爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 5 Y; K; S6 V0 R, d/ K  n( O
* J1 h% h8 O- w9 t- U) `* X$ d
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
) j5 @. J& N2 [- t光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。, Q* ]' O* U2 z
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：, b* s  f( w' w4 ^2 q- a
1. 表面清洗
7 ~( J# s/ c# x9 v  @2. 预处理, r* G* v1 |" ~+ Z5 Z' f9 n  V
3. 甩胶! v6 v+ X$ s& I4 Q1 d1 |; V3 V
4. 曝光4 k1 {% T8 b$ z3 a* O+ e
5. develop（显影？）
" z* o4 n$ I) R* ?) D- E4 t7 Y: W6. 刻蚀/离子注入: D9 v5 n0 T5 z" M
7. 去胶
) z8 B* }* P/ |! [  ]( N光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：& h1 j9 F6 X& o1 G* l) q6 ~3 Z/ A
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
2 A1 T2 ^3 D0 V: o对于光刻机，公式演变为：
7 f6 @& K9 m: A5 {3 w9 n[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
- c7 Q7 T7 B# D这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
; }0 Y  g3 f( v1 V1. 436 nm (水银灯"g-line")
( B7 M3 ?! ]  z2. 405 nm (水银灯"h-line")
0 G; A: `, q( a$ D) R& H5 z$ }' s3. 365 nm (水银灯"i-line")
. Z6 I0 A2 @! G4. 248 nm (KrF激光)
) m: N1 m3 L$ {4 n+ D) E) |5. 193 nm (ArF激光)2 P3 T) K) j# z5 X
6. 13.5 nm (EUV激光)1 ^* F" b& N! ]5 M
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
+ ~. M4 p% x) @- h按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
! H( Z) R1 F6 [/ b5 J" e1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
6 v! V* g+ r" Z$ Q2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
) m! z) s" p; W3 [1 u& q3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。; t( c$ h4 ^- F+ _) v7 R) E
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。! k8 T# g4 U/ s5 j1 \

7 p# T' h3 h6 T9 q8 i( j6 E) j网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
: k, W1 j  f* I0 Y7 W) X" J* ~我还以为你才30多岁。。。

! V* b! ~2 e" E西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。' b  w- o" r1 G( U9 F% x0 N+ z
) e2 P! A; {7 M6 D6 o
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
) t# m7 u* V4 I4 a4 d; o& n4 K) \) r, j3 O: p  a
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
' O( S8 W. C6 M& G& U) x5 ~/ q5 I5 u7 [- J8 q$ u; |
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm; X% `: o$ X+ \+ d& r: `
$ Y6 @! z9 v! N& `
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。# c9 c# k- h3 u0 V
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
( o- s+ R3 T2 Z! ~
! @& I# ~8 n2 Y; s- i, k+ p延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。& |& m" r  L" b8 X' y
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。5 _7 U4 f5 H0 U9 J% G+ a# b' c; p
" f6 l6 \2 l. y) j' j
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html0 x, _; ^$ V0 j
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：! `0 x0 |- Y/ s; R6 @; G- b* l
2.1集成电路生产装备! b0 r: e- |7 ~! ]
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅3 {# r  }- y4 X: {7 A
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗) m! R7 ]" T  e  ?) i- X( f0 n# Y
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm" d" p3 n7 r5 z8 g7 X" J
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影4 ?8 U+ n6 i/ B  ]# e0 N" c
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm0 @; k6 H: [  G$ d: J8 [( m
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
/ Z" @3 e! |4 l  `1 n  }' B2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%* ?5 D, m; I3 Z
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA  ?" n3 _1 f! O& k
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
4 H+ T0 k3 W; b7 J7 l2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
3 m0 L) o6 E% y2 e1 V1 l/ _2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
3 d+ `8 d2 X* [- t. }. A0 F$ X% i2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
- Q, j1 Q9 Z  u5 V2.1.13化学机械抛光机 1 i& X# l4 q% g6 S: l
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min! B7 @$ J$ f) ]2 d
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min* j) V5 I! ~# q0 I
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min% J9 q, p% V8 K7 b
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
) w$ @% p4 g" W2 ^5 a2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm, N4 U, ^. w( ^, E/ K
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
* \% b1 J4 h' d/ V% J6 a1 d7 a+ w' S$ t+ l! O
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。( n; r% }" ?" b
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
9 G5 \1 M- y& ^! \4 t. t0 g( B公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
" E- p7 i5 T; ^( G- C
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
8 |# ~, }/ s' f) F& m感谢感谢
& v+ L2 \& j) [. B' w- k$ X
+ Z8 |$ C, R! `工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

$ V7 W# Q3 i6 M# m) g也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！- Z3 n, u, x, X0 a

' E: N  V# [0 F9 o! D9 ~个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。; N  J/ e4 ~# i& k

* g: @) r& ^7 N4 X1、内行人一看就知道，还在65nm0 p8 ]/ T4 f$ w8 Q
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm6 o$ b* B# @7 i/ G) \4 F. {" L, Z
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平8 }6 ~" S' [  C; d7 @
* U! @2 B7 H: N2 d( Q. d, K
然后就要等EUV了。
& C% N) ~2 Q" W' _6 T! K' b% P+ U. l1 S
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
9 [1 d" c1 E0 ?! P0 g* G4 w8 n! I. J/ g/ M* d
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00& `" l- }  o3 |' ?
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！" }# D9 ~& ^/ ?: P7 M% y

: i) F9 [% N$ z* ^1 B4 h4 [2 h. U# d. R个人感觉：相比于前一阵 ...

, |' w- E2 U5 f. g- \9 W不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
8 g" b% |4 T! u: O) j" g; X8 w$ e
2 c6 Z  X  T- m5 }$ F* O从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。9 _& G$ c; G! S/ s% U
" D& D7 [8 L6 n) b# C
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
9 s( f+ X0 E  }$ ]' d  @3 C6 L& z* a: l) t* `2 C; ?& r& ~5 O

% x" N2 ~- j: K6 pSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。2 Y7 J5 i/ {8 |5 Q
  A2 m. f  ^! h0 \5 x

& e( f: [4 G7 H% R工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42; l7 X  V! |3 s% [7 G
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

2 E5 S" X, i1 U也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:464 Q9 K1 @1 `0 h+ i0 W
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。" ]4 l: K" |# N

) f+ x5 g5 x3 z从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
( v! k* {. f' [0 o0 ~
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
! B: u' U8 o- y. z) W也就是说，EUV用浸水没有用？

& R, o5 Q9 K/ E. z& `1 o理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:385 r( C9 q$ c) I
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
9 ^9 {$ E: j' G0 m/ e+ L
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39) L8 o6 ?" Q# J& z
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
& u9 e' c! ?4 A
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
; S, D" m8 Z/ R# K; O- S0 N2 s我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
( S" j7 y. }* [% Q, W+ B: b( I) W8 k7 J7 z$ |, o4 H
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
& A& z$ M( d6 E* M0 Y2 {也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
% I+ B8 J2 F( [: }
& w5 H' T- ], D, U; d个人感觉：相比于前一阵 ...

: h( @. R4 r1 }8 Q  C, x6 [% Y" n" b/ @( _
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
  ]+ [7 \0 i$ x, c" R' y
应该会在5年内实现吧。
5 Z" t; B- E8 ~+ K, Z/ F4 G1 _
# b5 j* j& U( O+ p% J+ }微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
! B8 _6 j8 Y: J24-9-16 23:55- e* b$ @" l$ w* f5 H! ^3 F
发布于 湖南- l9 Q6 H+ B+ f9 S4 C- u& }
来自 微博网页版9 W  T4 L% {- @" l0 y& ?( {1 f
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机4 |% f! m7 ]# G4 e
不是运过来就能直接开工的。" w* ]# k7 D0 j
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。) j$ f% G- u4 R9 V/ f
' o! V. E. m' `3 T* L: C1 Q
这个时间很长，也是我常年说：9 X9 v1 t4 ?, r
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。$ x9 ~9 H& Y. D9 Y3 ?  W1 d
! P: K) C# W& G% k
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
2 U& O0 n# @; U' P5 Y5 x5 i/ q, d/ M7 J
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
* D/ P8 ]1 C  Q$ G) Y; V干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
( A8 y( @/ g1 P0 s# c( \6 O多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
' j$ b  T  q6 \  p# m但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了8 v2 @6 a5 W# Z; o
, R, U7 F' s& }0 v% m3 S
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。3 h# A$ ]- B$ g( ~) t3 e" X
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。+ `& B% S$ o# S) y- n
#华为mate70# 也没多久了。, H) D( e+ z3 P: J" H; [
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
5 G8 s$ G7 b0 J2 t/ ?( [应该会在5年内实现吧。8 U3 u. ~3 I1 _

9 ]' o) O! k2 z1 a微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
. r/ g; d# V2 K# c; J* b# f

. q+ Q& R+ P4 Q5 A% |7 x这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
, `+ [- }& w) S" P3 r这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
, l; [: P9 v7 {+ n4 A6 W
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
9 g- t8 e. X5 W$ I* S+ c
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
# |; T# b. L0 i+ w; i! E2 e( D6 U但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
9 j  @. x# m3 B! D8 V
$ A! C: ~% X! |  y1 k$ D2 Z
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定4 ?; Q+ y; \2 k' ~$ Z% L
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34; G  O* S; Z( j0 c; m
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
1 x8 i. }+ O2 u* b, v4 a& i' c1 z
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
- W+ r% S( ^: J; A$ {2 p按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定! x2 c" N! U# L# F' a. _0 o6 q+ S
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
2 j5 J2 f' W' p( z; o: j' ]
有道理。% r& `$ |, i. x7 T. e

9 j3 f: N! c' h5 V0 F5 {不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
1 M0 W2 c5 N! d6 @
( K) u9 e* q1 L9 M0 \中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
4 Q# f( e* W2 S- _7 d. X* z
7 S% D8 m' R( h# w9 n+ ^这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
+ t* \$ j3 K- i" @! n理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
. k1 z2 B, s6 f" A( x7 Y4 s
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
9 m/ v2 o1 {8 q; f( `9 C0 V按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
/ G4 A4 Z: A# |* r( T  q. O7 g所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) o# e: ^3 u4 y6 Y# c. p5 p还没搞定？
3 i! B9 ?" g5 J8 f+ X0 g我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
" z5 n, C, d! Z尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。# S9 J- A+ p0 Y9 X& H
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
5 k7 d: b. [  g: l( M" Y) j1 ^8 V* |按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
1 A$ ]9 n0 ]9 P, t7 B所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

6 p' }$ S. c+ k突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13% a, L* x3 `0 `- f; U3 E# q5 t
有道理。
$ J9 J/ V4 W, \8 C* g) z2 V! r1 x
' }; [& }/ u6 S! P3 M; i, u9 \$ {不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
4 f0 Z9 ?* P; H; h
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。) ?: ]5 T) l2 W# @& J
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 4 z( A9 W* c5 Z- |' E0 p: l" c" ~% n
雷声 发表于 2024-9-16 19:19" W# H4 }/ y% q. g1 a
还没搞定？
, J  _5 l* T, D我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
# i7 H- e+ m/ k

  [' \6 t8 U5 @( K# u. }- c: q1 qNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。. S* K% o. J0 x
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21& B, i* `8 ^% g" D
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

+ T4 i$ k4 K. ?# S存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31. j* q! O3 B$ {( O6 H. r! `' v
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

! f( X* Z5 j' b需要用到浸润DUV吗？
! ~& v  Z& u& B. k: c
: C* `/ i& d: d" z5 f' Y9 ]我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
; N7 U* y  ^  Z5 [% \  v: B需要用到浸润DUV吗？
  ~' F. V& J7 m# b. o( s* U  \( \4 t8 C
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
! N+ q8 k/ Z4 Y* R& Q; I
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
# V. ]3 o5 P( m0 L可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

! }* H1 v* J; C. o- b7 F9 J! u, D( V是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。' R! q2 N. `8 H- H* \

9 F" ~( I2 W" }硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
! a  }' X! C$ S9 V& z8 ~浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

1 Q! n' {  o0 x" h8 I1 B; l8 e5 O) R都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54; W2 T* [# |- M% t; R
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
* x+ D) u; \2 M所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

; X# L3 k# S4 [- ]5 X# i具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
4 @( d5 j! y1 @" L1 c6 C
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
" V: R8 m7 V: m3 [) z( g具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

: O4 S4 {, g* c7 T4 L" u4 g0 h* c( m/ `' _( ~8 K. H
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
$ @3 N1 Y0 |* u5 b6 {/ e: K# J都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

4 o; I* Z  q) P: P不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
7 x! y, v* n9 E7 \  a' V; n这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
9 ]8 t0 N  f8 u! D% L+ C6 Y2 Q2 s在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
! s! q% Z+ ]* W3 S我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
' h7 c% m' X# Y0 v
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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