爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 " }; @3 ?/ E+ |; K3 O8 z' x  v3 U' E

+ T$ J/ K& N% x被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
; g2 E. V, g& n1 C$ O光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。6 a7 k0 X  p7 O8 G, A2 {
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：1 i2 B1 I' ?. R
1. 表面清洗
% T  U, `9 [# N3 a, N6 z! M2. 预处理
. Z$ W' b6 P( Y2 a( F& ^( S3. 甩胶
% o" b' y' G1 M3 W9 r0 e  c8 L4. 曝光
, P7 ]. M  q4 t  g9 H5. develop（显影？）$ }/ Z  Q3 p' ^! |4 s1 O8 k& q
6. 刻蚀/离子注入
8 f3 ~# N1 b: @9 u, f7. 去胶
5 K) K! ^+ j2 ^5 D+ {/ `! ]光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
4 ]0 K6 [  C  P7 @[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
- q! ?4 L' r; u% o# B对于光刻机，公式演变为：
( Q) l  Y5 ~7 ?( `' p/ @4 H[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]" j6 O+ H+ ]' |  B3 V
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：7 Q2 G% o* A! f9 N3 c' I
1. 436 nm (水银灯"g-line") / t' B/ h% J+ Y$ j
2. 405 nm (水银灯"h-line") " o) d, @  \; v1 z
3. 365 nm (水银灯"i-line")
6 S8 ^* L/ ^$ ]4 z* W* f4. 248 nm (KrF激光): A5 w; _9 G/ Z. ?3 j0 k' }( ?5 c
5. 193 nm (ArF激光)
4 |* U& z+ ?+ Z6 D6. 13.5 nm (EUV激光)! ^' v) [" M, ~4 }, Z# B
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
% J4 Y) M$ w; O+ h; Q按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
$ R  |# |+ O, r# D+ b1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。) R! g9 Q! }1 i7 Y- ~  C* `; r$ i
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
% ]& h7 C6 Z% x' H$ i" L3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
3 \1 c5 X1 n* k( L. @4 G1 j  `4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
, P6 F0 O$ D5 M+ `) ~' M  S9 o
7 `7 ~7 V; x8 X4 o) m2 d) a  p. |; O网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
3 i4 v. {8 r8 [/ T0 \# m6 Z我还以为你才30多岁。。。

# ]5 G# ^* \1 u2 O7 e% q$ d& ~西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。+ q, Q; w4 x5 i, N6 f* ^

# S) Z6 y( |5 C: s0 t国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
: Q# j$ L* \, h2 U# B" f0 r& M) G' W
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢  x: p) Y( h+ u: o  |
" f$ I7 T1 w3 J$ \" q4 W
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
+ }5 \$ q  E% g. B# }# B; `" o% H
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
  F5 y$ T+ [7 ?2 \确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的7 i5 w6 G3 P. M" ?# x0 @: L
3 I0 z- ^/ T2 y5 ^* Y6 `
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。6 r& }4 ^% `- W% c7 L
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。) I; R! g3 G  F: d6 b6 R* l$ W6 R
8 e, z9 \+ L6 Q( _+ U( n
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html. c; I/ ?0 {0 d1 p8 {  q) r
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
1 q+ o  D! g8 Y7 c' p2.1集成电路生产装备
* W2 J9 o- M8 l# m% E2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅1 E) R; J: _& ^9 I
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗- y  e1 i2 M1 E; o
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
, S0 a- n9 w0 _6 N! J- ^. s/ [. M( r2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影' R8 }  H0 H( j. e
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
3 M! |1 }9 @8 y; C/ \+ `* J+ {2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm6 F5 `/ M  [8 {$ N8 m# f7 [
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
% b  F* i3 W1 V2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA$ ^1 l, |+ s9 u' d0 X
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
$ G) Q; B' V; O* `2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°. K- Z5 C" O; |
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
* Y% S0 t+ w' |2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
- @. b; |" w: V- c' R1 I' G2.1.13化学机械抛光机 ! N  g, k) m( I' G1 b6 W- c; l
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min8 l- L( u# v  {6 b1 p- s8 f+ B
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min$ D6 @; \7 y" p( |/ V5 d
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
5 V. i" _5 I  S$ L8 h+ g9 o& a3 s    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
3 a9 i* r0 s8 b( D) e5 T; v7 V2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm$ I7 p  O  s5 X$ G/ ?0 W
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm8 t8 ?0 C% ^9 N# c! L0 Y/ }5 o4 y
3 x/ C7 H$ {- b% X: P: o7 j; C" n
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
/ b, E* K1 w$ e2 N
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46% r" V7 \5 r" t/ `+ F) I& K
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

# T  z( R$ G7 Z9 |# ], [% H& c个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:196 z0 x/ T8 h7 I/ r3 \5 N# q
感谢感谢+ ?3 i7 E/ ?$ U4 [% L: k. b
4 [3 g) u3 P+ y* @: \
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

7 h0 |4 d! ]$ a% J+ j' f  z也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
' o; q4 y6 v' D* |
' T3 l9 s, u! k个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
# H1 Y2 X/ `% x* q) f* l" U5 g4 v8 e2 b7 Y" ~
1、内行人一看就知道，还在65nm# y$ X, _2 Z* m: f( u
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
; `) u# _/ A4 X3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平/ ~/ A+ R7 R8 N% x- c2 d

" _3 Q. Q8 [, s; S9 u然后就要等EUV了。; U- q& Y7 Z; E
0 r/ n9 c4 R) V* U9 g/ e/ G3 G
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？- M7 A" F# |+ g5 y0 m
# O3 C5 m5 ^7 a( l2 D" |' {
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:001 g1 H. k5 W4 B" ]
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 M* |6 q9 ^- v, o8 u2 x4 q4 c+ p1 r- e6 k  q+ d+ f+ d4 _
个人感觉：相比于前一阵 ...

8 V2 S; c9 e* |9 C不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。, O4 H( ?$ O' Q1 M) i

9 B+ r$ @7 S! e3 f从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。+ `; p7 W. g2 O# r1 G
6 u/ u. W; i9 X5 t
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
% H% e& h0 i8 w3 F9 L# o* t) k" B4 F

1 S4 e. M( G6 ^5 G' tSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
* F! J6 {) ^/ w1 j9 [; ~! r$ o3 ]
9 g4 J2 A5 O$ }: I5 C
0 V1 k8 i* u5 _/ F1 T工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
2 {: K7 E2 p9 S1 {! I7 _6 k  HEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
* K6 h- p, R  _6 M; o) j9 d
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
4 }% w8 I  i) @$ u3 y* D0 s不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。$ W6 n( U& x9 m& `
# Z/ w0 W/ T, G
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
$ B' t4 h) m/ C
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
. l! C6 R; E8 ^8 T& x也就是说，EUV用浸水没有用？

" M$ T. Y. l2 o- Y: o0 f理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38; e) A  n% d% d5 D- J' w/ Q
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
3 M, M! A) t8 z0 H/ k2 X
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39! r# i  \% o2 z  ?4 U$ r1 `! a% L
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
3 S# ?( d4 z. m7 {+ L4 K
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
" n8 \6 B5 T$ c3 v/ b/ N( b7 e# w我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
: `1 A' N# v& C$ k% Y4 O/ h1 n! N
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
4 W/ a, W; X5 w8 S& C8 \! }也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
( |0 O% y' c5 A9 t) c8 g6 m
. @# h) S8 \) S% Q! G5 G个人感觉：相比于前一阵 ...

5 i' I- X; ^0 z9 C) ~) T7 W
: b2 A2 ~& `& C7 h; `; L' s* ]% G
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
2 q% r( o8 ^+ [& E. g
应该会在5年内实现吧。3 T  N) S2 w7 ~6 j0 [4 f0 z
( ~3 `, c4 H) j3 @2 k, s6 T
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）1 M& a% e" ^' m  ?. y
24-9-16 23:55( n' S1 U- |5 s" L" y; h
发布于 湖南% u$ E) j: h# S& f: H5 y  T
来自 微博网页版9 ~6 P( k: O4 Y/ C# P
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机9 f6 @4 a8 ]  {+ O$ v* e# O! u
不是运过来就能直接开工的。
; [2 @; ^: `# o7 [# w9 O! `! l+ U' a他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
' |& s  l) o7 O7 q) ~- }2 x5 c' c1 f0 i% ^
这个时间很长，也是我常年说：. z  C/ ^3 c. g* l" ]/ Y
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。" j8 H- j) T8 e, C
" e  ]' q' B- h8 a9 k' e
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。+ t- n! G3 ?/ k+ Y" z( D; m
! H2 R" C3 h5 X$ H; A7 M9 q5 J
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
# @# Y! l( g: P* Y' X干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）5 j4 X8 G, d- k7 J& h! O
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）+ c+ C# E" t$ v0 {- L5 Y- ~; M/ F
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了$ R4 }. ~  Z8 ^! k! x

0 s3 I2 O5 \4 N, X" c没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
& O& n5 y: Z" i) _$ c) X普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。- b, A% B4 L8 L/ N; j9 U3 k- U+ S
#华为mate70# 也没多久了。# D6 n+ J3 r) g# w7 W
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
, {. [$ h; C6 k0 x4 B) S0 t5 {应该会在5年内实现吧。" C! P- _. }2 |& @1 |% H

6 _4 M% \9 M" _, P! Q微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
* b% X$ O. T; o2 y! L% O8 z4 y

1 E% n, B6 i0 N! r3 H$ Y& Y这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
  J! n" H$ Z; \  L6 Z这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
5 F* V; r$ Q. ?0 s
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 ) A4 \# X6 T+ C( \% w
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
( X( y, W3 E+ D8 ?# k' c但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

% W% v% R1 b  r( k/ ~
# V4 w, l( \5 s# y( j按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定$ a& o0 A. d9 B
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
3 W" l" J7 i# [4 M不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

" G* D7 {. h' j/ y3 w1 q. k6 l理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54* h9 w' ?# q( T
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
" g9 `$ Q' @' u8 b所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
' O5 I& u+ Y6 s( @8 G# x
有道理。
5 E; f. X. V# f3 ~5 J6 b- P& Y; w7 M& M7 V
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
8 k# s& d2 s) l7 u( S
, n+ h7 _! _7 |! Z6 e: T中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。2 ^, a2 W* }3 |; ?4 M% P
8 w5 U. Q7 I0 k& A
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08  Q+ P0 h  W. p( H! v+ k
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
/ v, k4 @1 l$ R' _5 u6 U按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
$ ^" T' r) @9 n+ ^# w) J7 O, S所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

0 g  M+ ?; {) U2 C' Y8 ?& [3 T还没搞定？
4 O5 o' w: c* C. E2 A6 |6 C我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。/ y/ z* z& y8 O
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。4 i$ ~! Y! A8 s! ~9 Q; w0 p) C! Y
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
- c. }/ [0 }/ r6 j" n$ G按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
4 ]) J0 D% A% Q所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
8 t* }8 t# n# @; z  b
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
( r, |4 {/ z; m8 g# x/ B6 Y有道理。
# x- x4 d1 U& l) H  D  j
: U: U% F  @& l3 A不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

2 S5 e7 G& E7 b0 \# I可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
1 U6 \1 a- ~3 |+ O: h  @( h很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
2 o% p# q+ J, x  x" s/ T! o还没搞定？
0 Q, O2 j, A' y' \  S: l, `0 o! x我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
! C6 b5 t1 u( D% B, i6 u

" ]9 C' K1 s/ `0 I0 bNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。! r) U$ y4 p: L) e9 B$ ^
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
! M1 Z7 ~- f, z2 e3 Y# `, l) W! r. J突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

& y; t: v7 E: V# h存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31. v0 u1 r5 P+ m
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

- ~2 Q9 g# h; Y! D+ E9 G需要用到浸润DUV吗？
+ S+ j* L0 r7 j7 V- Z, i8 i% s
$ Y/ l6 L0 j/ i我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
, `$ c1 q  {9 y; @" S" W  L需要用到浸润DUV吗？% P/ C2 I% V3 w; ~

) {4 t: r" [+ ^  G6 x+ }: E5 w我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

0 f% B+ T* l. `浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23. [# ]9 ?1 y8 O2 e  k
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
' S; Z* k1 V% h+ D- V4 z
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。2 ?  F( V$ \( ]/ x. g8 z
! H8 |& \/ }9 ]0 M
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37# ^% C1 E  o3 f- A  J4 _. P2 R
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
: v# I  Q2 O0 w8 R' m
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:548 h! O8 o0 X  f/ J4 ~* E
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定, C8 E  |* }% F1 a/ f8 L/ c/ D
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
1 e9 s; h. s9 s9 }* ]8 V% R
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑   J9 Q# q# W3 F! b% b
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
6 o$ q6 h8 O4 E" V具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

3 q) B3 f# F# x* q/ F
" n$ N, }( q: e( m这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40: Q. v) W& u0 z* e% d, h) U
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

2 Q  u+ l6 k+ Q( B2 P( b, m不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13! J5 ?. j0 w! M% G* I
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

5 f5 ?% X3 E# x7 c0 e; I3 Y& n中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45, {+ _4 _/ a) M  W" U
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。* d. o* J& e; t: U
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
4 t$ `5 ?2 |, f% j' f5 x
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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