h! R3 `4 Q' u1 a6 r应该会在5年内实现吧。7 H6 T' {: P# Z$ S5 V. i1 _

% c- k8 n" V* X0 C$ c微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
" Z" v0 }: ]6 B) A! T$ m1 J0 q; G' b
" g+ `6 a* I( p# H" z( l2 [
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
3 h( T3 C  u9 Z9 u9 s- [' p! Z( i这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

# U) X1 i) J" Y+ V) [- ?但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
& C$ W7 u# \7 {$ X  E/ F4 U
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
0 x% C5 [  g& F& x  G: n% W但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

0 ?) X# u7 [; N0 C6 J9 O6 F. w
( B" C( T% [4 Z; [按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! ?8 Z& H" q" r1 ^& y# s9 H' ]所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
/ v% X* B% v* J) j  K9 F$ W不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
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理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
( q6 _" G+ i! i% {- S+ Z按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% c: |0 d) D% V5 D2 ]所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

% s* C8 @" u+ J: d& F6 P9 y有道理。( \2 D3 @' @7 M9 S
3 p  f( H, y# x$ G/ M
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
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% b$ C/ m7 ~! K* C中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。$ A) i9 X1 l+ S$ x9 l" ]# g
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这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:081 m2 e1 l7 P' `, S% f
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

# p. z6 j7 b2 e# h, _这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54& i9 R5 I- K9 `# }
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! c, l1 R3 m7 Z2 W: z5 [4 O所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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还没搞定？ , O% S1 U: }, v; Q; k  j- G
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
0 s, R! u0 |# F% v" j% m6 B8 `尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。" v1 R7 L: Z) N2 j
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
7 V- T' ~# j6 i# W2 r' R% |$ |+ e按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定- E$ H- K& P- s- K
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13) U& Y  _8 c. r) n# i7 T  `4 e
有道理。
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5 j7 q; @- ^; a. ~# R+ V8 Y# J不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

: t* H9 @8 _2 x! W" U- H可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。' I  Q; p. _7 \' E7 H% @7 Q4 q6 A( n
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
: {4 O7 S% T5 [: R& |( \还没搞定？ 7 f; v$ B4 _! e7 {  g
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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- x) o9 |7 \: o4 i! XNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。7 c, {' p$ D$ {1 x: T, M0 o
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
8 ?6 Q& ]$ y- w& ~突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

) y# ?& H; d* }3 {- p存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31! D9 _# B7 I- S# y/ h
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？3 E; l4 c4 }7 J5 F. ~3 n3 m2 a
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
3 R$ g( X  l" D3 J+ X3 e; {需要用到浸润DUV吗？0 l9 Z) v: C/ ~# J

( ^  N. \" U1 N# W1 u我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

" @! S8 b* K. w/ h浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
- x8 T) K( j2 C# |% v  |可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
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是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。5 M" k2 w6 Q" W! [
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37! l0 X& k; m6 T! A/ F  B
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

( a) U7 \* A8 p. u! ?/ e都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
0 }8 k8 |+ o8 G4 |( B7 r* M! L% h! L按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定+ h0 ^. z- n  X1 m8 V
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 ) q" T+ o' A+ g8 }# }* E  K
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
5 F. M; ]: I0 e9 n* T' e具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

- c) o5 |7 _) L$ P" U. S7 F6 T
' C: {: F0 v) p  S1 K# {; k+ t0 x这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40) x4 D" V# S9 x8 {6 O- s3 b; K- ~; {
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

) E! @. `2 T: M/ ~# }不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13; q; l+ v, ^" d8 d* ^, |! c
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
3 g! m0 [4 x1 z, ^: _
中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45# U* }6 S% n0 I' b+ Q+ B8 b
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
; M& m$ _* P' g- ~1 D0 D! \9 D我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
+ V7 T( Z: y3 B! F$ X
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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