爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ; S; x3 W2 D0 z1 q2 W" Q
  Q7 U) L" ?8 r6 o' U0 d  l0 K; R
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。" c- }; ~9 x: u( v+ E
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。, F, V8 W; t/ c2 ?5 p" j* a
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
! C5 S; q: b8 c2 V+ X- E8 H% _1. 表面清洗2 ^1 X7 ?) [) a3 ^" m: b9 `
2. 预处理
8 \# I. a* X( d& T! A" ~3. 甩胶/ J! u$ k+ \* _& Z4 \/ G% |8 P
4. 曝光
: C' I* `5 V7 q- M5. develop（显影？）
8 W5 C9 Z+ u1 a5 U' R. T5 w6. 刻蚀/离子注入
( O8 e4 a! G2 R; f7. 去胶
) x2 @! G, ?0 o- G6 ~8 p% y4 s光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：7 E8 w* L3 O! }7 f% u& V7 E) o5 G
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
. w# z9 C" E" d" w对于光刻机，公式演变为：- C4 A  ]" b9 D3 r
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
# i: I. _# H4 {5 m3 b$ ?% [* k这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
+ b6 U; l+ ~0 `8 b2 d- j% A3 S1. 436 nm (水银灯"g-line") * O7 x. p% k) r6 u
2. 405 nm (水银灯"h-line")
) i: V7 z9 q+ ?9 q2 ~( ~3 \3. 365 nm (水银灯"i-line")
  n: }4 |  c. s4. 248 nm (KrF激光)
. p) y' _/ V1 F, e" h2 Q. u5. 193 nm (ArF激光)# |" ]# O8 H4 E+ S8 e: x1 r' {0 F
6. 13.5 nm (EUV激光)3 L' H" ^/ m" S5 f0 V# W9 `
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。# y' b* q8 ^2 _3 }7 d( R
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：9 t0 D& ?3 v5 p) h0 g2 Y; h+ Y
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
! x3 }7 x- g7 F/ p5 f! Q2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。: d  W* |( Z( k7 r5 o
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。. C& D+ w  a9 }6 ]# b% c3 M
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。) Z+ D* L4 o0 \/ m3 M

& S5 z+ i% `( M" R1 H( [9 b8 T网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18+ T9 P) F! v2 U; x
我还以为你才30多岁。。。

: g; M+ q9 ?( \西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
" h# B# S) O4 Q4 s4 `1 o+ I8 X) j# r, e0 S- W) x2 q/ \2 h
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
# f2 c! T) k0 }2 V7 C* ]6 E2 h9 l7 F
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
# u9 s. S$ a! d/ N3 @& T: I- d) o; B% p4 [6 E8 x+ |3 I
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
% P* k9 p! }; P9 {- P
5 i& G" [' C/ x. o9 r按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。' q" f/ R1 }, k; E" @6 Q5 g) L! ?
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
9 _6 j* G6 d  w! I. S1 T' z' n; g2 l# A
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。: [) \$ Z' x$ u
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。7 m2 F6 T' m3 x2 h. L
' m+ I0 r: a; y8 ^3 j" O
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html4 M: j6 ~6 x7 b% K! {4 o
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
. r1 Z( H/ X3 l; E" R, F  O2.1集成电路生产装备4 [0 V" m; L' Y& v% q, a/ {
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
  |& t+ ?$ C; U- w9 M8 u0 @2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
/ P0 q; v& s6 t' w1 ]2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm0 z0 Q: K8 ~4 u4 z* {( P
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影( z4 ~8 e1 ~, Y  x6 u, j( X: I) H
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
; h8 g- e* [$ K2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm0 L) a& t+ _6 W& }5 G
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%$ \4 _" b; l) [
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA4 Q8 v( Q% x4 g5 _' D
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
& P# P2 n6 i# E& G. h/ D9 P" Z( H* C2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°9 u) C; {( a6 O7 {' @# ?+ f* b/ u
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积% N# I2 [# d8 ~2 E! |8 Y0 Q) o
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
) V4 N0 p. y8 {, r' H; k2.1.13化学机械抛光机
7 J) _0 Q, e: f8 J6 f% W# X    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
1 U8 Y4 K, Q5 m4 E, @# o3 J4 J    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
3 T, ~6 q" u8 b% p    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
2 T( D' @. [+ L. Q( a" G    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min8 e2 q' G; a7 k
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
* _. D2 E, w( [1 Z2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
# A- u+ I$ E  J6 @4 u+ p
# E; o) A' j/ E4 s: f; q" a2 Y2 R很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。7 O3 T1 J& V6 ~/ j* m. d( P  r
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46* P! o7 N9 ^5 O: C8 x
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
  T4 T5 J" ^; O3 ?6 ]
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
! \; f" b) P  x. e$ I感谢感谢
& h8 g# N! r& Y" Q
/ a; N  E1 Z  Y% |1 [5 d工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

3 ~4 a1 g$ `( j6 m* Y" k8 p% h也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
4 w  q$ y& X; h& U  v: \" |2 K. }- A! D- P. w
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
8 K7 {, \0 e# t: |% l( [5 i' i0 I7 T4 Y7 I
1、内行人一看就知道，还在65nm
/ B+ u" Q2 L0 |/ C2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
6 D; @3 |9 s* b0 E7 g3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平: d5 C& F8 a6 P- v8 [
3 C& S" P* D' G% y9 ?
然后就要等EUV了。1 O# s2 i& a/ q: F+ _" W/ W' C
) u% ]' O; ^- ^6 a' V
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
1 X5 I# w, i2 [+ v9 I# `+ W
5 K) i& j; o' v在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
' B* u  Y; ^! l0 w* L也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
- T' `& N3 U1 O6 L0 o' b, c* `% K4 G! N/ g3 n
个人感觉：相比于前一阵 ...
* h" I! w9 j, X5 m) n, W
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。# L8 M1 J3 U6 d& W8 ?9 X
) u  Q1 K" k9 U0 @! B# b
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
/ f0 ^( ^4 a+ p# {7 S& D3 [/ F& T) I% Z: m) W
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
3 |! e9 W# l8 o. X# d1 V: u, c6 h' e2 E

* e( b1 G& H' ^1 a2 QSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
; s9 Q% L2 `; V0 _$ E) ~
) e) Z) T( M- p
7 v# N& o# f7 ^: t% X" D工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42& T) ?" A% \9 a. G, w  a! {
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

1 {" ^3 p! j( A' c5 J: X也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46: s2 u4 h' }; K2 C, B; v% B( ^
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
$ d: Q$ ?! O$ X2 k# G5 ]: J8 r( Y/ o/ s+ C2 |9 f% c# a
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
4 Y! @  \; ?; S9 G3 _% a8 \
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21- w6 M6 B/ S5 W# a7 r3 E8 x+ b
也就是说，EUV用浸水没有用？
" e) O1 n+ y' X, i
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38; Y: i6 c- k6 h. m, i- T; Z' z
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
! p2 ^  J5 ?% A% s$ t+ Z
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
/ C# V; W  s% j! Z7 q. u" V* B( M是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
- `) f+ `" K( m4 R! Y' X! X& q
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
$ v% I; @  N: }/ E, r7 y$ }我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。+ i6 n9 F) _; Q5 t# M

0 m5 U" ]  X0 D- Q- z& Ghttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
! {- Y9 w+ G: K5 i也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 V7 H2 e- D1 }$ J! E  Y9 \7 M2 e2 k* s
个人感觉：相比于前一阵 ...

3 ~# T# ]2 t; p+ ]; m1 `6 y7 s9 y  W: s9 K+ Y" U) a2 G
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
' U( e, g" S8 b6 o+ {' S0 e! a
应该会在5年内实现吧。
9 t- R/ h7 a% X3 K& J9 z( W$ }
* x3 i2 s$ w) t微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）: J, P% k- a9 w; \3 g* @
24-9-16 23:55; c; ]( k/ n5 P" ~$ x$ \9 p7 ]
发布于 湖南
% B, T# e. F1 e) R# }$ D来自 微博网页版
; F" i$ d& r/ B! E啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机% r" X9 g/ z/ ^+ b
不是运过来就能直接开工的。
. y; P$ o1 S* {  ^6 J9 E- B他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。/ I. I5 j- @* [  B( Z

  |( c8 y5 S; E$ `6 {& M: {; _这个时间很长，也是我常年说：
, C  @$ ^" H, X; ^8 g, T就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
) ]! l# R: H7 U1 j2 ~) a4 o. T0 F' e0 M' M2 }" c
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。* ~7 D. ^4 f1 |

0 A) C8 s) h2 v+ }" c; e6 F简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。% g/ p4 g% k# Q% P+ M! i
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）& v" H# X! w% A5 W4 Y( N1 p' ^  T
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
( |2 x& Y- Q% R% Z但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了7 A; n7 |/ v* z; M' E. }' E% w6 F# q5 Y

3 [/ d7 P$ k9 S7 g8 W# t没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。9 O" Q# ^! B) T2 t. R. g
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。6 i9 z2 f( z; Q4 @& |4 i
#华为mate70# 也没多久了。1 ^9 q% }/ s( d& |$ u, ?
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06/ c2 G/ @6 E% E" E0 x( |# s
应该会在5年内实现吧。* P5 N+ j# y( N# V
2 h: K  f2 s7 J/ g6 Q
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
* [# v+ L; J2 E1 X6 c# t4 }- b

0 j- R" |% W; S6 D" x6 w7 E这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
7 M) q3 V; o" G6 j+ x/ B/ u# u( C这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
. z4 e) p5 c: a4 O, {8 }  h' i% l" `; {
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
' `% j7 G1 J/ f. ~. J
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
1 K/ t. b! o+ `7 {2 {% V+ S但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

0 k; V, N" _2 {8 |* _% A6 l2 f! K" W
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定1 K( s, ~( I1 `$ n& x( t; a/ ^
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
1 T, l# q: ^: g$ d不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
3 f+ b& B0 D% A/ U" B- U1 g$ t
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54  ~/ U+ L) [2 O! {' c# _
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% c% j- `! ]$ [; k  h  w6 ^9 E所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

" G2 l( _. V0 ^$ f! z有道理。+ d: T6 t- |1 F3 H" \

7 ]  H" x# n# K% \0 s不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
5 n* w( l/ W( ?8 L& ]0 u' I% Z' h" m. b
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
! Z8 d0 `# v9 k$ l5 z
5 o3 c( t9 |! s+ j/ t. T- m这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:084 s; U. d- c4 i# N, p0 D3 g) g' z
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

% e8 {. v. M( ?- n4 U; k) z这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
8 ]4 }9 I1 h0 G( J, x. [按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% X# @$ D  ?9 M* a" d所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
/ ^2 q* V8 N2 n) k% a3 k! o' V
还没搞定？ " I# C; c1 s( t
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。+ o1 }2 w2 X# z& V. c+ |
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
  w. F# M7 z/ R; \' y
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
. L6 |8 k0 l# K& R按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定" O4 b' ?+ l& u6 T( S4 G
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

: |  t6 [  Y8 J) s+ K0 W( q0 Q突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13$ R8 t: ]2 `6 N% L: `3 g
有道理。) B( x. a. W+ ?, M4 f4 @
0 n; v  h" ~5 ?. b$ j6 g6 v
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

0 ~9 N# O2 C7 o$ J, f. `可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。! D* a3 h% m1 A4 H2 z
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
  w' C) T. P; `$ G
雷声 发表于 2024-9-16 19:19" B" W8 H4 z. Y
还没搞定？ $ d5 w3 m7 o3 k1 X9 O
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

7 Z; n/ u+ [& d: n
5 d2 v. e: g' ~9 H( g$ U' BNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
& l" J3 M- w, ?7 c1 v/ p/ s, d- H有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21" B) v5 K2 Y" F6 o: I3 I
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

. i3 E! Z' O( H# [存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31( x: K% `1 H; h* u) D" Z; N
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

6 }% D: x" m1 W  D0 n* z需要用到浸润DUV吗？+ ^* w6 }/ e+ D

$ H! f& a  D. e+ G1 w) E8 i: ]我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34% B% A* \, {/ r6 {0 U$ P9 K
需要用到浸润DUV吗？
$ s8 E9 i" [7 \$ D5 ~5 I+ `5 O; c3 K3 R
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
0 Q# q% L  @/ q- n4 R+ z( g  |
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
% X- x9 ~0 e" N8 F, S可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

' g0 o+ i# k- d0 `5 c$ b是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。& w/ e0 W3 l6 `6 h2 z/ A, X% d
8 _. p% K& M! w# I+ {" }; N1 f$ f
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:374 m  T0 J( n; N4 _
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

. L- p" o( q6 E5 f! i9 i9 w7 ?# f都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
2 m1 L7 b6 D6 v; O' w按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定+ I6 Q: M: p* Y+ V) w+ K
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
( F- ~) A4 j2 r; ?- a
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 1 _5 s" D6 K4 l. d9 _
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
* h1 w* p/ Y8 O* r- Q具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

0 B& z! e8 n  {: D' }4 m1 ]- c: A- r
3 ^6 @5 b* u, d6 j  }这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
$ O9 J! k9 {) p" |6 a& w都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

8 [0 k* j4 r/ z不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
* T: @3 ?4 q3 `1 `- f8 B, B7 g这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
: b! S* Z* Q4 a- `: g: h在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
$ L) J& [0 u1 R3 y9 |7 ~4 c2 m5 o5 o1 s我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

$ f* {! P6 g8 w( X1 y" s我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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