爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
: |, D  z1 x7 W  ~% O0 G& i
% K* t7 A$ T! a, u' j5 R/ A9 q被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
1 |; S7 p7 g2 c8 p2 b光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。& [# C: G0 r; M6 P( E9 g4 l7 @1 s
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：2 |# |, H  w; f
1. 表面清洗
" D6 _; l/ v- q5 O2. 预处理4 f2 U* o1 l  P
3. 甩胶: Z5 K" \) z& M, }3 \
4. 曝光
& m4 {! G- R$ ~1 n. r5. develop（显影？）
5 p$ w3 k1 t0 n. \6. 刻蚀/离子注入# l8 J) c+ Z3 w, n6 k* v, v1 x% o, O! b
7. 去胶, R7 T5 E, y+ a: e
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
1 C- A& C: L4 w[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
- R. r; z" ~! ]# d对于光刻机，公式演变为：6 z8 T" ]4 g9 {. B0 f1 _7 n
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
  j/ I$ ^1 I9 W# h这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
" k& {1 n  @' a4 D+ e: E1. 436 nm (水银灯"g-line")
4 [. y4 p  w5 r2. 405 nm (水银灯"h-line")
/ B3 |: l0 Q7 M* `3. 365 nm (水银灯"i-line")
5 ^. e1 }. n% t4. 248 nm (KrF激光)$ ]  X, V5 z# J+ N. i
5. 193 nm (ArF激光)+ h& V7 w8 ~6 `9 i' i
6. 13.5 nm (EUV激光)
3 K- t& C; N, o- c2 \工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
0 M8 j4 R% j8 d6 [% d按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：# z( \4 S9 c  G. q( t5 g; j+ C; t
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
, M8 ~! r5 i$ s4 S4 Z5 H2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。* @1 H1 \. Q) t. p; Y7 r2 P% j7 |, y
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
! I& q0 k  @" z4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
/ E7 k5 K8 I0 l+ h- n* P: G; U) O9 x4 x3 E6 ?2 c1 g" N
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:180 [2 R' {2 ^% L' [$ o" b
我还以为你才30多岁。。。
# _8 `& _3 B( C5 T1 h" m
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。. b4 o& X" @7 p' u1 n6 j& v" D) a
  M; v) `4 e* I( M+ w5 t2 f% ^
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。0 T, c7 E) r4 r) N3 w8 X- p

( l2 O$ W6 _: ?4 M6 z4 A凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
0 ?; }# H5 A' E7 O2 v8 t4 N! d# p/ ^# [9 @  z2 l. R7 a' c
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
* N* ~% r6 I7 `( g- e2 F6 ]+ ~. z
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
( V2 {5 s2 ]* p# h确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
7 ?2 i! H" u* V; U6 h2 N: j& _' W$ `. i  J2 ]; Q" I: T  i
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
) t! B$ i8 ~3 [9 {那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。$ ^- R' d3 X& h4 J  F% V
  W  i7 S0 c4 o
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
+ ]+ q( d  O. p% Z0 v/ I和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
- n' M" `5 }& `/ \2.1集成电路生产装备% U3 g8 P, U4 S& q$ h
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅& }, L8 Q) F4 C7 _; w4 q
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗- O: p% l/ B7 i6 B, z2 w
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm* F( `; C3 _+ U# Q- j7 m' c0 L
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影4 K* k* l% b8 T# {) J) x
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
# d; H, C1 i6 H: z2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
' G) y: D  k& i6 J1 C1 G, K4 r2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
# d( G* Q: E" n0 B& d- o! G# [2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA5 `+ _5 X/ U3 r* R
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
' S5 R$ P; p! D  e9 D& J2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°  l5 K# f4 ~5 U5 ?, ]( l/ m
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积$ `0 G9 K5 A, ?
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积. |9 p2 j& V2 i6 F
2.1.13化学机械抛光机   \/ S: }, d* P# ~# i& o' O! k( U3 M
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min  j0 p5 j* `, E3 ~. Z
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min3 s8 |8 r% ^: I- M
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min9 j6 b) j6 g+ W2 {* s7 F2 E& V
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
7 i; B, ?* C1 N: X1 ~$ u+ R/ A2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm* g, g* k( U8 a6 Y4 M4 q
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
6 ]; _0 H* q5 t$ d/ a3 Q0 [' j( q! B. ~% {: o, u
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。4 a0 u- t# Y/ [
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
" s2 z- J* d& g& {公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
( N# n1 h/ D  d5 x! b4 ?0 w. ?0 ^  B
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
0 c. s+ f% W" C  z( ~感谢感谢
; g$ ~  f$ c  X7 B9 A% s' f" a' G2 [: Y3 z* f9 e4 [% m7 `
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

" ~' b6 ^* }! v0 Z$ G+ V也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！, z: g: b  S6 y, }3 U# z
. Y5 Q' M# H3 Q/ f& {1 F9 {+ q4 G3 D
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。$ w7 R7 \7 m0 m% c5 r9 b& V

* `* V# r! f2 E' P1 A& B1、内行人一看就知道，还在65nm' {+ K3 v$ S6 V0 }
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm/ F: ?- b: u6 p% ^' Z( W, J; F& l
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平7 R, g+ z6 m. @0 l$ Y9 p0 y

: U+ T# j( x: o/ N* i然后就要等EUV了。* B( ]$ n% W! j

6 E& _: J: l! v+ Z2 T! \7 A会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
" W' Z& c# d7 w+ m# X" c9 [
6 C2 O2 q( w. H. c1 I' j# D在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
( K( x5 ~; P. E4 I, f: K也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
+ R8 i. f9 J# \$ x* ^0 K( d; _
1 I9 z2 b( }, S4 m+ |& o3 \6 |/ k个人感觉：相比于前一阵 ...
' q6 k/ R$ ~. C) Z) {. \/ J
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。5 P3 w: x$ {) z# P3 s  I7 a

  }$ \/ `! N- _" Z2 Q; @& K2 Z' W- T从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
4 G8 J3 `) l* a6 N5 H9 U5 c7 K; G4 g( ]' p7 Q9 z
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。9 _# ?4 p0 |, m" i6 L! W
5 @, e: m- T# r
# J! K+ z5 o: J- P; b" f/ D* i" I0 e) Q
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
, Y9 `: M# [8 Y9 Z3 b. B2 {' k) ^# _$ _
" o& C7 z, ]+ [3 T' B$ P) I
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
& X$ [8 V  O- ]% F6 h" ~" ZEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
8 s& P: h; j" I3 w% M$ T' m
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46' J( \( x  a: z) z5 h) W) m4 N
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
: f3 x1 @5 w! a5 A5 k* X7 i6 I0 _' y, Q4 r
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

7 p, P8 u4 ?* G/ u% Q' \% q不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
$ n, n2 v. d7 [; r: M' c+ H也就是说，EUV用浸水没有用？

" r; G2 l  ~6 e$ b6 M; u理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38/ w% U6 l' v9 H% p- S, c8 z
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

% W" V' ]+ L# `, P, ?& u是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
7 w7 `4 ~% D1 `8 u; T/ v是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

- I  Y  ]1 F. r- C相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
1 r4 p" h7 h/ Q+ P- v- }我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。" N) e7 {( T- F; N# G
$ M5 c0 ?6 |# B) K' c
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:002 X/ }. |- X" o4 F3 U
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
- A# S$ m( m1 f/ H1 z7 h7 N* ?( {; E- E- z# U- ~! p3 k8 h
个人感觉：相比于前一阵 ...

8 y1 R4 T1 d; i8 z) F% P" Q" n7 Z$ R! @9 w5 F
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

6 z3 ~& ]+ |& g& T0 \  u应该会在5年内实现吧。
+ e; M  C5 U9 J8 _' j6 E
6 G* d; L: z6 H: _微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）1 b8 W+ q- ]4 J# @) c8 w" v
24-9-16 23:551 K4 C9 J# ?- g0 V$ e
发布于 湖南
  R5 [+ J+ |, [3 T3 V来自 微博网页版
+ p0 ^) K+ [; E4 @' }4 Q啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机% Z5 q8 O: T6 q$ J
不是运过来就能直接开工的。6 @+ \: J6 k6 F; b
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。4 I2 K. i5 z  v0 X4 }) c( \
2 u7 K8 L" D. s2 B
这个时间很长，也是我常年说：# I- D) \3 Y: g+ g: u8 v/ @0 t
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
# z' B. v$ n% e3 @3 y! V) i, z$ ]$ m: }, B! Y% _+ V
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
7 q7 M+ V" k! O5 u8 [- P% T* y  a
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
1 ^/ H1 }6 G: g, i; h0 c干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）. V, L% N. Q9 [3 f* N8 g0 ?
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
2 \( }9 d* y9 Y6 G但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了; j5 G2 }8 D+ x. h" I
7 I& I: v, C* V; a$ _! U
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。' L7 X% |+ c! }# {+ F: a* s) x
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。7 W# P0 X1 K3 D2 r; }, h
#华为mate70# 也没多久了。
1 T3 r4 ^5 W( x# Z% P1 Z
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:066 {  m; x6 _5 h8 J% p' ^
应该会在5年内实现吧。3 S; j( K* K7 k- X' [& y; ^. d- W

7 v. Q' m9 l- [" m1 `2 e* i微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
( t" u; }& f! i, c- R
- G& x; M, L7 T6 n5 ~% b
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
# n/ [) Q) `' f0 F, {' ^这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

4 J1 Z: B, n1 e3 F但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
% A: G- {+ R4 j# Q/ j+ k
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
1 _' w: |6 f  h: }+ z' w但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

  b4 @: g0 M  ^9 H- x( C3 Z/ x, P. r0 b  S
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% f' O1 _5 p6 z4 j6 O6 O所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34+ A& K3 u2 N5 _2 Y
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

( m8 |! T/ g! X, s& S理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54$ G. C4 h" ?" @, ]! A) |9 w- Q) @
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定7 o' Q$ P3 |! f5 P& i! N+ U
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) i) f* n3 _$ [3 W6 ]4 J; d, h有道理。' C! d4 u7 ]. u  c* w( q* x/ Z
8 r4 b9 N/ }! E$ A2 H1 E
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。5 P( L8 P' M, j* Z! x  @3 @& d: [& `
, o- x; c2 ?) ^
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。# M4 P5 q4 B: ^7 a0 y

6 H$ p2 z; ]( }6 C这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:088 N6 C1 s1 N% s
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

- j, k' ?, u* A/ A% a1 q* Q这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54" W$ n, G, s: K+ G/ e( ^
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* f# A5 \, K; r" {
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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还没搞定？ # h' e/ W+ X' R
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
! e6 v4 }# U+ K9 o& l+ k尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。8 n0 z  b% w, h0 x. e' u* t) E
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54  K9 O4 [. s7 O  d% Z* O; o
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
" g4 }( A  I" F! l  K( M所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

3 N, v" B* E9 O& A突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13" {  S8 x& B& t0 f5 q6 y
有道理。
1 I5 j5 q7 u! O. x' t( P  U# c3 p" ?  s# s( `/ D5 v2 g# k, \: K
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
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可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
, ?/ k2 Q# W2 ?* r+ V4 v" z+ L很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19: i1 \' M7 w3 w( p, e# K
还没搞定？
- R7 R! V" N* ~% _- ~8 k. s8 o我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
3 t% T4 K! J% T  l/ e
2 M4 K. o2 Y# e) H+ c
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。7 h4 w2 c/ y. i
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21, _1 A: S1 _. B3 \, w1 p0 O" z
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31% T: l1 X0 D3 k1 Q' `9 U# H& K- S
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？
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4 k$ c6 M) |! ^6 z我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34/ t2 o2 U' E: ~7 E4 r
需要用到浸润DUV吗？6 i/ K+ R1 c6 O: j& L$ R0 w, _5 z
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:233 |+ t, v7 n0 M+ f6 {6 W
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

6 V# f/ x* m) A! v0 w9 v! J是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
: @. S) M4 @7 ^8 p: _: ^浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

8 G0 _0 w8 R* ]" u都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
0 k* X9 {: M4 L; W7 g, ~按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
* N' l" R& J* M/ F8 k所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
4 x$ K3 s( r- t! W  Y
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43+ r" f+ q* I. N
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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" |- @& C3 C+ U2 c2 a" V3 T- M" b这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
( E7 p- w4 e! |) N6 i: w( H; @3 O都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
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不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
% m1 P' T: V- K3 [3 T+ f8 I这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
* J* d6 N7 x* c( B在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
9 S9 J4 A: \8 F8 Q我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

8 w* D* j- M3 D) ^' d我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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