爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
) u9 f% q1 y: V3 K. p9 G( A5 f: [" U% e1 H8 J
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
2 E, C# n2 T8 P# _% j光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。, k4 Z2 w# G* l7 k, W* F9 {6 M
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
) [& E/ a, W' L% d- t$ p1. 表面清洗4 [: A+ m: u" \* _9 G3 r+ z
2. 预处理7 O! N4 U. I0 `, V! w
3. 甩胶
- J. t) `: a4 q7 t9 c$ Q4. 曝光( x  x1 ?8 b' Q4 b
5. develop（显影？）
0 O* _+ q' K) R) ?0 a" ]7 z6. 刻蚀/离子注入" x1 Z# p% n9 p. P
7. 去胶
, i( e/ F3 I1 c! {光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：5 ~: X9 G+ e1 M, E
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
/ s* b0 M; O1 `7 W+ s8 v对于光刻机，公式演变为：
" n& b5 w* y; A1 w5 |[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]( y1 L3 @+ _* s
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
+ r( z! K5 i4 o8 h9 h4 I+ p1. 436 nm (水银灯"g-line") # K, p/ X2 f3 ]
2. 405 nm (水银灯"h-line")
/ Q" g7 l! i7 a8 T% k! |; ~: Q3. 365 nm (水银灯"i-line")" C# N4 W: o( w3 S' C" g
4. 248 nm (KrF激光)( r' V  }* D0 ]- _8 L6 C9 A. S
5. 193 nm (ArF激光)
7 ]7 L5 m( V8 D4 D' H; \! n6. 13.5 nm (EUV激光)
* X1 D5 v/ k1 ]: R% L) e! {工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
7 e9 U: l+ Z6 g) J3 S. x按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
  X2 L) B7 \3 p5 h2 m8 a1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。5 i$ Z' d2 d% c
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
% D, l' A# D8 P1 F3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
7 H6 q& H+ ~$ n4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
/ `" e( B" ?, T( d( [+ T- b6 b$ I3 F+ f% p
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:188 c- \+ ^% _5 H% V/ X' p: q
我还以为你才30多岁。。。
" K2 _& H6 y* j7 _' |3 M( y9 T# g4 q' Q  v
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
3 l! u. i! C/ Y8 o6 z
' I) d. d8 ]' d& a& c9 D# m国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
) {- [) l9 |3 ?' Y* C
$ d  F$ `) P8 J# R2 {8 X凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
! d- i+ W+ T8 T+ Q+ I8 B: N5 a5 X. j3 M
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
% z, _# y8 P+ d" U+ F8 ~* l5 ~9 V- ], c3 j/ D9 l" ~
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。' Y/ _4 N9 F8 l) {4 p( v
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的3 U( E+ g- r/ C/ P

$ x/ A+ _4 `% ~. G0 @9 m+ B延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
& [. G, E6 `( B! _0 {& T! l那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。& i2 n6 e1 L) `9 [1 i0 X! M
1 t1 y' Z4 _+ {" z1 q& ]
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
2 F6 c  J, _, t3 e8 p% H4 H和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：+ F" d( s9 x; |8 I2 t
2.1集成电路生产装备  D5 F! e' O2 P/ b6 g$ L, {
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
$ z- b1 m+ A) Z  i: D" E0 C2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗% A; ^( G  g/ ^) T1 \
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm  V. }: x5 l% x2 k5 F  K8 a
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影7 O& t; V$ x" U1 g2 B
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
, ^8 U' t' C! _3 ~2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
8 {) o, {$ C6 h! M1 _3 W2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%( K! P6 j' {# X
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
. P, M" J) @* ~, u; p1 O2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
6 X4 d. a- T5 Q8 D4 n' ?5 I& k$ m2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°/ c7 N; h+ B+ Z" j
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积/ ~& V- D' A6 O2 k
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
, V6 v/ a7 \7 q- _, U6 O2.1.13化学机械抛光机 5 c0 Y9 s' C/ b4 ?0 a
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min7 w, S. k( s. j& Q' l5 U; z' S& r' k
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min$ j; I+ u# ^( |$ ^1 H" U
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min0 r5 b4 p3 q6 b% p  e8 q
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
8 l" a, L+ V( V; s( r2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm* M: n' j* _4 K4 V
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
7 Y5 x; Q  v4 W& H/ {( T# u) N* O+ O8 U. C; z
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
  N  r# z: E+ A0 `% p0 ~
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46# F0 m7 t$ F2 w  r% A
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
& J) ^. R+ D5 t
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19  j( o5 V) N' F: l& v# w3 _
感谢感谢
4 U$ g0 ?& c: ^+ P, T2 B6 U# p% l9 C0 N2 _
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

/ K" B, n! b% I& _8 L也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
9 D9 r" O# A  c7 ]+ }( c  W% z: v' g- B1 T
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。; q; }" n9 l/ _0 d
. P  k' ]- |4 t- E& l& i: J* J! F1 g
1、内行人一看就知道，还在65nm
9 H# s( f) ~1 n2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm! |9 C) `, X( @% B3 g/ P
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
- a* p: i, {2 F  j3 y1 q$ H  V& N5 E3 l8 ~3 P
然后就要等EUV了。
( e, ]+ ~2 _  d( @9 o+ Z. Q! x' M# }8 \% a1 T' R: g# ?/ l
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？. G  o$ D7 J+ d4 t7 [9 |2 |

* C0 X! g  U' [  i, b在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00& u- `( a* a3 y! m1 I& L- Z2 \
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
$ T8 E1 L+ c' @5 N
; G+ \  V1 E2 S; s2 e个人感觉：相比于前一阵 ...

1 Z" V% L& T2 I5 x不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
) w  [' I/ u2 r) j% y* [" i, i) q& Q! }6 u% @9 v
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。* U4 t7 I$ Q+ }

" j# y+ n' z' i& `9 h8 _以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
6 ?% X' x1 F" H2 |0 r5 Z* D: p, X9 [( k& j

1 J0 k; _5 o, t" ]$ i; Z8 qSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
( V: }# x! I% X9 r6 }. A2 O# H# I3 \+ \  t5 I

4 _4 J/ ?$ j" n/ L" P工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
8 f$ C2 y% R2 p. u; H" G: V8 DEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
* H! a" W5 P! `0 Z
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46. M* q4 C! @! r. Q
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
1 B$ n7 v( v4 r( P" }- j- p+ c" N3 B4 F/ w! x+ l% `
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

5 S: r/ O  G5 B+ P( G: q不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:211 v, Q# _/ P1 X' w: ~, |* i
也就是说，EUV用浸水没有用？

. L% t0 M& i; K' @7 v5 R! o5 A理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
6 h7 f; k+ ^6 `" X" R理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
4 w9 c, L7 t9 r. Y5 o  j) |; C7 E$ N
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:394 ?5 n0 s# h* h5 t0 o$ c
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
, W, G# [* }/ S9 x
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。; P/ s, \: W1 I& G, e4 ^$ s
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
) O1 P+ \* k, v! j, [" a9 L$ Y; i! U: |2 D; K
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:008 Z) w$ q5 I9 ^' C+ g* G) a$ h
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！4 {( O& M0 q- t. e7 f# b7 }

( p7 ?, r6 @& V1 T! r个人感觉：相比于前一阵 ...

6 s1 S( l7 ]! x! v/ M7 d' {7 @- ]4 z' S& x7 W6 |2 M. S2 V, G! j4 t" g
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

* F/ r0 @# v1 i# J- _' J5 w8 W; g+ V) i应该会在5年内实现吧。3 l" @4 I2 N( u( w! x
& p+ |& }5 s  ?  ]" P
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
/ H  d- P  V$ b, U- ]0 I24-9-16 23:55
* e! y4 ?& V/ r2 g发布于 湖南( H" O+ s# ~6 O  w- {% {* K
来自 微博网页版+ J/ b5 C# s- H% I
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
( Z( j; j) I7 {8 G+ g不是运过来就能直接开工的。2 L# r# X" w  Q  d6 c/ b9 \& c" b
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
, {& o1 Q& n$ \( U8 Z- _! y: h* `+ f0 c, J) @. A. V
这个时间很长，也是我常年说：( c( I' l1 ^6 x* a
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
7 z- `% u1 Q, }8 r) Y" k
- k, A7 H& ^# b; G现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。/ h& Q5 e4 G  g1 I

$ k& B+ {. A7 }: N简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
. v, i1 E3 Z, s- K干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
& N1 D6 U0 q3 k1 P! ^+ i# p$ d多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）" q% D9 Q, p; X+ w$ l' j
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
. u# W; L* N5 ?& q
: t. S/ n/ E4 [' w% J没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
( Y7 f& L8 I5 N# j/ Y5 P# ]) `普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。7 r, b0 q# f/ x- G$ {. h
#华为mate70# 也没多久了。
; E  p$ I7 p5 M3 Z0 ?) i
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06% o. @2 c1 @& ^  w# }
应该会在5年内实现吧。& z  I( ?+ W* h* P1 r

4 X5 O" p! T' v# |* h: {$ H/ Q微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
( }0 f6 w5 J+ _2 x; u

3 e" N; v" j! [7 Q$ `" x6 O这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
3 Z, V- @; w6 L这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
# i- D2 y$ ?8 h! \! G/ r
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 + ]& j: h& ~! W% S6 t6 G6 Z$ X
晨枫 发表于 2024-9-16 16:391 b# L! \1 Y) S7 }2 Z
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
6 i( k+ ?# J- c" v3 U4 R

0 V: ~9 G# r/ B  f  B8 ~; Y按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* f, ^& V7 ~; o" F) L6 r% G
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:347 M6 N" R/ k( J! E% r& T1 I, \1 r
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

* |; u, K' v" U" I6 F理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
- a& Q. R7 G( m% e+ h按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
: Z/ E8 c/ _+ o$ M' L( t所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
# _6 a: O) Y$ e0 O
有道理。, [0 a$ s1 ]9 O) {/ Q$ Y
. U. [$ O  x& q) p, f0 F- n
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。9 [' X0 n6 @& n

! m+ C/ A1 B0 s  Q4 I中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。3 e: x$ y9 U0 C

4 v1 v0 G- ?1 l+ |, ]# z这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08& K; m# K8 c; a, f1 D4 i8 T; t9 r
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
* E9 U/ }( h: X& c
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
' X- r6 n& B& N- _/ ~按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定/ v7 c2 L: [! S# A; h1 ?4 l
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

' o; u+ f! h- b. ?& h- R还没搞定？ " n& U& v" K/ j- x7 D* I
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
- m+ I( o( \: B  L尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。: r; Y1 j0 R; {7 n
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:544 S6 N4 |  d$ H' y* A9 ^4 o/ @* B
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
1 v" _) Y7 l/ D$ Z( J/ y6 _- A5 m所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

4 G( Y2 o; g- o% a; G' h$ U突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13& H* P! O7 ^  i1 t4 S
有道理。1 k1 U8 r8 l# ?% f, u% V" P/ c2 O

* |7 a- p  e+ S不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

- i" y' X2 }2 m% b. u+ n: L可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
- {1 u7 x) @  X5 k很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
+ q9 l) `+ v+ }$ f2 z
雷声 发表于 2024-9-16 19:197 R7 D  R9 X+ i* G4 B2 r9 k
还没搞定？
) W; e* j: Q0 _) H8 `我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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1 M( v, _* V, J2 @! [
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
8 k, d% b+ g0 p8 V" t) U& L有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
0 G$ J. ?# a( y3 x& X( k9 z突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

* H6 a: J  U4 ~1 t0 g存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
1 E( R/ _% Z* {, P存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

; Z, j; c7 ]& n* Y* ]2 Z0 ^需要用到浸润DUV吗？9 y& @1 j+ n  r! U

* ], X$ x0 C4 [2 D3 \我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34: ^  e) k" W% o+ r
需要用到浸润DUV吗？) W! C. k) X, x5 ?
# a/ A; Z8 ?* f' w* ?5 {1 z$ x, c/ u
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
' d/ L+ E5 c9 x, X/ D& ?2 J
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23+ R) L* n# z: O; p9 c$ r
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
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是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
( ~: D& z5 L& c0 H; d- K) j# E. \8 J- c; l7 l, X7 n
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
7 `& k/ B, C+ ^7 d2 l  {; @5 k浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
3 V' T9 O9 T9 C9 s0 U: f4 [
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
: U$ a  X/ q' F) e4 H( G按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定4 ~" b* ~8 o0 o$ p) s
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
1 }% g. g. a3 i: W* _
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 ! U( y6 f. M, M7 u2 f& x) M& y- {
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
/ o+ K3 u! k- I2 \4 m0 K" r# Q具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
. @; d5 E( \: E$ }- r

$ i* k# [' ?. |6 B6 O这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40* _, q7 z- G/ u9 j' `2 Z- [( D
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
3 Y  ^# B4 O& s
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
7 ~" G8 W/ ?  y* M3 l6 {这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
2 \# j# C6 p2 N- Q* }
中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
( @! Z  r1 U/ Z7 [& s! c; k9 y- P2 }在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。2 n$ X4 d! w5 }9 `2 n2 z* h* K% ^& Q
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
4 v% N3 }7 V' `* R# ]
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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