爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 % y0 s8 Y& W- \$ ?3 f" s6 R
. Z1 k/ L, h* |" {! \
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
" p2 V" p# o. m7 p6 ]光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
  M4 p  ~1 z9 @% A( O9 B! w- Y还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
. r0 Z  G# q  w# t" v) c7 s1 N" X1. 表面清洗' V/ s9 }9 x- c8 I4 h2 R% S* E! ^+ r
2. 预处理
8 _; V2 R' p7 {0 A) x3. 甩胶
  c/ r& K8 V& q) z4. 曝光, R! {) q  L& S! t2 O/ W
5. develop（显影？）; V* D( Q  p1 }
6. 刻蚀/离子注入
* _2 e2 l3 A; h8 W7. 去胶% J# D7 j6 J: u; L& |3 ~) |9 O
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
% _. J$ ~4 @7 ~5 A[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]* g" x' G, }' u; B
对于光刻机，公式演变为：
8 Y0 @# a) j& c- K# L5 L$ q5 [[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
0 E' c1 ~. ^: k. ^' O这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：4 y! j5 q, N. W7 c
1. 436 nm (水银灯"g-line") 9 F2 A1 C: D4 p8 F- e
2. 405 nm (水银灯"h-line") 2 ?: O/ h5 @" Q" `
3. 365 nm (水银灯"i-line")$ Z2 Y4 G0 f8 N( X6 e% m7 W( P! }
4. 248 nm (KrF激光)
" q3 m6 U$ [/ d, R) @9 ?5. 193 nm (ArF激光)
7 c9 |. \* n1 Q3 {5 o6. 13.5 nm (EUV激光)$ A5 r2 ?" u( U( l
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。. z3 O! W" x7 _- L3 M- r: J
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：" f  Y2 ~2 a+ w. L( Q
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。( L. y9 B; W' R0 F6 j6 v2 u7 J8 W! Q# K
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。1 y  W2 W2 c! x; s
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
, A' H0 s' s* M9 }$ t' F# c3 ^8 s( ?4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。; u: V; x. j% E: R$ ^9 @4 U
; F0 X/ d! Z! u6 A
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:183 N. ^! W8 c+ }2 X, V
我还以为你才30多岁。。。

2 x0 E* |' j: E8 _+ d西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
& R4 m. V. R) I# }  @: G& S# r2 q% Q3 @; g
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
6 ~$ L% E* X1 _3 g7 x# C
% c5 T5 l' h% j' Z; i( h( U凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
0 G) U( ?; W  z' x
9 I8 A5 F* \: z7 p5 j1 \工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm8 n! _2 z: m) W1 i3 n

+ ]0 a# a# K7 Z: T5 |0 |  o; S( e按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
. d/ ~4 L! H( X确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
) H, @3 V- }% o; U: r( g
# T& M% _6 \: B" f+ U$ y- R. f2 q延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。8 n& A. }/ ]# ]2 }$ K
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
" L$ x/ U$ p" ?. Y8 v7 e$ Y/ v
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html/ L7 G& z2 i1 t, Q( P$ x9 t7 k
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：/ H. b6 i( @. f6 M
2.1集成电路生产装备5 E# D8 s9 l8 c
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
5 {2 f* Y; H& g! L& j- h7 z2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗: }% ~9 `9 B" G+ j
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
5 B" {- ?' f$ d! g: n" F3 ?2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
1 O; ^$ F0 U9 ~. I1 B2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
/ L$ Y7 \5 b0 f2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
- J; ?, l8 N5 O: @+ P2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%* u' c: @6 e9 R4 n- E
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA' f4 z6 O" D2 k) n: u" d5 j( Q
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
! r; W0 _! T7 f& t: v. |2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
% W) A, B: d$ ?  p2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
* z" ]- y( F0 G) A) G2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
* b+ }7 S2 V& I+ ^% c" m9 O2.1.13化学机械抛光机 . N/ P/ J+ }5 }* b; d% E
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min6 m& B0 ]# ^' V1 {+ m& @) L
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
4 o. d. h! u' I+ A+ g4 E) O    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min3 ~/ U0 j' W) a3 j4 t! U
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min) K! U( _8 e( Y; W% M$ ^2 W  m8 C
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
8 c6 i4 W+ ~3 l2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm1 a/ c+ z# L5 s! c! `5 Y8 [
" a4 p' G; ]5 j  o
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
6 N+ B, [6 _; O" F2 T
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
- h% [( f$ @" F0 P公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
* Z$ t, j4 q$ v( P2 w
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
( W3 Q( o: i5 M感谢感谢
% ^% a  _+ L! Q+ n1 o8 S
. B5 r: B% ]; J工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
) ~) L8 x7 |0 E% p! U  S
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！" d* R# p4 p4 i1 h( g6 h

- w6 ^/ I* L; m0 l个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。& b5 @7 c' M* e9 O, L

2 S  c  X! a$ \8 s6 `& ^. P. ^1、内行人一看就知道，还在65nm2 M9 ~' D1 h! h3 v) s% D+ P
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
7 H7 a" m, P' H+ ?5 P3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平# y! x2 U6 u' K( q! E0 v2 p8 ~
. a6 O/ F5 J3 @7 v5 p
然后就要等EUV了。+ h; q# ^( p7 j4 y) o
% z2 A( P$ x. |$ O: ~' ^- @, M# A
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？- j8 Z+ r  C4 u- `: K( a# P
& @& k* [# B9 I) s
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
3 g7 P) p  n2 X- J也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！8 A7 [5 J$ z4 A' o1 X; {* Z6 v4 z* B

) C5 R2 h" O; `2 b- w# o* j; p. V个人感觉：相比于前一阵 ...

3 l& [1 G% C. `0 E1 M) F不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
- ]+ L. S9 r: S  b- h4 z$ n6 a  `+ o1 K: B' n0 `' d
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。# v$ [" L2 ^5 Q7 g
/ p, S/ Q! G8 }$ i4 H. j9 |$ h# L
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。5 S) X+ K7 |* \9 A

5 A9 C& l) Q7 N$ m2 o# i" ^# F' |) Z
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。6 k5 W6 r. W- ^5 b
' c" g  r2 g* z5 L- W5 X
. {1 K% ~' X" ^3 r' ^4 M( }& r
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42- j8 N5 T2 `  x! Z: o" U
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

6 S) }, @% P/ z' P6 b也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46+ b. Q! n7 L, {3 y
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
# P( N& Y8 W! m2 ?0 o7 R( K8 ~
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

) ?0 C. a3 `6 A) |1 N- V不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
( d% A2 [$ L( z! r" o* ~也就是说，EUV用浸水没有用？

$ x5 t! @4 s$ F* L理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
/ q7 ^' X" t& C5 m3 r理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
4 |; M  b! s5 l! k: Z9 S& p
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39! l* o$ m. [* _6 F- j
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

6 U; U8 m& U/ o$ s# V相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。) N  ]' H/ {6 ^; s
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
; {+ g/ L, {: w; _( l7 W
: t. ?0 a! R; H+ B, qhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
" }. r0 {: x' }  L0 b也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 x& [' ?  ]* @0 F6 i8 _
# S7 z) c/ E- p个人感觉：相比于前一阵 ...
$ t2 ^! n; ^# q+ I2 u
4 s5 E  p) ]3 B+ ^+ ~9 n
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

: j) p- O) h5 e3 `& Q7 M应该会在5年内实现吧。
7 Y. L2 j, P- V6 C2 Y: t+ }2 y8 q6 u
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）( I/ I( m9 f: A; X" S! G0 m* P
24-9-16 23:55
- E7 W* [+ D" _4 i发布于 湖南
- u  W1 o3 T. l0 E来自 微博网页版; `7 ?* f  a. @% H4 T7 s
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
, W' M  x* v$ H0 ?不是运过来就能直接开工的。8 a+ D8 V# `& ]8 G% v: ]8 \
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。* F: D5 m7 U1 q5 M

; d7 Q  ~# l/ [这个时间很长，也是我常年说：: F* m  G: I6 i* ?$ f
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。. w7 p5 X# n# @9 {# t2 ]

* f0 I& W* G% E# z3 N5 n# C现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
1 G9 R/ x9 k- w
& \7 D9 n, N* T5 {+ e8 ]简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。7 K  ?# z& Z; @  ^) Z: c
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）: A0 [1 z( X- }! X$ f  k2 T
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）# t  W2 ^! z- G- f
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了: B( w( r# J! @
5 G+ P5 X% f/ G9 B& p( s% G
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
6 \2 Q' B. r$ \% M$ A普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
$ h" u) Q7 ^+ A; W#华为mate70# 也没多久了。
) y& Q: A1 m& e9 `: f$ j4 h5 d
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06! x3 t) y# n: q# z" j% h
应该会在5年内实现吧。
6 c& w- }& e1 q( |/ E" e, ~, [$ S# |/ w% N* n% O
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
4 L. w8 }  x7 a9 {/ T1 I$ `+ e

- S0 ~' d* {! C这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15* U* E, u( a; R9 [. O
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
" w& c% D- h% k2 u
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
3 u* [# D# w: K% N
晨枫 发表于 2024-9-16 16:399 U& a( M% y# b) H0 l7 j7 b
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
0 h  J" x7 R. H: p6 _% G3 k, A8 N
0 V- A" [$ R. R8 D6 n
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 {9 f8 d4 L! A) ^) G
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
4 R& a, C; ?7 P/ \* e$ s( E. h3 E不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
- O  A7 V$ u2 H0 X6 I8 A
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54( V: H, s# ~8 f$ k& h, e% \+ r4 C
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  \# W; r% P; e: V' W
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
  L5 Z/ T, C6 O0 ]9 \" _6 `
有道理。; V* D9 k6 H0 I& `8 D, A4 {* V

! R& L, Q6 E8 a" Z6 r$ K; B9 h1 B; M不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
3 Q6 y3 ^' z, m/ `
# _) l0 X) Z* k5 u/ \0 R5 m; G中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。. F/ E3 G4 d; g3 z1 G$ X* D8 a

5 @" y0 u6 Y' h# `这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
- g1 w4 |1 s) D理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
- S6 i$ r6 ]* {* Y$ ~. [: h
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:549 R$ f9 K9 M9 @) N
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定) \  w* y' Z) @# Z2 Z- S
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

; Q% D# u! y, u$ O8 R还没搞定？
$ ~8 H; i# n! o5 X% o. `3 z我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
$ H: S" J- |- Y  D: L尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
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作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
3 q5 I, ?- b- I# \! f" j& L& d' }4 [按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定% J/ B1 K, z6 q2 H, ]! d
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

  k1 j- U! a5 f- m5 ~突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
: o( F5 v* ^, k6 r* ]4 {+ s有道理。
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4 p1 u. R& b7 N, n不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

$ a! z. w, q& T0 ]' l& b可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
5 M- Z4 Q/ A* p# y4 g很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 5 O% k9 l! ^& L8 @, x
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
2 y* t7 i7 x0 D* \; @8 o还没搞定？ . u7 S1 S- J2 P2 c, ~
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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8 Y8 ~# f- Y8 g/ n0 o
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。& C' Y5 }* D$ g7 R2 [
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21- v) k+ m& ~& N, e5 C) O7 T
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
+ V( T# G. w! k7 L* R
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31" n1 s: u9 |6 w# J9 n0 u; c
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

' ]3 D8 t( c5 i( {: G6 r  A% C6 H9 V需要用到浸润DUV吗？
3 L. V. S; S1 P: p* T" r5 q$ t& y: U
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34" F& P) q( L* X! T: g; Z
需要用到浸润DUV吗？3 {4 R$ g* c7 _& d+ V
. ]) t9 x" s; j% Z9 X1 u& A/ K
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

% y% J) M; ^  M' w0 e' R* h- P/ y浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
% V: K5 K* l: @- [4 ]可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

5 O2 F  v$ \) {3 U& R) d2 T8 `是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
( n( ^; v3 X9 u9 [* D3 ~1 p5 i/ L" w, k' R1 Q
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:372 h. d) T' X6 Y! n& c
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
2 ]) }( a6 B) P2 |/ P* z$ w% B
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
; _( L. c) u7 Z# j- d7 ^" c# T按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定$ r3 l  ?! Q" J0 F. Y4 M
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
% u' J: p$ s6 i0 z) f
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
: s( ?0 U! ]+ h8 R* z# U9 b
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
' \" z3 |$ x5 m3 k具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

" e8 p$ S4 }3 n) }  c5 Y2 I/ s7 f2 Y: R. b* o
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:408 z1 {# j5 X' j" Z1 l
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
9 h$ x( N; |- s
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13- R+ O7 h+ C4 F
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

$ D% s6 y/ y6 h8 P7 k# n) k8 O中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
% z4 I% W$ D' r" e1 k/ t在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
: I+ c$ O4 i  v% N8 K( o+ y我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
: d, c/ m+ B0 z9 c
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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