爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ; s0 ~7 \8 a8 B8 V1 R  J

5 l, ]* [, v: ]; ^- a! B被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
* J- t) D/ j& L! I光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
# i; R7 a9 Q* E4 g, U2 \' O9 p& S还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
8 D, S' k& I! i( O9 ^/ I! [- P1. 表面清洗  l% p  ]3 g! P
2. 预处理; ^; \% K. v. a* _8 t5 P
3. 甩胶
7 \+ o- w: n5 c6 F% I4. 曝光0 Y* l  p0 k$ d
5. develop（显影？）
: M& E5 m2 @( I# r5 P; `6. 刻蚀/离子注入
) f: @: m9 x: K0 r2 H# G) j0 D3 F. ?' a7. 去胶
2 n" D. ?" X) h, v$ X" ]光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：0 L/ d6 L; m! c. [1 ?6 B
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]7 i9 Q3 d( r! ]7 \8 _  p
对于光刻机，公式演变为：% {& w; V. Y4 Z# d
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
: Y5 K- S' H, s: s这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：& ^8 E: j' @1 \0 S/ W
1. 436 nm (水银灯"g-line")
& t! c" |- N4 @& z: Y- Z2. 405 nm (水银灯"h-line")
. t3 f7 P8 I6 T1 x; `3. 365 nm (水银灯"i-line"); q! p8 Y" R6 t$ P6 V& C3 N7 O
4. 248 nm (KrF激光)
+ L6 g5 X. ^6 y6 k5. 193 nm (ArF激光)
% W) R. g' x+ K" `6. 13.5 nm (EUV激光)- G! i8 `' l) ^/ C  P* h8 H
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。  y5 V1 L$ t5 f; J; {& `9 C, y
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
  q' k' X# ~, k9 s/ e& V/ n1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
: I5 @% Y: i7 ^5 {" j0 l2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。* F7 P: ]1 n- M8 j4 |4 d6 D
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。$ `% j0 K7 f4 i) t* K
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
1 Z: ~" B  ^' c: A+ J; Z9 T! z* E5 U4 _$ T* g$ y
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
- v2 c0 E5 y( P2 d! o: n我还以为你才30多岁。。。
3 t+ @" h, Y8 T: S5 G. t
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。8 a" s, F6 G" d

) s6 M" b4 s3 n; s6 L国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。8 n) K9 @, x2 x1 K- Q/ Q% T
3 O% l4 _& x/ R, n
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
) ^: z$ O, h" N& b7 @( O
1 |4 L' \! Z4 M- p! A工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
% a% n! _5 R) A8 T' w
. x+ k, u! i/ G! o5 g7 \按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
6 q" N3 R% a4 N0 O% L) G确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的6 y: Q: o( ?, e$ H

" x1 y4 ]' @% f4 T& C, G  R延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
( ?! N$ k5 R( z那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。* C8 R- N3 c, ]; y2 B% ]

7 u! ~3 V  x/ k- @" d另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html5 i' c$ Z! I5 g/ c
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：' G, E" y+ o4 k) ~2 O! ~+ z  m
2.1集成电路生产装备
! F4 j: S9 `* {7 B1 G2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
) R3 R+ G8 K6 f- P* W2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗% t; v' p0 n1 [7 I7 z
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
1 V; R' G& q2 l$ G2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影# q+ H/ ~. b5 T1 |" s- v; M
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
) V, E7 S) \; ~: u6 G1 Y" ~6 H2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
( \. C( v: i2 Q( \2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%% P( z9 h  m1 M+ T1 P# e  _
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA9 T0 T0 u$ u8 [& G( ?
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀6 C8 }( |5 _& P6 ^- y
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
1 }9 r7 s4 V" F5 ^) j. {; j2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
7 p$ b) }2 Y% i! {' N2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 l- j3 H! |; v( j" M2 X% U2.1.13化学机械抛光机
! O( D: n, y0 h. Q0 P: D    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min! C+ F3 q. `* p" a5 b" ~
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min8 Z7 b; E- U. t) T2 g$ S
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min! Y& L1 r& _& B$ T# X
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min5 O# o. N1 N" [# \( K3 Z
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
8 a2 k7 R. [% ^2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm2 S$ d7 V, \0 W) F  r; |( L( g* p

* F) _) L$ w! |" R  W4 |5 J很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。' x5 ?# e# h- ^# U3 M
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
' d! r" F' Z* [( @0 Y  E公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
4 e' _8 n  K3 ^! _7 u
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19- O4 v( H3 V- n( _% b! h
感谢感谢
) Q' B" E# g+ U4 k
; c& b" \% j8 d2 ~6 D: I工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
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也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
" B5 T* n4 w$ R8 Y$ |. @% M/ ?" I9 Z. w( B* v9 |) i
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
5 g: I5 k3 ]/ U7 v2 `9 v* ]
# R& i; q8 {$ c& j3 J2 p1、内行人一看就知道，还在65nm
# F  z7 ]' C" g  y' E# N! A, u2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm* q2 F& i$ ~+ f, f) q! }  i
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
) p0 P  N5 g, v. Z6 k' J8 b* e0 C' I
然后就要等EUV了。$ z4 ~  i) }# Y
9 z( H7 S# X. L" B
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
! u8 R8 B8 ~9 ?
5 R( I- I/ `, |1 F在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00; e- a. r2 G# X' j4 b  M. F
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
7 j6 f/ r0 K4 H* [" A, K2 g# U& j) Z% [1 N+ C/ P# v- O4 ]: r
个人感觉：相比于前一阵 ...
9 M) c  V# S; v4 I. C0 |' M; S+ M9 m) A
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
( u& D6 ]% F& n& Y
6 y2 g0 E2 E/ n/ }* j+ D+ l从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
2 e& D( b" W0 L' ?
+ m9 a; G: m! m/ m* r以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。0 w: E' A; r  c. m

, N6 i4 o! p1 x  ?1 S: M4 g9 e, g7 l
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。5 D7 \9 G$ ?0 G- \
# D, G- s. }) r1 ^' t. m' I

- K) S$ J- m* I% W工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
. u0 L: ?# W5 H1 r, sEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

9 g) Z8 C+ J! z$ m" H/ z8 R也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46/ X: M7 P$ E: B2 v/ k
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。, N1 b0 j  w7 d0 M) _3 m4 ]
: B# T  s8 l, B' p8 [! {+ D
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

, C6 j4 g( R$ g6 O# G" a+ j不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
1 ^0 r8 B- s. h也就是说，EUV用浸水没有用？
- u0 r$ J- ]; Q2 ~# L0 ]
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38- I% F- B: G2 u3 M5 P6 k  t, }
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

- W+ t$ K. a  b) R0 r& T是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
; `' @# P6 x% M是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
- t) f4 z" B; f9 a: x2 v3 Y  P$ D; z
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
/ U7 E2 B9 X) N1 Z0 K3 u1 j; U9 m- M0 ]我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。' b: ]- a' s# ]5 d, h* I

* n8 K- |2 t& @https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
! h9 P3 x$ U& b也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！7 z$ b- Z% }) [6 y- v5 r5 g
- p1 L- S* X; f" ?, C
个人感觉：相比于前一阵 ...

7 q+ a& n2 W2 \2 r" J' U/ B: C0 k: I5 a2 f, [
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

& |% d+ H2 \. t应该会在5年内实现吧。
7 h& O' \0 P- \2 z! B
) J( ^' o! s  |+ |% c! V# B微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）9 q9 F" B! ^. j, Q$ ^
24-9-16 23:55
& }8 @5 L- q# k$ x5 Q  u% o- L& R发布于 湖南- f# u, o* I7 U* j
来自 微博网页版% S: F9 ?; }$ g% c# m) H0 `
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
) c. D* i, ~% G不是运过来就能直接开工的。( c# l6 {% B8 @4 |, J7 m- q
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。6 M! j0 P4 P! j. V
$ G$ R# z7 ?7 }& ]; z  p
这个时间很长，也是我常年说：
8 T& O$ ^* ?/ g  z就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
# G  Y6 V& ]# D3 @" w. u% ~* ?3 D, Q/ B
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
0 G+ J1 M- U1 H6 q2 }, D) P7 t8 F4 e) X1 K/ c0 j) R! Z
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。' @: y& Y. T) z6 U1 V4 b: b
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）) b/ {  \, h; V, }
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）8 h  p1 h3 Z- n" v; {! j# Z
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
+ R5 X' S7 q% b! X$ U) E0 C; G9 D0 H0 X* M) u7 p5 V
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。2 O9 k2 d- n. m
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。3 p2 ^( P  ?. @% y: S* i" M; ~
#华为mate70# 也没多久了。  M! K  c* e1 ~
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:063 U: R! O& b0 M' K
应该会在5年内实现吧。, p" v2 }# N2 W( |4 }+ u6 }! o
% J! G4 h9 B/ j7 d5 P/ \
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
% K: c' ?/ q5 L# m9 d; B

) i7 A, s* O. j4 a这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15- O, X6 `  _# ?# `6 b6 `+ I
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
6 Y6 p3 h5 K$ I* h% {$ C
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
% v9 V: k6 @/ c' j% s% K- g
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39, J$ W' S8 {1 e( X& h
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

0 P8 R2 n" F$ y- e, a) `. @4 |" l0 A% {
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定% Z. J  r; T, V- C( h6 }
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
9 j/ E1 X" E0 q( @. n不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

% q7 a4 k% [5 y) s理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54% `4 x: {- ~8 Z
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定! k4 |9 w2 B' J- l, S' ?
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

9 q7 J& i8 ~% ?( ]有道理。8 T5 \8 C% `& r
* s0 N" T1 d9 |: Z) y
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。4 ?2 {6 }0 u$ [! X2 \/ O
! T+ G9 U2 x- J4 Q5 j
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
' `# X9 d4 P. i1 v& P) [4 [' d; y* M8 f% ^: V5 a! Q
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
% V1 A& k* }6 ~  W6 ^+ j理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
( i- {( @: w9 i
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:542 |, u1 [& F2 m1 ^! T
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
$ v3 `' N! D$ N8 t5 u所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
1 o3 d1 r$ L1 s, o' \
还没搞定？
- `! U- x2 x7 L7 ]我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
; g" d5 ], T, e* U3 c尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
2 h" `, {' \- M# a
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
: o% _$ f, G9 L按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定& O* r0 u4 ]* j4 o* W; }" ?: M
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

6 q& H! l0 a" R  E* C4 s8 r突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13- i3 F; r0 S* `! W
有道理。7 P: U) R8 j; Q9 q6 N4 o1 K: E2 c# z
' ?0 D$ p# x0 l" C6 F3 q, ^
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

* d+ F: u* }/ n7 B" C0 S可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
, j* j1 m/ Q2 B# f" K# ~很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
# f9 f  F9 b* T6 x- z, h! ?9 B, q
雷声 发表于 2024-9-16 19:198 g# z+ F& s1 E* b4 f
还没搞定？ ) ?( b! D$ c; F
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

" j- ^. n5 F9 D# o+ F2 `
9 d$ y" b- B+ [/ MNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。0 h! N" a7 ?9 d# j1 Q: f
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:214 M4 r" D0 E# g# w  I6 O0 {8 c+ H
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
/ u  k; I$ M( s6 o# s  y  O& K- e存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

3 W1 R7 m8 d  W4 b: R+ B- W需要用到浸润DUV吗？
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7 E% {) B+ ?) J0 u$ a  |% n我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
. c6 L& y/ m6 W- \# ?, t* d) L需要用到浸润DUV吗？
& N6 K$ y2 N9 K0 }, E, @, ]" p$ W' d' M
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
8 f6 \/ O* y* I4 b7 m) }5 Z
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:237 ^0 O- b  K6 d' B" |3 h
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

+ j5 @1 e, d9 t是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。2 q, T5 T5 P- v: F3 _0 t: R

7 N1 A* z! w9 G7 Y! K) v' v0 [硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37( P$ H3 A) u' X0 ^
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
5 O# {" C% c% E% G9 I
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
' c# n  Q% F# J  S6 e  [# i- I按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
/ _' H. }0 O7 z( j0 Z4 H所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
) f0 {) Y0 l$ Z/ x7 i5 k: n
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 8 z. F5 ?) s- {* T( \8 K' L8 r
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
. x/ X5 S' r* I9 ?" X, {3 C# A' L具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

6 O. u- p3 ^/ p( V5 M' I" L9 U
/ ~: k' F8 N$ o& _+ @( q这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
4 T5 u8 G7 {! K6 h8 p, I都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
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不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
7 F- B+ G( E: D% H! H6 W1 R. r4 V这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

  I3 j5 |7 D4 m中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45- o% i! @$ j  I* W3 [" y
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。4 T9 o8 m5 G( {. F% J
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

' N* j0 v5 Z1 y7 ~& f5 x我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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