爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑   j5 N+ P& d  g
( V. D1 A# G) |9 V4 i4 R
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
" f( J( h, T! T1 ^1 P4 W光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
/ E* c( Q- L6 G) k还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
' G: ?5 b: v4 Z4 x, r9 J: K1. 表面清洗
1 ~6 d5 q6 {  q: ?% d( ]2 {2. 预处理9 _$ A& f! |+ ?- b, _' E
3. 甩胶
0 Q; z, ?  O2 k, r- m' C8 j; M- ~4. 曝光' M$ s0 l- r; K5 x9 G
5. develop（显影？）9 m+ r: J  A' f6 b& k$ k
6. 刻蚀/离子注入. M* C5 i% _- W0 @
7. 去胶( A6 h( a& F- x7 f
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：3 s" b/ y! |9 ^& K: Q& H
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
( z5 p; R, b! M7 n& A# I对于光刻机，公式演变为：0 R2 E# c1 `# R
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
* Q0 U8 M3 B6 L& c& ?这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
8 n/ s( V5 k* i* r$ P2 }9 i: J1. 436 nm (水银灯"g-line") . Y! O/ B( o4 ?6 O5 n" A/ g
2. 405 nm (水银灯"h-line")
# A& H8 ~8 h; W2 o; r% V3. 365 nm (水银灯"i-line"). g) C( g$ c8 |, [
4. 248 nm (KrF激光)& G! B' R9 ]2 Z. \/ }
5. 193 nm (ArF激光)
( c5 i( u$ c, X  Z6. 13.5 nm (EUV激光)( P( K$ Z+ p7 g! N" [
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。6 {4 U* U! a( e# D) }) E
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
# h/ n# O8 L# p  O1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
+ {# w: ]  L" `) v/ h" y0 u2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
9 d0 J4 c  F3 F5 i3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。$ c  x2 X9 i6 o& B9 P
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
1 b) q" l" S0 e( c" M
% K$ ?' H/ r- Y  `* Z; {/ P  ~' |网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:188 {9 r. Z, X2 b% U# F; f' w% [+ _
我还以为你才30多岁。。。

* \( k2 S6 w8 G" B* G西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。7 A- A1 `3 ]( l# ^% P

1 B# [- |  O' r! [7 G/ j& y  ^' t国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。# E% `$ ~$ g+ V% V+ f/ _! `9 }

( s" p- p# h+ j0 N# i' Y' B凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
4 @5 r7 ?$ y% h7 }0 r, ~
* @8 _. w+ h3 `  {* u$ V3 k工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
% Q- Q/ c* G! D# X3 V2 ~( W% i/ b8 l! o- c% p9 M. Q- O6 M. _
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
6 l9 {' ~* v$ z. G* C0 A! p确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的4 j4 L" W' ?4 m3 Z0 a. C) Z
+ @. B7 Z7 I8 B/ v" C
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。0 ]# x: `3 D$ O% k
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。/ l5 K0 [. Q4 `/ |3 g  L3 E

1 _0 I1 S4 h7 ^- H& W, q另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html1 J8 S% ?3 x" T4 S& C& X2 V' y8 I; `
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：- K, D# k$ k" u' L
2.1集成电路生产装备
$ }3 A3 D( r2 }' W* p2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅/ M( n# i& b, O$ M, ~
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
+ ~8 T/ ^! X3 a  y0 @* j2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm1 C' @4 X7 B7 P6 e( d& P! ~6 r
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影$ N+ Q. E" ]1 {5 J5 D( y
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm4 |* F' i- }& x
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm6 R$ g, m/ N: _+ ?
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%4 o& v. D4 A- n1 ]! H8 f# @
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA3 a5 K* l& w0 r! ^( y+ k& h
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀. `8 Z! U' C5 `3 S+ t9 R6 i
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°4 {7 C( y( ~" `0 [
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
3 A7 e% I3 T: g. z) O2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
* k) ^: Q7 {3 f2 Z4 ~! t2.1.13化学机械抛光机
+ s1 J- u" O7 W4 `    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min% n& W" r9 m9 g/ i3 p  Z
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
( W9 P2 w' @; u9 i& K  @% b    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
. s3 U7 d+ H& d) c    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
2 {2 e0 @; ~6 z2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
3 U5 v/ S4 g9 I. }6 c  f. r2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm: n. P% U5 T3 I: J0 G+ E- _
/ C- `1 a/ w; q
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
) F: f& X3 D1 q4 e' D8 b
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
4 B8 Z; o' w: C$ a% Y" K公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

+ A7 C3 r! Q3 _8 r" |0 b个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
7 P: d# n0 x  n1 e% m( k感谢感谢
: P" X8 b0 i( t* c) E3 a' p/ G  O: B7 d  l" |! W1 S. a9 Y
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

" U* h! q2 \  a3 ~* ^0 ?也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！& r6 W1 n8 |, L0 k6 @
& x/ j1 }1 r/ d. S$ t
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
* W2 L0 o, T" ~
, Z1 n- i+ |& V9 s& r1、内行人一看就知道，还在65nm
% c# a! s( Y# K5 o2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm4 E7 n! k! V" f  t- @
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
5 D, {1 t+ a. D3 o. \( U  e9 ]- G+ ~/ H6 T$ C  L* A
然后就要等EUV了。# f! y+ i: n8 O9 L0 X* O
' V6 g' Y, Z7 N$ k, s  F7 R. p5 f
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？( Y; m. n1 W$ C7 O2 q
9 B1 H* V* `. N/ [) s- e' d" q$ [
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:009 u. e0 D) B9 m: X
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
/ G. \, i* ]( B4 l" C: z& e6 l) P9 s  n( B( S
个人感觉：相比于前一阵 ...
: [# E# |7 l7 q) J0 V+ L
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。* w/ @2 t4 d& }2 g- c
0 ^# |& D$ i. d
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
) w1 d( _& b8 z" ], {# }9 v# q) s) B) ]' z% z
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。. ~' r/ g" |" D2 ]

9 Z% u$ X% Y! n0 C6 x# g: j1 [/ M' M1 G" f
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。" y0 }5 D! \& F2 M, x5 o

( k1 p" i& F- t- f, E
6 \. Q& W3 q, y- d, g工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42% v& x; {& i2 P  d7 B+ Z
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
, x$ u8 h5 K1 N  A8 s' \
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46) s, L$ F0 U" r) G: C
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。: p- D0 P: e5 L) Z
# {# D& J4 F- }+ [
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

: I$ i) ?* a( [! l' f% k$ i  B0 k不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:216 P7 r# f" t' s7 i: a
也就是说，EUV用浸水没有用？
( h. M2 w7 D, {  c1 I1 q
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
( D+ `! k/ m2 D% _: s' y% P理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

# M" f- l( c! }9 z, k是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
& n6 E# l) z/ u是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

8 a' o' Z& G# D2 Q- ], p# ?相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。( Z! ?& B) O5 O1 X
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
0 J3 }# k/ G# s$ |* o/ J6 l( T% y. |; H6 ~: O2 x0 M7 v% {  R1 `0 p
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:008 F! I9 P  h1 c$ K
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！1 a5 n/ f" u5 V& W" a% \  h
& b0 x8 m6 c1 |$ w+ m  T
个人感觉：相比于前一阵 ...
" H4 v- c' b1 K& y: L( G* F- P

* U4 ?  K& V5 c
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
7 N9 @; h, N) f0 Q# s% k
应该会在5年内实现吧。
$ R$ y  A  y9 z! m9 b7 ?
) H. s$ O* }$ i/ s3 x8 L微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）8 k# ~( Z) ?0 q7 w% _& O
24-9-16 23:558 l$ R4 }- {: A# X9 L5 U
发布于 湖南
! d, s+ L6 I, V# V, D* U% e来自 微博网页版
  Z5 ?, |6 {9 g7 K4 u! b啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机" u" p! p2 _0 V+ l; h  }9 g
不是运过来就能直接开工的。$ d  L1 g% ?7 e7 Y/ z) r
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。4 _, x7 g$ `4 N7 S

* m' L* b; s) \0 @4 v: Q/ k这个时间很长，也是我常年说：
9 P! ~4 d' W3 w0 W* l+ d6 D- S. R就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。% |  x3 l. M9 E9 \! K0 _" d

- F* Y8 `+ I" p( _) M% {现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
/ f7 H( J6 J8 j' a
: J- w- I9 h, j# z( w- Q# u( c简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。5 ^$ _- _# i4 ~# s( F: P- c. O) w4 i
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）* K+ p1 Q! j2 h) r9 r/ D8 G
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）8 v2 U  k! x& I7 u7 M
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
( V3 f! z9 ~4 N
, Y+ P% `) H. J没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
, P% \; J% G- H! @+ K1 w' @% X" n, t/ _普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
& d/ I, e& L" m9 ^5 C#华为mate70# 也没多久了。) n1 F2 _  H2 {; D/ Y
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06" A+ i  Y9 ]# M$ i) r
应该会在5年内实现吧。* ^/ }0 x; q- \

. H7 _$ B$ [2 p5 l- ]7 T! o微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

! v' s2 t; J( S% W
; U' g9 ^# E$ e" c& ]8 q这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
- e' \0 H( M& q3 j  l这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

' z' `0 X& P. }3 X$ W5 y但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 ! X- R# r) o# d* y
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
! L/ v& M6 m0 A, y9 J1 y但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

1 i, @: X' |- D, M5 h# t: {' S5 Y- q$ }: i$ o  o( Q  s
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  u# a+ H1 q# T! L$ A2 G4 q
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34/ ]) g8 q( C  U- I
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

9 j8 `0 r( x, d$ e0 H7 }- x理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
1 t1 S* @7 @+ g" f% U' q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
* _3 C3 G  H$ Y! ^# b所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

: G8 ?; A0 x0 X' n8 h有道理。
& Q" p7 ^5 @1 [8 a6 R
$ r+ z, f& U1 b  Y' @不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。  l3 q' I4 y5 ^) o
  l) f2 w# B0 e, J  q
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。+ p$ B7 r: d  G. h% y! {5 K

4 f& P4 {4 N  k1 Y" n9 o9 G这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
3 J+ V# T& X& h; A8 l6 R理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

& D% d: r. E0 U% ~1 h3 R" \6 E这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54$ F. W9 k5 y& A5 K8 p' I
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定% a) W. t' L: m2 v; c+ I2 ]
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
  M$ @( T8 f8 x, K) D
还没搞定？ " X) H1 N5 b, {
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
, K3 ]% H; C3 i8 m1 t尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
& ]. s' D' R9 D' M" l' ]
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
6 L! X& w5 w" E2 V; A按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
+ q& p* F4 ~# g# B( U; x所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) Q0 b; q2 q0 A5 ], V* z5 i! g突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13& c. j; c% O# l: m
有道理。
( ~  o; h8 z' L  R4 R- G5 @3 N  s- \: I0 U" m/ \1 x! \# c) w
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

  e5 w$ X+ U, g+ V; I可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。1 U' U* u# [; n0 I* V, {
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 5 t* f) Y- x  _
雷声 发表于 2024-9-16 19:19/ V7 Z5 }  C+ U! v
还没搞定？ + {5 l  J0 o  `" n# N
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
% D/ ^- h! M9 A  D: p0 a) d
7 p. m; n( {1 S. C
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
: f+ y" D/ o( C$ D& o有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:210 i3 W2 r4 W1 t
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

  j+ ~. h* ^/ ]8 H6 h5 m$ x5 f4 B存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
5 Q) T5 T  g- d9 P3 i存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
' S. |8 Y9 m, e3 V
需要用到浸润DUV吗？
9 \3 b" v0 N0 W/ q4 {9 L, }$ O, m3 R" B9 Q
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
; O% z3 f& H! Z7 E6 s需要用到浸润DUV吗？
. W7 a: [8 }) I' H
' t" o' d: c4 b' C. U/ o我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

* A5 _+ Z; G5 a, o浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23! r  h3 Z# X6 l1 i7 Q8 o' p
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

3 @. E5 Z: Z. n. V8 i2 N* {是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
8 ?1 Q+ |5 w# \6 L  W7 c7 Q: s. Z, W
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
2 H% V; ]( F' L; M! D. d浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

- t- |" z4 l0 y3 ]' D1 F" F都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
. m$ s' c& H! t; q! ?按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定7 r: D8 E+ {) a2 r# D, B$ V
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
; L4 H6 t! ]$ I8 Y. _
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 9 `6 J8 s9 J) s( ]7 p
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
7 q& E8 L% r  v具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

. q$ Y$ }5 J  V( g' `3 ~5 Y; L8 a" P
0 B) \* b9 G. j, G8 h这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
% K" b" d' ]! V+ o6 I5 p9 r都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
! n6 l; u+ f+ f& d. i
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
) ^  N% a+ n3 f" [& Y2 p这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
, Y+ |* T9 t. p" }9 J; q
中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45. r% M$ F# J& G  X! t4 ^: c: c
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
# a) d% E' y: ~  c" V我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
# @7 V+ h3 B5 l: @# s
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



欢迎光临 爱吱声 (http://aswetalk.net/bbs/) Powered by Discuz! X3.2