爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]

作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 , r5 y1 _5 m* G8 Y# }
9 n* H  m# L4 q+ N: Q! U
被老财迷点名了,又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法,俺就来稍微说几句。2 f$ o+ |( M2 G; J
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧,俺第一次看到光刻机,那时洋名叫Aligner,后来又有Stepper,Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的,俺个人以为也不算是很好的命名方式。
+ F! S. ]. s: N3 [) w# Q. [$ b) M还是回到光刻机本身吧。顾名思义,光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂,往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤:
) l' |1 m, ]: h8 K7 |% w* Z  N1. 表面清洗
. a. v5 _3 A0 h& J- V2. 预处理* Q! z+ [4 x. G
3. 甩胶
4 g2 U9 P" p8 ~, y4. 曝光
7 L+ ]0 i7 |0 @2 L4 X2 t5. develop(显影?)
! ^( O* E9 H: O& {: j2 B% R6. 刻蚀/离子注入
( ]# j+ q. q+ d0 n- Q4 H7. 去胶# m! u. H9 B  Z( X# E
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点,这个XXnm,在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统,而Ernst Abbe在1873年就给出了公式:, _3 D8 l7 Q/ H
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
- m" P% z/ F8 f( z8 K; [对于光刻机,公式演变为:
+ p' H) P2 W8 n$ f' z[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
* T( |4 e- p% Z# A) v/ P1 i这里面CD是最小尺寸,lamda是光波长,NA是数值孔径,K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d,要么减小波长,K1,要么增大数值孔径。下面是用过的波长:
8 j9 E! f/ x) j4 s+ w& o1. 436 nm (水银灯"g-line") # P$ J% C# H% z! a% G. z4 k
2. 405 nm (水银灯"h-line") 0 C* B  [  b+ @3 O
3. 365 nm (水银灯"i-line")
* D' p' @; C  J- G4. 248 nm (KrF激光); s6 d8 Z4 M4 f$ w( y
5. 193 nm (ArF激光)0 X' \$ Y' Y3 ]* b/ _; ~/ K
6. 13.5 nm (EUV激光)
& b' J: y! G7 f2 N5 D工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm,现在变成65nm,估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点,台积当初就做到了。三星水平差一些,有两层上了EUV。牙膏厂的10nm(对应台积7nm)就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。$ {1 t& x2 P: a1 m( \7 T" A& m
按照公式193nm对应的极限是90nm,但还能继续是因为有一些别的技术:
- V* g5 N( k& c5 ~# n& p1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44,相当于数值孔径变大1.44倍。
7 [. Q+ W5 M- Y- K3 E, k, H2. 光学临近矫正(OPC)。早年的光刻遵循的是几何光学,不考虑衍射,掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果,掩膜上形状和最终印出来的不一样,这样可以做出更小尺寸。1 ^) p% B# D1 T; y
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure,那个是把前面工序变成1,2,3,4,4,5,6,7. 现在这个double-patterning要更复杂,简单说是1-7,1-7要做两次。这两次之间硅片会动,要回到原位,就有误差,就是那个套刻精度。
0 @8 P" Z  U7 q  ]4 m* \4. FinFet/GAA,这个其实并没有实际减小尺寸,只是让有效尺寸变小了,所以节点数字变小。& p  {# |8 I' M# C$ C

* K$ X1 ~1 t1 N. z0 C3 x网上谣言说国内的浸水还在测试,希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言,文眼就一句:“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了,现在你说LE变SE,进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
! B- m" X; O) O+ K3 A我还以为你才30多岁。。。

9 S% v9 N& z* k0 c  w西西河一开俺就去了,那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数,是可以轻松实现65nm的,20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步,也就是OPC,提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩,突破到28nm问题不大。
2 Y! b) Q5 o! V# A3 G3 t
4 E+ B( X; x. J/ o4 _' E国内目前的所有半导体的前沿突破,都不在公开的生产线上,因为敌人可以拆解你的光刻机,制裁你的供应商,从而摧毁你的供应链。* J6 j, p; ?" a; g0 V. h

5 C) p; D6 E4 f( y5 D凡是公开的,都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度(wafer/hr),连续生产时长,透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢- C- v3 B% B. G& E7 a8 a7 g

# i" y2 p8 v; n; u) ^& C工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm7 q! w7 m6 p+ X% Q
, {( j- e# R. F" v8 a
按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
& X! |+ m# e- Y0 L" t" ?7 H0 Y确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
7 {7 n# ^: k( W
* g1 M& \- u: v9 `& o延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。1 _4 n: T( S5 G2 p1 D1 b
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
2 v- `/ J. Q" q  a" v5 t3 G) N8 Q( N$ J1 b! H( `) k+ r+ [
另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
; Z0 \) K  s- m  x# S和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:" u& S+ ?* {; m
2.1集成电路生产装备
7 @9 z2 @) c$ d/ t2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
; L; N! Q5 `4 u3 C  E5 f* B- U4 P4 E2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
" d% _- k& m4 W- Q/ _9 P2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
% {" ?: V9 t  d; d2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影4 A4 P* i. r2 R: p; i
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm4 g. b, B" N+ X+ p% J) Q& I
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
7 S5 j9 f/ O# c, g, B2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%2 w6 H2 e. d2 @$ o  z
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA/ h+ q# S$ M4 e9 t8 K5 {6 I) s  B
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀
" F$ o. ?0 L, g# c# {2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°% g6 {5 f/ E$ N7 V# }
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积0 I+ K6 K! a& r$ U
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积: j: c% j5 f+ J" x; a8 G
2.1.13化学机械抛光机
$ }# P% D* }+ D2 a    铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
( `) M" r- I: w2 i$ B( A) P8 d    钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min5 G6 f  C2 V; w+ ~$ e! R* |
    铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
. D# \9 O2 D8 _/ v2 b    介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
2 h2 v1 ?6 f& l8 z- x2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
3 l& X& @- C$ t7 `/ \7 Z9 e- c2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm: M+ G6 C9 j+ V/ {2 M/ ^4 R9 ~
+ f0 X6 W! z, e6 H( v. r- k: H
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。* E9 p+ H; n# |

作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
4 `' s1 b/ M  v, e0 M公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
" R# J5 g( n4 h% h( r. U
个人猜测,在这正式公布之前,国内(大陆)自己的代工厂商,肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围,各大代工厂必然要背负相关的任务,这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了,肯定是用过的,具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂(估计是YMTC)验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的:NA=1.35,K1=0.25,对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
2 X) x: W$ J4 _0 E' H感谢感谢
$ B$ u( Z9 Q7 |
; Q7 z7 [. V0 X) c工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤ ...

4 |$ `$ L/ t4 B$ t% ^* J也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!
  \$ H! f3 w$ V: L6 t3 d/ S  K+ O5 o- h2 ^% w
个人感觉:相比于前一阵的绝对保密,现在放出这消息肯定是有用意的。
7 X9 g9 _$ G) y! ^# y2 D9 Q( \4 v7 n  k' a6 R, b( Z! \6 R# z$ V
1、内行人一看就知道,还在65nm% @9 Q- }3 F! `3 b
2、没说的就不知道到了哪一步,而中国肯定不会满足于65nm
& D- z; o% A  `( U# f+ m2 T" j3、一旦这一关过去,下一关应该是28nm光刻机(咳咳,我知道这说法要被内行人狂扁,你知道我的意思,暂且手下留情吧),但说中国还有15年的落后可能误导,追赶总是更快,尤其是这在现在根本不是最领先水平8 x0 m/ h+ z  Z2 {
' {; I1 K% p" n/ A: B
然后就要等EUV了。4 k/ W( s# K' ~

. I2 \9 Q& J! }# G! j会不会中国人首先解决光源,索性一步到位EUV,但干式先行?不是说俄罗斯EU V光源给力吗?3 B( ^! z9 D4 Y6 q' E
3 F  l( [% `8 v: ?5 s- ~6 n
在一段时间里,一旦中国28nm全国产化,芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
8 }) Y4 `( R$ S1 v+ ^0 J也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!( }' @& O& J! @( m. @

" @6 z4 X* G9 @个人感觉:相比于前一阵 ...

% B! L- G6 u9 Q- \2 K7 b' n0 G- Z不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。
5 A6 S; b3 q) X: p5 q9 ?
+ b6 M: T- y- R; H3 ^2 Y从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV,那么全都是193nm,即使是台积电的7nm。在典型参数下,193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进,比如提高镜头的数值孔径(玩相机的晨大熟悉这个术语),在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平,再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning(更准确的应称之为multiple patterning),其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过,而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
; H6 F% w9 A! |9 z3 y) ]! F) _, V1 u4 p; Y; C  }# s, `6 v6 Y" j7 l
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例,SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西,它只是用作一个骨架,在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉,只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方,这有一点像脱胎漆器,当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作,才得到最终的电路。! y- V9 ]0 F  k
/ Z) f0 E/ Z! u# Q: G1 q

) v) a2 r- a: Y7 n2 |: i0 JSAQP则是将SADP的技法重复两遍,以期获得精密度的倍增。. H0 W4 U( B9 ^! x+ \$ j4 i

' q7 H, H- i/ f3 C( H" k' S
' W; @9 P) ?, V# l工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材,芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜,是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找,所以没了传统的透镜组,也不可能再有浸液方案,整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的,这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水,而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出,采用EUV后芯片各方面的指标有提升,但这种提高大致是线性的(如果用以前的速度外延的话),而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
9 l6 t) c5 Z  S2 T/ PEUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
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也就是说,EUV用浸水没有用?
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
/ B& G8 @% h# Y0 b8 u; X1 ~不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。
/ [* A/ h5 J% a- ?# f+ K1 q) N- E
, R$ w& D9 X+ ]8 I6 I, _/ B! E% k从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
, m0 Y, ]. H! R' P( Q5 c
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光,产率和良率应该提高很多?
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
5 Z8 [% a1 Y; j- B$ T; Y, ]" b也就是说,EUV用浸水没有用?
7 R( q  R# D+ ~
理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:384 g% {% Z* s7 |* d+ u& L5 c! [" X3 v
理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。 ...

6 V4 R; `1 X: i6 F/ u是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
$ `3 ]$ A$ A" O7 h2 O" L0 M) l是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
# L! `  ^3 Z5 F' e0 C3 i2 P
相比透镜,反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多,最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章,应该是业内人士写的,他对目前的进度并不乐观。$ t9 Y4 X3 L. q9 R& O' w* N0 e
我不懂这方面的技术,看起来说的还是有理有据,供参考。/ q& h0 X: j, C7 v9 J" L1 F8 a

- c- C+ w6 H" B- s# r) L) J) g" Phttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00) ^) l' j3 ^- @: `& \8 k  x3 G1 e
也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!
: }; I9 V- ^" p  a. x, }, H
8 Z1 `8 B8 s9 o0 v7 M" M个人感觉:相比于前一阵 ...
. m: }" A  y# T4 ^' v
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这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
. ?% A  ^* \# a% C
应该会在5年内实现吧。* p% q) \( ]9 j8 _* R
2 p7 `. k# b( k# y. {
微博上有位“沉睡之书11”说的。(不一定准确,可以看看): {& m4 O. |/ k3 o
24-9-16 23:55
$ @, y7 `, s$ ^  e发布于 湖南" A+ L3 P6 D! o3 `! |/ t4 J
来自 微博网页版
$ `$ J$ f% O! r7 @/ a5 t& Y! f啊,说过很多次了,#光刻机# 不是挖机
( r( V+ g, D: l; d0 R不是运过来就能直接开工的。
+ m. l) Y1 I$ K5 v. m! {; Y& j. P他需要调试,需要不断的用,一边用一边调整,等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。' q$ w. n* L# ]& X" x$ E" h
- X2 K9 L1 G$ S+ W  [0 }
这个时间很长,也是我常年说:, D, Q% y5 o3 C) W! L5 u1 I0 @0 o8 B
就算今天ASML传送一台EUV给咱,我们拿到第一批量产的芯片流片完(无论7nm,5nm还是多少)起码2年后——这最乐观的2年时间,还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
% U0 N0 Y" [8 u7 F( J8 U
& ^+ q4 {, s6 _8 N  G9 Z8 \现在发布的这台机器是起码3年前就验收了(科工),现在工信部验收推广(产业链),成熟得不行了才拿出来的。你需要,给钱就有,不限量。
9 f- e( W2 Y5 B8 B" S" X/ s1 t* X% f/ V0 u
简单理解就是——这机子是干式光刻机,做的是65-55nm的芯片,一次曝光。* K% ]9 d# z6 v5 R- Q' m
干式光刻机没啥意义,为什么呢?因为改进之后的也可以出产低制程的,向下兼容并且良率更高(成本低方案成熟)
+ M, F  i, H. l( D4 F! E: c2 r多重曝光也不是这哥们来做……(我是不清楚干式光刻机有没人搞这个); I. G, P; ^7 ^/ H; \: Y! V5 V
但这玩意的光路设计啥的,是成型了的。有了它,就加浸没式透镜,修改物镜,最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机,但起码上线了2年了
: d" o! _/ x" m
3 R2 y/ ?- H$ I  j没公布的那个肯定还在不断的调试,修改,更换国产配件。6 d9 N6 b( K$ I/ O) N3 G$ r
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
. c* d/ |3 K3 W* z; X#华为mate70# 也没多久了。
$ k5 O9 X' D! V
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:063 w! z9 I9 K) X; B) I4 E
应该会在5年内实现吧。
9 g4 i6 C" h3 A/ j) Z$ z4 q9 G) M4 y
微博上有位“沉睡之书11”说的。(不一定准确,可以看看)
/ ?0 D6 g- N% O) N0 ^% `
! l0 H5 e% o9 ^+ [8 @
这个有点扯,新机到货后肯定要调试的,但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
7 }/ e; j# F0 z2 n这个有点扯,新机到货后肯定要调试的,但绝对用不了两年的时间。

! P( n% @: X* J: O# c但干式到浸润的步子没那么大,这说对了吗?
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 8 U5 D+ V7 b9 v1 L8 q" _9 u
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
- }% d5 T& n; p$ J$ o# p3 `但干式到浸润的步子没那么大,这说对了吗?
1 m  B  u# E! d  e) f! U

1 z" E/ n# h8 L: L3 [! S按说这个跨越不算大,但Nikon就是浸水没搞定/ E* E5 v% P1 E. p" A
所以俺不敢做预测,只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
. U# j7 {5 t" m8 u! N& y不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光,产率和良率应该提高很多?
, T" Z" W5 _! r& n
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程,需要各方面不断打磨,才能接近理想的结果。现实中的例子,台积电用193nm光刻机率先量产7nm,三星则以更先进的EUV光刻机应战,由于对新型光刻机的熟悉不足,结果良率低下,很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝,开出比台积电低30%的代工费用,才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54( N/ I% H; v0 |( @
按说这个跨越不算大,但Nikon就是浸水没搞定* O. ?; P; }+ N
所以俺不敢做预测,只敢对已知的做评述 ...

& V; }- X0 W% ^% v* a1 c9 Q  n有道理。8 z1 m6 N8 C6 b3 v
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不过现在看尼康和佳能的光刻机,总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦,就用最小投资吊着。不退场,但也不全力以赴。$ G  o8 O% t9 Y; V# B7 Y

) x) a& g0 F- A( g; r中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
8 }3 w2 x+ z& q! l7 O* G7 ^6 f5 y4 @& U) W) z/ Z# _- ]+ J
这会有差别吗?
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
$ D- E5 b9 w4 m* }  n理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程,需要各方面不断打磨,才能接近理想的结果。现实中的例子,台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼,看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
3 m& Z5 N- q4 T0 m; H# l, w- S按说这个跨越不算大,但Nikon就是浸水没搞定4 a- q  L" M- i; R8 ?+ T) Y9 ^7 O. T  Y
所以俺不敢做预测,只敢对已知的做评述 ...

5 ]1 S8 H3 _" G8 u还没搞定? " `2 ?) \# D) v9 `, O4 ~( ^$ r/ |
我可能是09年去给Nikon做实验,他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡,想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个,然后过去一起做,看能不能用。那个时候估计还是早期,这些基础的问题都没个数。做了几个实验,证明可以捕捉到微气泡发生,成长和运动的轨迹,我就撤了。这都十五年过去了。+ m7 w- a, D$ c# B& E  o
尼康那时候已经有点不灵的迹象,食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。5 Y. N' ]5 K5 }/ Y- K

作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54/ ?# M( s' M) p. L  z
按说这个跨越不算大,但Nikon就是浸水没搞定
& P3 R2 K) p$ `' w) i& ]所以俺不敢做预测,只敢对已知的做评述 ...
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突然想起来:现在就聚焦于逻辑芯片,存储芯片用的芯片技术一样吗?前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了,因为光刻机的事,这说法准确吗?高端NAND需要多少nm节点的光刻机?
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:137 N7 S) J3 Z' j& {* Y; I" P' K# i
有道理。6 j# p' y2 [( J9 N& t
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不过现在看尼康和佳能的光刻机,总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦,就用最小投资 ...

3 O; O  Z# A' ?* u$ c可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的,可是政府也难呐,到处都是嗷嗷待哺的嘴,捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
: J+ A$ Y7 C5 ~# Q很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词,叫硬直化。所有的钱都有定好的用处,几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了,钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 , W9 c( ^+ O2 s
雷声 发表于 2024-9-16 19:19; b2 k" I/ F9 w9 J
还没搞定?
9 d: f0 H& [4 C) r我可能是09年去给Nikon做实验,他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡,想买个做实验的 ...

$ b+ u; q9 t* M  o( J6 F" X9 u! b0 \% Z. H5 U5 o  a
Nikon是稳定性不行,被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会,Nikon还吹牛自己行了,但主流客户没人用。6 G& G& L+ w  I% X) q' W0 V: l
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:213 f/ n2 m( D% h- ]  U
突然想起来:现在就聚焦于逻辑芯片,存储芯片用的芯片技术一样吗?前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样,节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31" `4 ~7 Z  N) Z9 R' z' A6 e1 i
存储和逻辑的工艺重点不一样,节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

8 t8 U4 ^$ E5 o8 g需要用到浸润DUV吗?  X9 r2 U+ {- q) D, m3 s! V9 Q

% L, |* q5 l: T# H" M5 s2 [) F0 H/ Y我的问题其实是:65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗?
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
9 ~" m: ?& w8 `6 E+ A% j0 A& x7 W需要用到浸润DUV吗?
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- a- q* n4 B+ S7 g我的问题其实是:65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗? ...

* p" T3 ^/ I- Q- a" ?5 \浸水还是要的,这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
6 R5 s/ z1 @! K. E可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的,可是政府也难呐,到处都是嗷嗷待哺的嘴,捉了个虫也不知道塞 ...

8 z7 B6 a$ m& S5 B是的,需要钱的地方太多,但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向,优先级比谁都高。这个瓶颈突破后,不只是军事、科技上的阳关道,经济上也是大片的处女地啊。4 a/ h& f& X8 u

7 h# F# X9 a/ \% G硬直化很形象。确实,西方家大业大,花钱手笔也大,但每一笔钱都预定了用处,活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳,就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择,但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37/ }% W6 K5 ?% M/ l
浸水还是要的,这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

0 p3 L% H' s6 |" `都说工信部这光刻机不是浸润式,但193nm光源,65nm分辨率,正好是2*1.44倍,是不是太巧了?
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:544 V8 D8 N/ U* P4 n
按说这个跨越不算大,但Nikon就是浸水没搞定$ N" I( H6 o2 {' P5 \( {! o& B
所以俺不敢做预测,只敢对已知的做评述 ...

2 Y3 k( K/ j9 D( s% Z% @0 e. B具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点,这个温差会让水的密度不均匀,从而折射率不均匀,影响成像。为了避免温差,必须让水快速流动混合,但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来,带到晶圆上,形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时,在浸液系统上与林本坚团队合作,方案修改了7-8回,耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑   P$ z3 C9 i/ r9 X
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43" w8 t- c2 g# R2 V# J5 f! f1 J$ x
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点,这个温差会让水的密度不均 ...
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# T: y8 j! r: N. [4 ?; a' b这当然不容易,不过两年挺快啦,看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
# ?1 @2 w: B$ s都说工信部这光刻机不是浸润式,但193nm光源,65nm分辨率,正好是2*1.44倍,是不是太巧了? ...
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不知道啦,也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13# ]& ~7 K" c8 j! p. U
这倒是个问题。都说韩国人拼,看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

, ~5 P9 Z5 Z- l9 n6 @) F  _中国大,各地方人气质不一,各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来,韩国近东北山东,台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
: c. w, D1 d% O6 e在知乎看到一篇文章,应该是业内人士写的,他对目前的进度并不乐观。
+ J: l; ]* [( {9 o/ N* {我不懂这方面的技术,看起来说的还是 ...

: }# b% Y, a1 I我知道这哥们,他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商,WW,他只能知道外围的东东。




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